Mos场与各种升压药的区别器的区别

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结即NPNP结構,在原理上是MOS推动的P型BJT;
多的这个P层因内有载流子有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下有很低的压降,因此IGBT可以做到很高電压(目前最大6500V)但由于载流子存在,IGBT关断是电流会拖尾关断速度会减低;
IGBT和MOS是全控器件,是电压型驱动即通过控制栅极电压来开通或关断器件;是半控器件,电流型驱动即给栅极通一定的电流,可以是可控硅开通但是一旦开通,就不受栅极控制将栅极的电压電流信号去除,仍然保持开通只用流过可控硅的电流减小,或可控硅AK两端加反压才能关断;
IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz,但可控硅一般茬1KHz以内
首先一个从外形上面区别:IGBT 绝大多数是TO-3P封装,要大一些MOS管 大部分为TO220封装要小一些。(当然不能说绝对)
其次如果从元件内部去汾析一般IGBT,里面是内置有一颗快恢复而MOS管一般没有。所以IGBT一般是有两个晶圆的MOS只有一个。可以看和参数说明

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