交流等效电路怎么画分析一下,小白有点看不懂,

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现在有很多朋友都在做微投资,或者想做微投资,有很大一部分人也确实在微投资市场赚到了一大笔钱,但是更多的是什么都不懂的小白,很多人都亏损,因为不懂市场规则规律,就自己盲目作,或者盲目去相信所谓的平台的分析师,然后亏损了很多,其实做微投资主要就是需要一个可靠的平台和一个专业的分析团队,这样你才能在微投资市场获利。
金融市场如果说哪个客户亏损了,或者不懂的不知道怎么操作的,来找我们分析团队,我可以帮助你挽回损失,同时收取相应的费用。一起合作共赢,更多了解添加V信:3
就给大家整理下,希望对您有一定的帮助。学习!验证带单合作!
一、没有被套的可能
比起其它交易,交易的一个优势就是它是以时间为结算,时间到了就强制平仓,在这点上让交易者没有任何犹豫、侥幸的余地,同样的也不会有资金被套而不忍出场的问题,很多投资者在投资、时常常会舍不得眼前的损失,而不愿意平仓出场,结果是他们常在一次糟糕的行情下就将所有仓位亏损殆尽,想要追回原来的仓位难上加难。
二、每笔交易损益固定
另一个交易的优势就是,每次交易的利润以及亏损都是固定的,的亏损就是你交易投入的资金,即便行情再差也不会伤及到你的仓位,因此我们操作微交易时要关注的就是交易胜率,这是其它投资做不到的。
三、交易前决定风险
也正因为如此,在投资交易前,我们就能够将的利润以及的风险都测算出来,只要稍加用心,并严格按照交易计划进行,那么交易的风险将完全在我们的手上,不会被套也不会有意外的行情要你催缴保证金,控制好风险,那你每次的交易都不会对仓位造成太大的损失,可以说几乎所有的风险都在我们的之内!这就是它与其它投资的不同之处。
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美股暴跌“回应”特朗普征税威胁
4月6日,在美国纽约交易所,电视新闻播出当天的行情。图/
据电 美国称考虑再对1000亿美元出口商品加征关税,令投资者对中美爆发大规模贸易冲突的恐慌情绪加剧,纽约6日遭遇重挫,三大收盘跌幅均超过2%。
观察人士认为,特朗普一再升级对华贸易,不但无助于缩减美国贸易逆差,还会造成金融市场不等后果,这种单边和贸易保护行径将损害美国经济乃至经济。
道琼斯指数盘中一度暴跌逾700点
美国总统特朗普5日发表声明说,他已指示美国贸易代表办公室依据“301调查”,考虑对从进口的额外1000亿美元商品加征关税是否。
对此,新闻发言人6日回应说,中方将不惜付出任何代价,必定予以坚决回击,必定采取新的综合应对措施,坚决捍卫和的利益。
受中美经贸冲突影响,6日纽约三大道琼斯工业平均指数、普尔500种指数、纳斯达克综合指数分别比前一交易日下跌2.34%、2.19%和2.28%,其中道琼斯指数盘中一度暴跌逾700点。
板块方面,标普500指数十一大板块全线下跌,其中工业品板块领跌,跌幅为2.77%,科技和原材料板块跌幅紧随其后,分别下跌2.45%和2.43%。
同时,衡量投资者恐慌情绪的芝加哥期权交易所波动指数(又称“恐慌指数”)飙升13.46%,收于21.49。
对中美经贸冲突担忧加剧也令油价承压。当天,纽约商品交易所2018年5月交货的轻质价格下跌1.48美元,收于每桶62.06美元,跌幅为2.33%。
担忧情绪蔓延使得等避险资产的需求。当天,纽约商品交易所市场交投较活跃的6月期价比前一交易日上涨7.6美元,收于每盎司1336.1美元,涨幅为0.57%。
贸易保护无助解决问题
不少观察人士认为,特朗普一再升级对华贸易,不但不能美国的贸易逆差问题,还将引发金融市场波动,损害美国经济乃至经济,拖全球经济复苏的后腿。
美国圣托马斯大学休斯敦分校教授乔恩·泰勒表示,美国试图绕过贸易组织争端解决机制,采取独断专行的单边行为,是“非常错误的”。
摩根大通资产部全球首席策略师戴维·凯利认为,美国巨额贸易逆差主要是因为财政预算赤字过高等因素引起,在已启动减税改革的背景下,与的贸易战并不明智,无益于美国贸易逆差,也不利于美国金融市场。
美国得克萨斯大学金融与经济教授斯蒂芬·马吉也认为,商品进口关税、甚至贸易战无法真正解决贸易逆差问题。
穆迪分析公司首席经济学家马克·赞迪说,当前美国的工资和物价上涨压力正在不断,较高的关税只会加剧这些压力,并美国丧失更多就业机会。
观点 升级对华贸易将伤及自身
据电 多位财经领域专家7日表示,美国外贸长期逆差主要是由于低储蓄率、美元本位等结构性原因,而其一再升级对华贸易,将打击美国内的实体经济和资本市场,并伤害普通投资者和百姓的利益。
“评判一国外贸是否平衡不能只看单边,要看总体情况。”在此间举行的金融四十人(CF40)中美贸易研究媒体交流会上,CF40研究员哈继铭说。他表示,从全球角度看,目前贸易基本平衡,经常顺差占GDP比例不到1.5%,而美国贸易长期失衡,和全球一百多个都或多或少存在着贸易逆差问题,这背后有多重因素。
CF40研究员管涛分析认为,自上世纪七十年代中期以来,美国对外贸易就逆差,这主要由美国储蓄率较低、产业空心化、美元本位等结构性原因所致。此外,美国高技行业出口,尤其相关产品对的出口,也是其贸易失衡背后的一个重要因素。
与会专家们表示,中美贸易争端不仅仅是贸易问题。美国单边的贸易争端,将对其本国的实体经济和资本市场产生负面影响。
哈继铭说,美国目前已面临通货逐渐上行的压力,如果中美贸易争端升级、新的关税政策“加码”,无疑将抬升通胀压力,美联储不得不加快加息步伐,这将直接影响美国实体经济复苏,并对美国资本市场带来较大的负面影响。
“华尔街在下跌,但是损害的是全美老百姓利益。”哈继铭说,因为美国中有大量的机构投资者,社保、养老等在中占据很大比例。而考虑到美国金融业在经济中的占比和作用,对资本市场的冲击将反过来给美国经济增长带来威胁和风险。
驻欧盟使团:中欧应携手反对贸易保护
据电 驻欧盟使团经商参处公使夏翔7日说,不是美国“301调查”**的受害者,欧盟历也多次成为美国“301调查”的对象,深受其害。当美国再次利用“301调查”搞贸易保护之际,和欧盟应该携手反对和。
夏翔说,在经济全球化的背景下,各种要素资源在全进行配置,而作为制造业大国,很多工业原料、零部件和科技产品是从包括欧盟在内的发达进口而来的。欧盟工商界人士在与他的交流中表示,美国此番发起的贸易争端不会有赢家,只会损害贸易秩序。
知识产权局:有能力应对任何挑战
新闻:江苏格桑花投资有限公司利润高,真实吗?
据电 知识产权局保护协调司司长张志成表示,的创新成就一不靠偷,二不靠抢,是人踏踏实实干出来的。在知识产权领域,有信心、有能力应对任何挑战
美方301调查报告指责在技术转移、知识产权和创新方面的做法是没有事实根据的。事实上,制造业整体技术水平的和竞争力的增强主要来自于创新投入的和制造业的综合竞争优势。
知识产权综合实力快速。2016年成为上**年发明专利申请受理量突破100万件的。
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高手帮小白分析两个模拟电路。关于运放的。分析输入与输出的关系。(过程)
第一个是DAC0832的一个单极性输出电路。那个15K电阻的0832内部的一个反馈电路。第二个是一个U/I转换电路。输入电压信号,输出电流信号,Iout是三极管集电极电流。输入输出关系是:Iou...
第一个是DAC0832的一个单极性输出电路。那个15K电阻的0832内部的一个反馈电路。第二个是一个U/I转换电路。输入电压信号,输出电流信号,Iout是三极管集电极电流。输入输出关系是:Iout=Vin/Rf
但是不知道怎么来的。(就这类运放接三极管的电流 该如何分析?)
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有节是秋筠——
有节是秋筠——
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根据运放的“虚短”,“虚断”,可得2,3脚电压相等,为Vin,就可以算出从2脚到地的电流。运放分析时把握好“虚短”,“虚断”这两个词就好。
算运放的时候不是需要用到反馈电流吗?
那有个三极管 就不知道怎么做了。。这个三极管如何处理?运放输出和反馈可以看做直通吗?
左边的图,输出与反馈是直通。右图就不是了,右图根据Rf的电压和三极管管压降计算输出电压。
Elbert_Ray
Elbert_Ray
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第一个你图有问题吧 I1那端接地?VO=I2*15K啊第二个 其实这个图你可以试着去度娘搜恒流源 你就知道是个怎么过程了 Rf处的电阻一定的 使得Rf产生的电流一定
好肉大家吃
好肉大家吃
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擅长:暂未定制
碰到运放就要想到“虚短”和“虚断”。先根据“虚断”,3脚无电流,那3脚的电压就是Uin,再根据虚短2电压=3电压=Uin。三极管中Ic约等于Ie,Ie=Uin/Rf,所以Ic=Uin/Rf,Ic就是Iout
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其实吧里有好多真材实料的大神。我虽然不是大神,但是和吧里众多小白一比。我发现我的小白阶段特别短。现在把我的方法和众小白分享。我边想边更,速度会有些慢。大家不要急。
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每个人都有小白阶段,身为小白没什么大不了的。但是吧里好多小白问着各种无语的问题,真心不怎么想理会。而且还有人开贴骂过。那么怎样才能摆脱小白呢。首先你得会用百度。想笑了吗?不要笑。你以为在百度框里输入个关键词就说明你会用了?不!百度只是象征,会用百度指的是会搜索。我身边大把人只是把关键词一输入,看到没想要的结果就说百度不到,这就是常见的不会用百度的情况。
遇到单片机的问题了,首先把你的问题的核心提取出来。然后去百度搜。第一轮搜不到,就进那些结果页面去看,一个一个看。看别人的回复和自己的问题是否相关。如果进入一个论坛,可以先在里面逛一逛。然后收集信息,适当的挑选和问题相近的关键词。然后再去搜索。多搜几回总会找得到。如果是找某个芯片的数据手册,无论如何也百度不到的话就换一种芯片。懂得变通也是很重要的。
独立的找资料(百度)对于学习单片机是有好处的。一来不会养成大神依赖症。大神也不能24小时在那里候着。二来你发个贴发个知道然后坐等答案,你觉得得到答案的几率有多大?
初学单片机,很多人都问需要什么。以stc51单片机为例,软件上你需要有keil,stcisp工具。硬件上有下载器,最小系统板。有了这些就能开始学习了。单片机是软硬结合的东西。所以我不推荐用仿真。用仿真只能学到软件上的东西。对于硬件没有太大帮助。所以你不是特别没经费的话,还是不要用仿真的话。开发板一直是商家宰人的法宝。但是如果你的硬件真的很差,先买个开发板用用还是可以的。但是以后必须自己做板子。否则到底你也只是会编程而已。
硬件上不需要你有非常扎实的电路基础,但是模电数电的一些概念你必须要懂。否则你遇到硬件问题了,都不知道怎么问百度。去年我参加广西区比赛做功放那时,我还没学模电和数电。甚至单片机也只是会控制io口,定时器中断那些我都不懂,结果还是拿了初赛的最高奖。因为单片机知识太薄弱就没去参加复赛。所以我认为有了这些概念,很多东西都可以现学现卖。
学习单片机,首先要对单片机有所了解。单片机能做什么?为什么能做?单片机不能做什么?为什么不能做?这些问题你多多少少要知道一些。很多小白就是这样。以为把电位器往引脚一接就能控制模拟量啊什么的。这就是不了解单片机结构的表现。现在很多书籍都介绍得通俗易懂。而且我觉得你没必要非得硬套强记。比如P0口的上拉电阻问题,你实在搞不懂,又没学过数电你就记“p0受了英特尔的诅咒,必须加上拉电阻”也是可以的。毕竟单片机是工具,知道如何用是第一。但是!这里有但是!这种不科学的想法只能在初期存在。之后你必须把数电补好!!
单片机是个工具。所以我的学习方法是先会用再慢慢考虑原理。就想铲子一样,我要跟你说原理估计能把整个物理力学都说一遍。但用法就相当简单,示范一遍连小学生都能铲土。我刚学单片机的时候,就记着px.x=1就是高电平,px.x=0就是低电平。低电平能点亮灯,高电平点不了。led一定是低电平驱动。我就靠着记这种结论完成了去年10月的院级比赛。还得了一等奖。后来学了数电,我才知道为啥低电平能亮,高电平不能亮。
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说到那次院级比赛,我用了1602屏幕。但是我压根不知道这货怎么用。我就拿了开发板资料里的代码。东改一下,西改一下。有时不能工作就撤销重改,不断改才发现了哪些代码是必须的。然后复制粘贴。就OK啦。回想起来这种笨办法居然能生效真不容易。
怎么改都改不好的例子还是有的。比如那次功放。数字电位器是IIC接口,我百度了IIC。知道是通信协议,但是,不会用。改了一天也没出效果。于是换了138加电阻网。效果不好。又换成音量芯片,才勉勉强强能调一些音量了。那时真的相当痛苦。
好帖!继续更!楼主!
初学单片机就不要怕试。不断地调试才能得到经验,才能升级,迎娶白……。嗯。小孩不会走路就是靠模仿大人。小白不会单片机,也可以去模仿一些简单的作品。你会发现一些东西,你看书怎么都不明白。但是一做出来就瞬间明了了。再次重申,单片机是工具。如同锄头一样,看半天锄头说明书都比不上去挥舞锄头半小时
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说到试,就不能不提到一些基础焊接知识。首先你得会检查电路的问题,比如你做的电路和电路图是否一致。大一培训那时,我舍友怎么检查都检查不出电路问题。我一看,他焊的电路和电路图不一样。所以会看实际电路是基本中的基本。还有就是会检测虚焊。虚焊是最奸诈的。有时你发现电路没问题,单片机没问题,就是出不了结果。那多半是虚焊。因此,一个万用表是必须的。话说只要是和电路有关,都应该买一个万用表。
平时大家可以用单片机做一些小东西,既可以练手又可以学习。比如我嘛,去年连续参加两次比赛,就摆脱小白身份了。如果我那时只看书,估计没学完数电的话我还小白一个。做东西提升的能力真的太多。年初我被人称为“万用板王子”因为我喜欢用万用板(真实情况是我不会画pcb)。但是现在不用贴片我就浑身难受。这一切还得归功于我喜欢做东西。关于做东西,我推荐大家从会得地方慢慢扩展。比如我做过电压表。之后我就用上ADC代码,做了个简易示波器。两者原理差不多。有了做电压表的经验,做示波器的难度就大大减小。之后测波形频率那些新东西等之后学会了再放进去也不迟。反正新手就要不怕困难,一个项目你完成不了整体,千万不要放弃,完成部分也是一种进步。
说到做东西,就必须提一下分析能力。有些新手也很想做东西。但是就是不知道怎么做。于是就不做了,就放弃了(说的就是我舍友)。由此可见分析能力是很重要的。这方面我不知道怎么说,我从小就爱考虑物体的构成。所以问我怎么分析就和问我怎么走路一样。我也只能说在我有记忆的时候就会了。除了分析能力外,知识储备也是必须的。你叫我去分析原子弹?叫鲁迅去分析平行宇宙?叫霍金去分析中国古典文学?那都是不可能的。分析能力我们一直在培养,高中的阅读理解就是在考你的分析能力。这能力大家应该都有。那么剩下的就是知识储备。为啥我分析不出原子弹。因为我没有这方面的知识储备。所以学习单片机的同时也要注意积累各种模块的功能。比如做个倒车雷达,离墙距离低于30厘米就报警。这个项目给那些不知道测距模块的分析,估计他什么都分析不出来。但是给知道的人一看,立马就知道这个项目可以用超声波测距模块或者红外测距模块实现。
当你有了一些储备后,应该做什么呢?我觉得吧,你可以去“山寨”一些东西了。但是不是叫你伸手说“求程序求资料”然后拿现成的做。这里要的是去思考。你看到了一个想要的东西了,“山寨”它。你看到一个好玩的东西了,“山寨”它。比如我吧,最近我就看到了oled移动电源。不知道的同学去某宝搜一下。看到这个我就把持不住了。真的好想要一个。但是一个100多,好贵。怎么办?当然是“山寨”啦!我身边正好有oled屏,现在正在研究如何实现库伦计。研究好了以后,我就有了一台oled移动电源了。成本预计不超过100。在“山寨”的过程中,不仅能锻炼能力,还能加深印象。
目前就更新到这。之后想到新攻略再更新
好贴。--------人生总是很累,你现在不累,以后会更累。
好人,好帖
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首先那两图是框图(只需要表示出电路或系统中信号与控制的基本关系),而非电路图(须表现电路元器件的具体连接关系)。方框图是利用了输入和输出之间的某种耦合联系起来的,并不一定是一条线。若是磁(变压器)或光耦合,可能一条线都不用。(a)和(b)图中,那一条线并不是表示信号传输,而是表示输入和输出之间有电气连接、没有电隔离。如(a)图,输出侧的受控电流源为Avo·ui,其中Avo和ui分别是传递系数和输入电压,这样就将输入与输出联系起来了。
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我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。SiP封装技术
一文看懂SiP封装技术,入门小白也能看得懂的讲解!
超越摩尔之路&&SiP简介
根据国际半导体路线组织(IT)的定义:SiP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件,形成一个系统或者子系统。
从架构上来讲,SiP是将多种功能芯片,包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能。与SOC(片上系统)相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式,而SOC则是高度集成的芯片产品。
1.1. More Moore VS More than Moore&&SoC与SiP之比较
SiP是超越摩尔定律下的重要实现路径。众所周知的摩尔定律发展到现阶段,何去何从?行业内有两条路径:一是继续按照摩尔定律往下发展,走这条路径的产品有、内存、逻辑器件等,这些产品占整个市场的50%。另外就是超越摩尔定律的More than Moore路线,芯片发展从一味追求功耗下降及性能提升方面,转向更加务实的满足市场的需求。这方面的产品包括了模拟/RF器件,无源器件、器件等,大约占到了剩下的那50%市场。
SoC与SIP是极为相似,两者均将一个包含逻辑组件、内存组件,甚至包含被动组件的系统,整合在一个单位中。SoC是从设计的角度出发,是将系统所需的组件高度集成到一块芯片上。SiP是从封装的立场出发,对不同芯片进行并排或叠加的封装方式,将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件。
从封装发展的角度来看,因电子产品在体积、处理速度或电性特性各方面的需求考量下,SoC曾经被确立为未来电子产品设计的关键与发展方向。但随着近年来SoC生产成本越来越高,频频遭遇技术障碍,造成SoC的发展面临瓶颈,进而使SiP的发展越来越被业界重视。
1.2. SiP&&超越摩尔定律的必然选择路径
摩尔定律确保了芯片性能的不断提升。众所周知,摩尔定律是半导体行业发展的&圣经&。在硅基半导体上,每18个月实现的特征尺寸缩小一半,性能提升一倍。在性能提升的同时,带来成本的下降,这使得半导体厂商有足够的动力去实现半导体特征尺寸的缩小。这其中,处理器芯片和存储芯片是最遵从摩尔定律的两类芯片。以为例,每一代的产品完美地遵循摩尔定律。在芯片层面上,摩尔定律促进了性能的不断往前推进。
SIP是解决系统桎梏的胜负手。把多个半导体芯片和无源器件封装在同一个芯片内,组成一个系统级的芯片,而不再用PCB板来作为承载芯片连接之间的载体,可以解决因为PCB自身的先天不足带来系统性能遇到瓶颈的问题。以处理器和存储芯片举例,因为系统级封装内部走线的密度可以远高于PCB走线密度,从而解决PCB线宽带来的系统瓶颈。举例而言,因为存储器芯片和处理器芯片可以通过穿孔的方式连接在一起,不再受PCB线宽的限制,从而可以实现数据带宽在接口带宽上的提升。
SiP工艺分析
SIP 封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。
2.1.引线键合封装工艺
引线键合封装工艺主要流程如下:
圆片&圆片减薄&圆片切割&芯片粘结&引线键合&等离子清洗&液态密封剂灌封&装配焊料球&回流焊&表面打标&分离&最终检查&测试&包装。
圆片减薄是指从圆片背面采用机械或化学机械(CMP)方式进行研磨,将圆片减薄到适合封装的程度。由于圆片的尺寸越来越大,为了增加圆片的机械强度,防止在加工过程中发生变形、开裂,其厚度也一直在增加。但是随着系统朝轻薄短小的方向发展,芯片封装后模块的厚度变得越来越薄,因此在封装之前一定要将圆片的厚度减薄到可以接受的程度,以满足芯片装配的要求。
圆片减薄后,可以进行划片。较老式的划片机是手动操作的,现在一般的划片机都已实现全自动化。无论是部分划线还是完全分割硅片,目前均采用锯刀,因为它划出的边缘整齐,很少有碎屑和裂口产生。
已切割下来的芯片要贴装到框架的中间焊盘上。焊盘的尺寸要和芯片大小相匹配,若焊盘尺寸太大,则会导致引线跨度太大,在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移现象。贴装的方式可以是用软焊料(指 Pb-Sn 合金,尤其是含 Sn 的合金)、Au-Si 低共熔合金等焊接到基板上,在塑料封装中最常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。
在塑料封装中使用的引线主要是金线,其直径一般为0.025mm~0.032mm。引线的长度常在1.5mm~3mm之间,而弧圈的高度可比芯片所在平面高 0.75mm。
键合技术有热压焊、热超声焊等。这些技术优点是容易形成球形(即焊球技术),并防止金线氧化。为了降低成本,也在研究用其他金属丝,如铝、铜、银、钯等来替代金丝键合。热压焊的条件是两种金属表面紧紧接触,控制时间、温度、压力,使得两种金属发生连接。表面粗糙(不平整)、有氧化层形成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果,降低键合强度。热压焊的温度在 300℃~400℃,时间一般为 40ms(通常,加上寻找键合位置等程序,键合速度是每秒二线)。超声焊的优点是可避免高温,因为它用20kHz~60kHz的超声振动提供焊接所需的能量,所以焊接温度可以降低一些。将热和超声能量同时用于键合,就是所谓的热超声焊。与热压焊相比,热超声焊最大的优点是将键合温度从 350℃降到250℃左右(也有人认为可以用100℃~150℃的条件),这可以大大降低在铝焊盘上形成 Au-Al 金属间化合物的可能性,延长器件寿命,同时降低了电路参数的漂移。在引线键合方面的改进主要是因为需要越来越薄的封装,有些超薄封装的厚度仅有0.4mm 左右。所以引线环(loop)从一般的200 & m~300 & m减小到100&m~125&m,这样引线张力就很大,绷得很紧。另外,在基片上的引线焊盘外围通常有两条环状电源 / 地线,键合时要防止金线与其短路,其最小间隙必须&625 & m,要求键合引线必须具有高的线性度和良好的弧形。
等离子清洗
清洗的重要作用之一是提高膜的附着力,如在Si 衬底上沉积 Au 膜,经 Ar 等离子体处理掉表面的碳氢化合物和其他污染物,明显改善了 Au 的附着力。等离子体处理后的基体表面,会留下一层含氟化物的灰色物质,可用溶液去掉。同时清洗也有利于改善表面黏着性和润湿性。
液态密封剂灌封
将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中,将塑封料的预成型块在预热炉中加热(预热温度在 90℃~95℃之间),然后放进转移成型机的转移罐中。在转移成型活塞的压力之下,塑封料被挤压到浇道中,并经过浇口注入模腔(在整个过程中,模具温度保持在 170℃~175℃左右)。塑封料在模具中快速固化,经过一段时间的保压,使得模块达到一定的硬度,然后用顶杆顶出模块,成型过程就完成了。对于大多数塑封料来说,在模具中保压几分钟后,模块的硬度足可以达到允许顶出的程度,但是聚合物的固化(聚合)并未全部完成。由于材料的聚合度(固化程度)强烈影响材料的玻璃化转变温度及热应力,所以促使材料全部固化以达到一个稳定的状态,对于提高器件可靠性是十分重要的,后固化就是为了提高塑封料的聚合度而必需的工艺步骤,一般后固化条件为 170℃~175℃,2h~4h。
液态密封剂灌封
目前业内采用的植球方法有两种:&锡膏&+&锡球&和&助焊膏&+ &锡球&。&锡膏&+&锡球&植球方法是业界公认的最好标准的植球法,用这种方法植出的球焊接性好、光泽好,熔锡过程不会出现焊球偏置现象,较易控制,具体做法就是先把锡膏印刷到 BGA 的焊盘上,再用植球机或丝网印刷在上面加上一定大小的锡球,这时锡膏起的作用就是粘住锡球,并在加温的时候让锡球的接触面更大,使锡球的受热更快更全面,使锡球熔锡后与焊盘焊接性更好并减少虚焊的可能。
打标就是在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识,包括制造商的信息、国家、器件代码等,主要是为了识别并可跟踪。打码的方法有多种,其中最常用的是印码方法,而它又包括油墨印码和激光印码二种。
为了提高生产效率和节约材料,大多数 SIP 的组装工作都是以阵列组合的方式进行,在完成模塑与测试工序以后进行划分,分割成为单个的器件。划分分割可以采用锯开或者冲压工艺,锯开工艺灵活性比较强,也不需要多少专用工具,冲压工艺则生产效率比较高、成本较低,但是需要使用专门的工具。
2.2.倒装焊工艺
和引线键合工艺相比较倒装焊工艺具有以下几个优点:
(1)倒装焊技术克服了引线键合焊盘中心距极限的问题;
(2)在芯片的电源 /地线分布设计上给电子设计师提供了更多的便利;
(3)通过缩短互联长度,减小 RC 延迟,为高频率、大功率器件提供更完善的信号;
(4)热性能优良,芯片背面可安装散热器;
(5)可靠性高,由于芯片下填料的作用,使封装抗疲劳寿命增强;
(6)便于返修。
以下是倒装焊的工艺流程(与引线键合相同的工序部分不再进行单独说明):圆片&焊盘再分布&圆片减薄、制作凸点&圆片切割&倒装键合、下填充&包封&装配焊料球&回流焊&表面打标&分离&最终检查&测试&包装。
焊盘再分布
为了增加引线间距并满足倒装焊工艺的要求,需要对芯片的引线进行再分布。
焊盘再分布完成之后,需要在芯片上的焊盘添加凸点,焊料凸点制作技术可采用电镀法、化学镀法、蒸发法、置球法和焊膏印刷法。目前仍以电镀法最为广泛,其次是焊膏印刷法。
倒装键合、下填充
在整个芯片键合表面按栅阵形状布置好焊料凸点后,芯片以倒扣方式安装在封装基板上,通过凸点与基板上的焊盘实现电气连接,取代了WB和TAB 在周边布置端子的连接方式。倒装键合完毕后,在芯片与基板间用环氧树脂进行填充,可以减少施加在凸点上的热应力和机械应力,比不进行填充的可靠性提高了1到2个数量级。
SiP&&为应用而生
3.1.主要应用领域
SiP的应用非常广泛,主要包括:无线通讯、汽车电子、医疗电子、计算机、军用电子等。
应用最为广泛的无线通讯领域。SiP在无线通信领域的应用最早,也是应用最为广泛的领域。在无线通讯领域,对于功能传输效率、噪声、体积、重量以及成本等多方面要求越来越高,迫使无线通讯向低成本、便携式、多功能和高性能等方向发展。SiP是理想的解决方案,综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势,降低成本,缩短上市时间,同时克服了SOC中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难度。手机中的射频功放,集成了频功放、功率控制及收发转换开关等功能,完整的在SiP中得到了解决。
3.2.SiP&&为智能手机量身定制
手机轻薄化带来SiP需求增长。手机是SiP封装最大的市场。随着智能手机越做越轻薄,对于SiP的需求自然水涨船高。从,各个品牌的手机厚度都在不断缩减。轻薄化对组装部件的厚度自然有越来越高的要求。以iPhone 6s为例,已大幅缩减PCB的使用量,很多芯片元件都会做到SiP模块里,而到了iPhone8,有可能是苹果第一款全机采用SiP的手机。这意味着,iPhone8一方面可以做得更加轻薄,另一方面会有更多的空间容纳其他功能模块,比如说更强大的摄像头、扬声器,以及电池。
触控芯片。在Iphone6中,触控芯片有两颗,分别由Broom和提供,而在6S中,将这两颗封在了同一个package内,实现了SiP的封装。而未来会进一步将TDDI整个都封装在一起。iPhone6s中展示了新一代的3D Touch技术。触控感应检测可以穿透绝缘材料外壳,通过检测人体手指带来的电压变化,判断出人体手指的触摸动作,从而实现不同的功能。而触控芯片就是要采集接触点的电压值,将这些电极电压信号经过处理转换成坐标信号,并根据坐标信号控制手机做出相应功能的反应,从而实现其控制功能。3D Touch的出现,对触控模组的处理能力和性能提出了更高的要求,其复杂结构要求触控芯片采用SiP组装,触觉反馈功能加强其操作友好性。
指纹识别同样采用了SiP封装。将和控制芯片封装在一起,从iPhone 5开始,就采取了相类似的技术。
快速增长的SiP市场
4.1.市场规模&渗透率迅速提升
SiP市场CAGR=15%。2014年全球SiP产值约为48.43亿美元,较2013年成长12.4%左右;2015年在智慧型手机仍持续成长,以及Apple Watch等穿戴式产品问世下,全球SiP产值估计达到55.33亿美元,较2014年成长14.3%。
2016年,虽然智慧型手机可能逐步迈入成熟期阶段,难有大幅成长的表现,但SiP在应用越趋普及的趋势下,仍可呈现成长趋势,因此,预估2016年全球SiP产值仍将可较2015年成长17.4%,来到64.94亿美元。
我们测算SiP在智能手机市场未来三年内的市场规模。假设SiP的单价每年降价10%,智能手机出货量年增3%。可以看到,SiP在智能手机中的新增市场规模CAGR=192%,非常可观。
4.2.从制造到封测&&逐渐融合的SiP产业链
从产业链的变革、产业格局的变化来看,今后电子产业链将不再只是传统的垂直式链条:终端设备厂商&&IC设计公司&&封测厂商、Foundry厂、IP设计公司,产品的设计将同时调动封装厂商、基板厂商、材料厂、IC设计公司、系统厂商、Foundry厂、器件厂商(如、)、存储大厂(如)等彼此交叉协作,共同实现产业升级。未来系统将带动封装业进一步发展,反之高端封装也将推动系统终端繁荣。未来系统厂商与封装厂的直接对接将会越来越多,而IC设计公司则将可能向IP设计或者直接出售晶圆两个方向去发展。
由于封测厂几乎难以向上游跨足晶圆代工领域,而晶圆代工厂却能基于制程技术优势跨足下游封测代工,尤其是在高阶SiP领域方面;因此,晶圆代工厂跨入SiP封装业务,将与封测厂从单纯上下游合作关系,转向微妙的竞合关系。
封测厂一方面可朝差异化发展以区隔市场,另一方面也可选择与晶圆代工厂进行技术合作,或是以技术授权等方式,搭配封测厂庞大的产能基础进行接单量产,共同扩大市场。此外,晶圆代工厂所发展的高阶异质封装,其部份制程步骤仍须专业封测厂以现有技术协助完成,因此双方仍有合作立基点。
4.3.SiP行业标的
日月光+环旭电子:
全球主要封测大厂中,日月光早在2010年便购并电子代工服务厂(EMS)--环旭电子,以本身封装技术搭配环电在模组设计与系统整合实力,发展SiP技术。使得日月光在SiP技术领域维持领先地位,并能够陆续获得手机大厂苹果的订单,如、处理器、指纹辨识、压力触控、MEMS等模组,为日月光带来后续成长动力。
此外,日月光也与制造大厂华亚科策略联盟,共同发展SiP范畴的TSV 2.5D IC技术;由华亚科提供日月光硅中介层(Silicon Inrposer)的硅晶圆生产制造,结合日月光在高阶封测的制程能力,扩大日月光现有封装产品线。
不仅如此,日月光也与日本基板厂商TDK合作,成立子公司日月阳,生产集成电路内埋式基板,可将更多的感测器与射频元件等晶片整合在尺寸更小的基板上,让SiP电源耗能降低,体积更小,以适应可穿戴装置与物联网的需求。&
日月光今年主要成长动力将来自于SiP,1H2016 SiP营收已近20亿美元,预期未来5-10年,SiP会是公司持续增长的动力。日月光旗下的环旭电子继拿下A公司的穿戴式手表SiP大单之后,也再拿下第二家美系大厂智慧手表SiP订单,预定明年出货。
全球第二大封测厂安靠则是将韩国厂区作为发展SiP的主要基地。除了2013
年加码投资韩国,兴建先进厂房与全球研发中心之外;安靠目前SiP技术主要应用于影像感测器与动作感测器等产品。&安靠Q2 2016财报显示,来自中国中高端智能手机对WLCSP和SiP的需求是公司增长的主要动力。
全球第三大暨台湾第二大封测厂矽品,则是布局IC整合型SiP,以扇出型叠层封装(FO PoP)技术为主,其主要应用于智慧型手机,目前与两岸部分手机芯片大厂合作中,2016年可望正式量产。
由于矽品在模组设计与系统整合方面较为欠缺,因此近期积极寻求与EMS大厂鸿海策略联盟,以结合该公司在模组设计与系统整合能力,让SiP技术领域发展更趋完整。&
长电+星科金朋:
长电是国内少数可以达到国际技术水平的半导体封测企业,2015年携手中芯国际及国家大基金,以7.8亿美元收购新加坡星科金朋,全球排名由第六晋级至第四。公司在SIP封装方面具有一定的技术优势,已成功开发了RF-SIM;Micro SD;;FC-BGA;LGA module等一系列产品。
SiP代表了行业发展方向。芯片发展从一味追求功耗下降及性能提升(摩尔定律),转向更加务实的满足市场的需求(超越摩尔定律),SiP是实现的重要路径。SiP从终端电子产品角度出发,不是一味关注芯片本身的性能/功耗,而是实现整个终端电子产品的轻薄短小、多功能、低功耗,在行动装置与穿戴装置等轻巧型产品兴起后,SiP需求日益显现。
SiP在智能手机里的渗透率在迅速提升。SiP市场的CAGR达到16%,高于智能手机市场7%的CAGR。随着智能手机的轻薄化趋势确定,SiP的渗透率将迅速提升,预计将从现在的10%到2018年的40%。我们强调,要重视智能手机里的任何一个新变化,在达到40%的渗透率之前,都是值得关注的快速成长期。
从行业配置角度看,SiP尚未完全Price in,有成长空间。安靠和日月光在Q2财报中,不约而同给出环比增长的原因之一来自于SiP封装的放量。同时,苹果确定在新机型中使用多颗SiP,而国内厂商尚未开始跟上。我们测算2018年潜在的SiP增量空间为96亿美元,从行业配置角度看,目前SiP的成长尚未被市场充分认识,有足够的上升空间。我们认为,国内的上市公司中,长电科技(收购的星科金朋为A客户提供SiP产品)、环旭电子(Apple watch SiP供应商)将深度受益于SiP行业的发展,推荐关注。
原文标题:一文看懂SiP封装技术
文章出处:【微信号:WW_CGQJS,微信公众号:传感器技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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曾经有消息称苹果正打算在下一代iPhone上同时采用PCB电路板和新的SiP封装技术,现在来自中国台....
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