在直流pn结伏安特性曲线和瞬态pn结伏安特性曲线这两方面，pn结与理想开关相比有哪些差距

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-07-05 04:47 标签： pn结伏安特性曲线
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第二章 PN结
1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA 1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（ ）和（ ）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（
）电荷，N区一侧带（
）电荷。内建电场的方向是从（
）区指向（
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（
），内建电场的最大值就越（
），内建电势Vbi就越（
），反向饱和电流I0就越（
），势垒电容CT就越（
），雪崩击穿电压就越（
5、硅突变结内建电势Vbi可表为（ ），在室温下的典型值为（
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（
），势垒区的势垒高度会（
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（
），势垒区的势垒高度会（
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（ ）。若P型区的掺杂浓度NA 1.5×1017cm-3，外加电压V
0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（ ）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（
）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（
10、PN结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（
）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（
）。每经过一个扩散长度的距离，非
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1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）电荷，N区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向P区，电子向N区]
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），内建电势Vbi就越（大），反向饱和电流I0就越（小）[P20]，势垒电容CT就越（ 大 ），雪崩击穿电压就越（小）。
5、硅突变结内建电势Vbi可表为（）P9，在室温下的典型值为（0.8）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（）P18。若P型区的掺杂浓度，外加电压V
0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（大）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（小）。
10、PN结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边
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