在mos的ge之间并一
断后必须给mos门级放电，
另外你是pwm控制频率较高，估计下拉放电速度也不夠光耦的驱动能力也一般，你在光耦和mos间加一级推挽吧
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如上圖所示VBATT的電壓範圍是9.6-12.75V，負載是12V1A左右的瞬時電流，200-300mA的穩定電流 現在使用這個電路的問題是AO3401和9013總是被擊穿。正常情況下Vgs=10V，可以走12V1-2A沒事，之前有在LED的系統中用過但是這回不知道怎麽總是損壞，而且不定時損壞可能用1-2天，也可能1-2個月目前沒有發現什麽特殊情況！ 自己分析的MOS管原因是：1、買到假貨，2、Vgs的電壓超了 9013的原因：1、功率超了燒毀 請大家幫我看看具體的原因在哪裏 |
即以金属层（M）的栅极隔着氧化層（O）利用电场的效应来控制
半导体（S）的场效应晶体管
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝
点是用栅极电压来控淛漏极电流，
率小开关速度快，工作频率高热稳定性优于
容量小，耐压低一般只适用于功率不超过
当栅极电压为零时漏源极之间就
存在导电沟道，增强型；对于
N（P）沟道器件栅极电压大于
（小于）零时才存在导电沟道，功率
的内部结构和电气符号如图
有一种极性的載流子（多子）参与导电是单极型晶体管。导电
