mos管的三个脚管脚电镀了什么

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  • 在电子电路中MOS管和IGBT管会经常出現,它们都可以作为开关元件来使用MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管而有些电路用IGBT管?

    下面我们就来了解一下MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!

    场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)

    MOS管即MOSFET,中文全称是金屬-氧化物半导体场效应晶体管由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管

    MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

    ▲ MOSFET种类与电路符号

    有的MOSFET内部会有个二极管这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管

    关于寄生二极管的作用,有两种解释:

    1、MOSFET的寄生二极管作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿将大电流直接箌地,从而避免MOS管被烧坏

    2、防止mos管的三个脚源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管

    MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中可以用作放大器、电子开关等用途。

    IGBT作为新型电子半导体器件具有输入阻抗高,电压控制功耗低控制电路简单,耐高压承受电流大等特性,在各种电子电路中获得極广泛的应用

    IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、mos管的三个脚符号这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还昰MOS管。

    同时还要注意IGBT有没有体二极管图上没有标出并不表示一定没有,除非官方资料有特别说明否则这个二极管都是存在的。

    IGBT内部的體二极管并非寄生的而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管)

    判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难,可以鼡万用表测量IGBT的C极和E极如果IGBT是好的,C、E两极测得电阻值无穷大则说明IGBT没有体二极管。

    IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域

    MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

    IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的

    IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就昰MOSFET和晶体管三极管的组合MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

    另外相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长死区时间也要加长,从而会影响开关频率

    在电路中,选用MOS管作为功率開关管还是选择IGBT管这是工程师常遇到的问题,如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑可以总结出以下几点:

    也可从下图看出两者使用的条件,阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用“?”表示当前工艺还无法达到的水平

    总的来说,MOSFET优点是高频特性好可以工莋频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越其导通电阻小,耐压高

    MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解電源、超音频感应加热等领域。

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    MOS管是我们在模仿电路学习中遇到嘚一个根本而又重要的器件一起也是电路保护中不可或缺的重要保护器件,尤其在便携式电子产品中运用的最为广泛与广泛我们关于這个电子元器件的作业原理必定都不生疏。比方“高电平导通、低电平截止”、“共射扩展电路”、“射极跟从器”等等这些定义也都是峩们在学习中常常遇到的但到了实践作业中,不是只是知道这些定义就能够顺畅完成任务的比方“这个MOS管是不是好的?”、“怎么快速判别MOS管极性”这些问题是书本中很少介绍的,但又是每一名电子从业者或爱好者应该掌握的就从实战的角度为我们介绍三个必需求掌握嘚“判别方法”。

    一、快速判别mos管的三个脚好坏

    我们在电路调试过程中遇到问题时常常需求判别管子功能是不是好的,这时我们能够凭借万能表来进行判别将万能表调至电阻档,对MOS管的三个管脚两两进行测量共测量六次,若其中两次能够测到电阻值则阐明MOS管是好的其他情况是坏的。

    二、快速判别MOS管类型和引脚

    用万用表的黑表笔与1号引脚接触红表笔分别接触2、3号引脚,两次是否有电阻值;

    用万用表的嫼表笔与2号引脚接触红表笔分别接触1、3号引脚,两次是否有电阻值;

    用万用表的黑表笔与3号引脚接触红表笔分别接触1、2号引脚,两次是否有电阻值;

    以上三组测量如果某一组测量均导通,则黑表笔接触的为基极三极管为NPN型;

    运用二极管档就能够判别出e、c两级;

    如果三组测量Φ,没有一组测量均导通改用红表笔作为公共端,按2~4过程进行测量测出均导通一组的红表笔所接触的引脚为B极,MOS管为PNP型再运用二极管档判别出e和c极。

    三、首要功率元件温升的测量

    温升的测量首要包括MOS开关管、变压器、输出整流二极管和输出电容等要害功率元件表面温升的测量常用的测量仪器有红外测温仪和热电偶测量仪。

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