米勒高原地区的高电流驱动能力為±4 A
即使在低电源电压下也能有效地获得恒定电流
TTL/CMOS兼容输入与电源电压无关
在1.8 nF负载下,20 ns典型上升时间和15 ns典型下降时间
输入下降时的典型傳播延迟时间为25 ns输入上升时的典型传播延迟时间为35 ns
双输出并联,驱动电流更高
采用双极和CMOS晶体管并联的TrueDrive?输出架构
ucc2732x和ucc3732x系列高速双mosfet驱动器姠电容性负载提供大峰值电流提供三种标准逻辑选项-双反转、双非反转、一个反转和一个非反转驱动程序。热增强的8针PowerPad MSOP封装(DGN)显著降低了热阻提高了长期可靠性。ucc2732x和ucc3732x也在标准soic-8(d)或pdip-8(p)封装中提供
这些驱动器采用了一种固有的最小击穿电流设计,在mosfet开关转换过程中在miller平台区域提供了最需要的4a电流。一个独特的双极和mosfet混合输出级并联也允许在低电源电压下有效的电流源和下沉
ucc2732x和ucc3732x系列高速双mosfet驱动器鈳以向电容性负载提供大峰值电流。提供三种标准逻辑选项:双反转、双非反转和一个反转和一个非反转驱动器这些驱动器采用了一种凅有的最小穿透电流的设计,在mosfet开关转换过程中在miller平台区域,在最需要4a电流的地方提供4a电流一个独特的双极和mosfet混合输出级并联也允许茬低电源电压下有效的电流源和下沉。
在整个vdd电压范围内输入阈值具有3.3v的逻辑灵敏度;但它与0v到vdd信号同样兼容。
ucc2732x和ucc3732x系列驱动器的输入端被设计成能够承受500毫安的反向电流而不会对集成电路造成任何损坏。每个驱动器的输入级必须由具有短上升或下降时间的信号驱动该條件在典型的电源应用中得到满足,其中输入信号由具有快速转换时间(<200ns)的pwm控制器或逻辑门提供驱动器的输入级起到数字门的作用,並且不用于当达到输入部分的逻辑阈值时使用缓慢变化的输入电压来产生开关输出的应用虽然这可能不会对驱动器有害,但驱动器的输絀可能会以高频反复切换
用户不应试图改变驱动器的输入信号,以降低(或延迟)输出信号的速度如果需要功率器件的有限上升或下降时间,则可以在驱动器的输出和负载器件(通常是功率mosfet栅极)之间添加外部电阻如中所述,外部电阻器也有助于消除设备包的功耗(請参见热的注意事项)
重要的是输入信号的两个通道,ina和inb具有逻辑兼容的阈值和滞后。如果不使用INA和INB必须绑定到VDD或GND;它不能保持浮動。
每个输出级都能向vdd和gnd提供±4-a的峰值电流脉冲和振荡驱动器的上拉和下拉电路由双极晶体管和mosfet晶体管并联构成。峰值输出电流额定值昰来自双极晶体管和mosfet晶体管的组合电流当驱动器输出上的电压小于双极晶体管的饱和电压时,输出电阻是mosfet晶体管的rds(on)由于外部mosfet的体②极管,每个输出级还提供非常低的过冲和过冲阻抗
这意味着在许多情况下,不需要外部肖特基钳位二极管系列提供4a栅极驱动,在miller高原地区的mosfet开关转换过程中最需要它从而提高效率。一个独特的双极和mosfet混合输出级并联也允许在低电源电压下有效的电流源
当vdd电源在4.5v到15vの间时,输出级取决于hi和li管脚的状态
高频电源通常需要高速、大电流驱动程序如uccx732x系列。在控制ic的pwm输出和主功率mosfet或igbt开关器件的栅极之间需偠一个大功率缓冲级在其他情况下,驱动ic用于通过驱动变压器驱动功率器件栅极同步整流电源也需要同时驱动多个设备,这些设备给控制电路带来极大的负载
当主pwm调节器ic由于一个或多个原因不能直接驱动开关器件时,使用驱动icpwmic不具备预期开关mosfet所需的强力驱动能力,限制了应用中的开关性能在其他情况下,可能希望通过将大电流驱动器放置在接近负载的物理位置来最小化高频开关噪声的影响此外,以最高工作频率为目标的新型集成电路根本不包含板载门驱动器它们的pwm输出仅用于驱动到驱动器(如uccx732x)的高阻抗输入。最后控制ic由於功率耗散而受到热应力,外部驱动器通过将热量从控制器转移到外部封装来提供帮助
为了从uccx732x系列中选择合适的设备,ti建议首先检查输絀的适当逻辑UCCx7323具有双反转输出;UCCx7324具有双非反转输出;UCCx7325具有反转通道A和非反转通道B。此外必须首先评估一些设计考虑因素,以便做出最匼适的选择其中包括vdd、驱动电流和功耗。
米勒高原期间的源/汇能力
大功率mosfet给控制电路带来很大的负载高效、可靠的操作需要适当的驱動。uccx732x驱动器已经过优化在开关转换的miller平台区域为功率mosfet提供最大的驱动。当漏极电压在电源拓扑所规定的电压水平之间摆动时发生该间隔,要求用驱动装置提供或移除的电流对漏极栅极电容进行充电/放电[1]
两个电路用于测试uccx732x驱动程序的当前性能。在每种情况下外部电路被添加到钳位输出接近5伏,而IC是下沉或源电流250 ns的输入脉冲以1 kHz的频率施加在相应试验的适当极性上。在每次测试中都有一个瞬态,电流達到峰值然后稳定到稳态值。所记录的电流测量是在施加输入脉冲后200 ns的时间进行的在初始瞬态之后
第一个电路用于验证驱动器输出钳淛在5V左右时的电流吸收能力,这是Miller平台区域的典型门源电压值发现UCCX7323在VDD=15V时下沉4.5A,在VDD=12V时下沉4.28A
电路用于测试电流源的能力,输出钳制在5V左右使用一组齐纳二极管。UCCx7323的电压源为4.8A(VDD=15V)和3.7A(VDD=12V)
通过将ina/inb输入尽可能靠近ic连接在一起,a和b驱动器可以组合成单个驱动器并且如果不使用外部栅极驱动电阻器,则outa/outb输出连接在一起在使用外部栅极驱动电阻器的某些情况下,ti建议电阻器可以在outa和outb中分别平均分配以减少寄生電感在两个通道之间引起的不平衡
UCCx7323/4并联两个通道的重要考虑因素包括:1)INA和INB应在PCB布局中尽可能靠近设备的地方短路,对于OUTA和OUTB在这种情况丅,可以将两个通道之间的PCB布局寄生不匹配降到最低2)INA/B输入斜率信号应足够快,以避免通道A和通道B之间的车辆识别号H/车辆识别号L、TD1/TD2不匹配TI建议输入信号斜率大于20 V/US。
尽管静态vdd电流很低但总电源电流将更高,这取决于outa和outb电流以及编程振荡器频率总VDD电流是静态VDD电流和平均輸出电流之和。在知道工作频率和mosfet栅电荷(qg)的情况下平均输出电流可以用公式1计算。
为了获得最佳的高速电路性能建议使用两个VDD旁蕗电容器来防止噪声问题。强烈建议使用表面安装组件0.1微米的陶瓷电容器应位于离VDD接地连接最近的位置。此外应并联一个具有相对较低esr的较大电容器(例如1μf及以上),以帮助将高电流峰值传递给负载在驱动器应用中,电容器的并联组合应呈现预期电流水平的低阻抗特性驱动器电流和功率要求
uccx732x系列驱动器能够向mosfet栅极提供4a的电流,持续几十纳秒需要高峰值电流才能快速打开设备。然后要关闭设备,需要驱动器将类似数量的电流接地这在电源设备的工作频率上重复。本讨论使用mosfet是因为它是高频功率转换设备中最常用的开关器件
驅动功率mosfet和其他电容性输入开关器件所需的电流。参考文献[2]包括关于上一代双极ic栅极驱动器的信息
当一个驱动芯片在一个离散的电容负載下进行测试时,计算偏置电源所需的功率是一件相当简单的事情必须从偏压电源转移到电容器充电的能量由方程式2给出。e=CV2
V是为驱动器供电的偏压(2)
当电容器放电时有等量的能量转移到地上。这将导致方程式3给出的功率损失P= CV2×F
其中f是开关频率(3)
这种能量在电路嘚电阻元件中消散。因此在驱动器和栅极之间没有外部电阻,这种功率在驱动器内部耗散总功率的一半在电容器充电时消散,另一半茬电容器放电时消散使用上一个栅极驱动波形的条件的实际例子应该有助于澄清这一点。
对于12 V电源这等于电流(见方程式5):
从电源測得的实际电流为0.037a,与预测值非常接近但是,由于集成电路内部消耗而产生的idd电流应该被考虑无负载时,集成电路的电流消耗为0.0027A在這种情况下,输出上升和下降的时间比负载时快由于驱动器输出级的交叉传导,这可能导致几乎不重要但可测量的电流然而,这些微尛的电流差异隐藏在高频开关尖峰中超出了基本实验室装置的测量能力。在10nF负载下测得的电流与预期值相当接近
功率mosfet产生的开关负载鈳以通过检测开关器件所需的栅极电荷而转换成等效电容。这种栅极电荷包括输入电容加上在开关状态之间摆动器件漏极所需的附加电荷嘚影响大多数制造商提供的规范提供了在规定条件下开关设备的典型和最大栅极电荷(NC)。使用栅极电荷qg可以确定电容器充电时必须消耗的功率。这是通过使用等效qg=ceff×v来实现的以提供关于功率的方程式6:
方程6允许功率设计者计算在特定偏置电压和特定开关频率下驱动特定mosfet栅极所需的偏置功率。
一个驱动器(8针集成电路的一半)驱动10nF负载时可以实现的电路性能输入脉冲宽度(未显示)设置为300 ns,以显示輸出波形中的两个跃迁注意开关波形的线性上升和下降边缘,这是由于驱动器的恒定输出电流特性而不是传统的基于mosfet的栅极驱动器的電阻输出阻抗。
驱动器的源电流和源电流取决于vdd值和输出电容负载vdd值越大,电流容量越大;同时容性负载越大,电流汇源容量越大
哏踪电阻和电感,包括用于测试的电线和电缆会减慢输出的上升和下降时间;从而降低驱动器的电流能力。
为了获得更高的电流结果盡可能降低电路板上的电阻和电感,增加电容负载值以消除电感值的影响。
UCCX732X的建议偏压电源电压范围为4.5 V至15 V该范围的上限由VDD的16 V绝对最大電压额定值驱动。ti建议保持适当的裕度以允许瞬态电压峰值。
必须在VDD和GND引脚之间放置一个本地旁路电容器这个电容器必须尽可能靠近設备。建议使用低esr陶瓷表面贴装电容器TI建议在VDD和GND之间使用两个电容器:一个100 nF的陶瓷表面贴装电容器,用于高频滤波放置在非常靠近VDD和GND引脚的位置,另一个220 nF至10μF的表面贴装电容器用于IC偏置要求。
在电路板布局过程中没有适当的考虑,就无法获得高、低边栅极驱动器的朂佳性能强调以下几点:
1)低ESR/ESL电容器必须连接在VDD和GND管脚之间的IC附近,以支持外部MOSFET开启期间从VDD引出的高峰值电流
设计接地连接的首要任務是将对mosfet栅极进行充放电的峰值电流限制在最小的物理面积内。这将减少回路电感并将mosfet栅极端子上的噪声问题降到最低。栅极驱动器必須尽可能靠近mosfet
星点接地是减小电流环与电流环之间噪声耦合的好方法。驱动器的接地与功率mosfet的电源、pwm控制器的接地等其它电路节点一点接地连接路径必须尽可能短以减少电感,并尽可能宽以减少电阻
使用地平面提供隔音罩。在输出端的快速上升和下降时间可能会在转換过程中损坏输入信号接地平面不得是任何电流回路的传导路径。相反地地平面必须用一个单一的轨迹连接到星点以建立地电位。除叻隔音外地平面还有助于散热。
3)在噪声环境中可能需要使用短记录道将UCC2742X设备的未使用信道的输入连接到VDD或GND,以确保启用输出并防止噪声导致输出故障
4)分离电源线和信号线,如输出和输入信号
驱动器的使用范围受负载的驱动功率要求和集成电路封装的热特性的影響很大。为了使功率驱动器在特定的温度范围内发挥作用封装必须能够有效地去除产生的热量,同时将结温保持在额定范围内uccx732x驱动程序系列有三个不同的软件包,可满足一系列应用需求
powerpad-8(dgn)封装通过提供一种有效的方法来消除半导体结的热量,从而大大减轻了这种担憂如参考文献[3]所示,powerpad封装提供暴露在封装底部的引线框架模架该焊盘直接焊接到IC封装正下方PC板上的铜上,将θ降低至4.7°C/W参考文献[3]中提供的数据表明,与标准封装相比在PowerPad配置中,功耗可以增加四倍如参考文献[4]所述,PC板必须设计有散热片和散热孔以完成散热子系统。这种设计使得散热性能比d或p封装的散热性能有了显著的改善并且显示出d和p封装的功率性能提高了一倍以上。
您需要 才可以下载或查看没有帳号? CAN总线具有6个特点:1:多主控制(挂接在总线上的所有设备均可以成为主设备并且设备ID是用来决定设备的优先级,没有设备地址概念)2:系统若软性(没有设备地址概念),3、通讯速度较快通讯距离较远(1Mbps下40M,5kbps下10KM)4、具有错误检测、错误通知(通知其他设备)和错误恢复功能(强淛结束发送,重复发送接收错误的信息),5、故障封闭当总线上的设备发生连续故障错误时,CAN控制器会把改控制器踢出总线6、连接节點多。理论上可以无限制加载但是受到时间延迟和电气负载的限制,实际数目是有限制的降低传输速度可以适当增加可挂接负载个数。/ 触摸屏一般分为电阻式触摸屏和电容式触摸屏前者检测触摸的位置原理是利用触摸屏控制器中的A/D转换器经过两次A/D读值后得出X和Y的坐标徝。注意:这个X和Y的值是相对于触摸屏的而非LCD屏。所以在这里需要注意两个概念:触摸屏和LCD屏这是两个不同的概念,也是两个不同的粅理结构其中电阻触摸屏是由上下两个导电层中间夹着一层非常薄的透明隔层;而LCD就是指显示屏。# 119、 电阻触摸屏有X和Y、X和Y的比例因子、坐标轴方向、偏移量LCD也有自己的这些参数。两者完全不相干所以在定位的时候需要进行坐标转换。公式:! q% |8 M: g) _1 w O6 ^) g' P! H3 | @" c; @ 通过对屏幕的四个点進行校准得到四元一次方程,求解即可 1 y- X: m. z% @7 R 120、 NEC协议的数据帧格式:同步码头、地址码、地址反码、控制码、控制反码。同步码由一个9ms嘚低电平和一个4.5ms的高电平组成地址码、地址反码、控制码、控制反码均是8位数据格式。按照低位在前高位在后的顺序发送。- Q3 P2 C' U- `( e$ y8 r% D 121、 NEC协議在发送的时候会有560us的38KHz的载波信号,而在接收的时候这部分载波信号被认定为低电平而剩余的(2.25ms-650us)的逻辑“1”和(1.12ms-650us)的逻辑“0”时间则被认定為高电平。 ' ?& G1 Y c H! J& F 122、 在单位时间内的位移被定义为速度速度有线速度和角速度之分,分别对应两种传感器测量这两种不同的速度:线速度傳感器(加速度计)、角速度传感器(陀螺仪)前者多应用在静态或者低慢速运动中的姿态求解,后者多应用在动态运动中姿态求解# Z& O" x, 123、 根據标准约定,零加速度(或零 G 准位)通常定义为相当于最大输出值(12 位输出为 409610 位输出为 1024 等)一半的输出。对于提供 12 位输出的加速度计零 G 准位将等于 2048。输出大于 2048 表示正加速度输出小于 2048 表示负加速度。加速度的数量通常用单位 g (1g = 9.8m/s2 = 重力加速度)表示通过确定测量的输出与零 加速度计测嘚的加速度的方向和设备设定的坐标系是相反的,因为原理表明在测量力的时候采用的是非惯性系参考系而我们高中时代研究的坐标系昰惯性系参考系,前者在物体进行运动产生加速度时假想一个与速度方向相反的力作用在物体上,这个力就是惯性力;后者我们说不存在慣性力只说存在惯性,因为在惯性坐标系中我们研究的是物体,而非坐标系(即假定坐标系相对地球静止)当我们把坐标系也考虑在内時,当坐标系运动就产生了惯性力f,这种力作用会假想作用在物体上只是与运动方向相反。 126、 NRF24L01工作在2.4GHz的频段由于频段频率较高,所以传输速率较快为2Mbps STM32的模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器3个部分构成。主存储器用来存放代码和const常量;信息块由两个蔀分组成:启动程序代码、用户选择字节其中启动程序代码为ST公司自带的启动程序,用于串口下载最后的闪存存储器接口寄存器用于控制整个对闪存区域的操作。 & E8 ~. N, x9 j 128、 CPU的运行速度比FLASH的操作速度快的多一般FLASH的最快访问速度≤24Mhz。如果CPU的速度超过这个频率那么在读取FLASH的時候必须加入等待时间(FLASH_ACR设置) 要显示汉字,采用的方式如果用点阵的形式是不可取的因为这无法查找汉字。采用的方式就是内码系统GBK标准中,一个汉字对应2个字节:前者称为区(0x81~0xFE)后者为(0x40~0x7E)和(0x80~0xFE)前者有126个区,后者有190那么可以显示的汉字数量有126*190=23940个。根据这两个值用来查找字库芓库中存放的还是每个汉字的点阵数据。这个字库非常大如果是16*16的字体,那么一个字体就需要32个字节如此说来需要K的空间,可见非常夶所以需要外部的Flash来存储这个字库。0 由于汉字内码系统不具有国际通用性但是Unicode几乎把所有的语言都放置进来,这样在单片机的引脚中操作汉字时就需要将GBK和Unicode转化。尤其是在FATFS中创建中文文件名和读取中文文件信息时需要将Unicode换转为GBK后再进行修改操作,再反转换成Unicode保存修妀这么说,两者的存在是由于标准的不统一并且Unicode中只有6064个汉字,而GBK显然是一种汉字扩展, |