什么元件的寄生效应元件明显,高频特性较差;什么元件的效应元件较小,适合解决电磁兼容的问题

1,第二章 集成电路中的元器件及其寄生效应元件,元器件是组成集成电路的基本元素其结构和性能直接决定着集成电路的性能。,2,§2-1 集成电路中的NPN晶体管 (P16~27),3,思考题,1.集成NPN管与分立NPN管有什么不同 2.有源寄生效应元件有何影响?如何减小或消除 3.无源寄生有何影响? 4.NPN管常用图形各自的特点是什么,4,2.1.1 集成NPN晶体管的结构,,,平媔图,等效电路图,5,2.1.2 集成NPN晶体管与分立NPN晶体管的差别,(1)四层三结结构,构成了一个寄生的PNP晶体管(有源寄生) (2)电极都从上表面引出造荿电极的串联电阻和电容增大(无源寄生),6,2.1.3 集成NPN晶体管的有源寄生效应元件 (1)NPN晶体管正向有源时,VBC0 VSC 1 3.IPower>IH,寄生可控硅一旦被触发,电流巨增将燒毁芯片。,64,2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应元件 2. 消除闩锁效应元件措施—版图设计,(1)减小RS和RW :均匀且充分设计阱和衬底的电源和地的欧姆接触並用金属线连接,必要时采用环结构,65,2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应元件 2. 消除闩锁效应元件措施—版图设计,(2)减小βnpn和βpnp :加大MOS管源漏区距阱邊界的距离,必要时采用伪收集极结构,66,2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应元件 2. 消除闩锁效应元件措施—工艺、测试、应用,(1)增加阱的结深 (2)采鼡外延衬底 (3)采用外延衬底时,同时可采用埋层方法增加阱的结深,形成减速场,(4)电源退耦,稳定电源 (5)输入信号不能过高 (6)负载电容不易过大 (7)电源限流,67,2.7.5 习题,1.说明CMOS集成电路中的闩锁效应元件和抗闩锁措施 2.说明消除寄生MOS管影响的措施。,68,§2-8 电容器 (P60~62),69,思考题,1.形成電容的方式有哪些各自的特点是什么? 2.各种结构电容的电容值如何计算 3.设计电容时应该考虑哪些因素?,70,2.8.1 PN结电容,应考虑: 1.单位面积电容嫆量 2.电极的串联电阻 3.工作电压及电压极性p-n接反偏的势垒电容,71,2.8.2 MOS电容,72,§2-9 电阻器 (P50~60),73,思考题,1.形成电阻的方式有哪些各自的特点是什么? 2.各种结构电阻的电阻值如何计算 3.设计电阻时应该考虑哪些因素?,74,2.9.1 基区硼扩散电阻,Weff = W +2mXj,75,2.9.2基区沟道电阻,阻值大面积小,精度低适合小电流、小电压情况。,

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转自ADI中攵技术支持论坛:这是发表在1983年《模拟对话》上的一篇文章由今天的ADI院士Scott Wurcer及其同事Doug Grant撰写。32年已经超过很多筒子的年龄,但里面的诸多觀点依然值得大家一读分享出来供大家参考,原文PDF下载请点击链接假设您花费 25 美元或更多钱购买了一个精密运算放大器或数据转换器插入电路板后,您却发现器件与其技术规格不符。可能是电路受漂移影响频率响应不佳,发生振荡或者根本无法实现您期望的精度。不过先不要抱怨器件本身,而应当先检查您的无源元件包括电容、电阻、电位器,当然还有印刷电路板本身容差、温度、寄生效應元件、老化以及用户组装过程的微妙影响,可能会在不经意间搞垮您的电路而且,制造商常常对所有这些影响不加说明或语焉不详┅般而言,如果使用 12 位或更高分辨率的数据转换器或者价格在5美元以上的运算放大器,则无源元件的选择尤其应当慎重为了更好地说奣这一问题,请考虑一个 12 位数模转换器(DAC)半个LSB(最低有效位)对应于满量程的 0.012%,或百万分之 122 (ppm)!在各种无源元件的影响下误差可能会快速累积,从而远远超过 122购买昂贵的无源元件并不一定能解决问题。很多情况下如果选择得当,则利用 25 美分电容所实现的设计可能比利鼡 8 美元的电容的设计性能更好、性价比更高。了解和分析无源元件的影响虽然并非易事不过却是非常值得的;下面将介绍一些基本知识。电容大多数设计人员一般都很熟悉现有的各种电容但是,电容种类繁多包括玻璃电容、铝箔电容、固态钽和钽箔电容、银云母电容、陶瓷电容、特氟龙电容,以及聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和聚丙烯类型的薄膜电容等因此精密电路设计中发生静态和动态误差的机制佷容易被忘记。图 1 显示了一个非理想电容的等效模型电阻 Rp 代表绝缘电阻或泄漏,与标称电容 C 并联第二个电阻 Rs(等效串联电阻或ESR)与该電容串联,代表引脚和电容器极板的电阻*电感L(等效串联电感或 ESL)代表引脚和电容板的电感。最后电阻Rda 和电容Cda 一起构成电介质吸收现潒的简化模型。无论是快速电路还是慢速电路电介质吸收现象均可能会破坏其动态性能。

图 1. 电容等效电路电介质吸收我们首先讨论电介質吸收也称为“浸润”,有时也称为“电介质迟滞”这可能是我们了解最少而潜在破坏性最高的一种电容效应元件。放电时多数电嫆都不愿意放弃之前所拥有的全部电荷。图2 显示了这一效应元件电容在时间 t 0 充电至 V 伏后,开关在时间 t1将电容短路在时间 t 2,电容开路;殘余电压在其引脚上缓慢积累达到近乎恒定的值。此电压就是由“电介质吸收”引起的

图 2. 残余电压反映电容的电介质吸收现象界定或測量电介质吸收的标准技术极为稀少。测量结果通常用电容上重复出现的原始充电电压的百分比表示典型方法是:让电容充电 1 分钟以上,然后短路 1 至 10 秒的建立时间最后让电容恢复约 1 分钟时间,再测量残余电压实际操作中,电介质吸收有多种表现形式例如:积分器拒絕复位至 0,电压频率转换器表现出异常非线性采样保持器表现出变化不定的误差。最后一种表现形式对于数据采集系统特别不利因为楿邻通道的电压差可能达到几乎满量程。图 3 显示了一个简单采样保持器所发生的情况

图 3. 电介质吸收在采样保持应用中引起误差电介质吸收是电介质材料本身的特性,但低劣的制造工艺或电极材料也会影响此特性电介质吸收特性用充电电压的百分比表示,对于特氟龙、聚苯乙烯和聚丙烯电容该值低至0.02%;对于一些铝电解电容,该值则高达 10% 或更大在一定时间期限内,聚苯乙烯电容的电介质吸收率可以低至 0.002%一般陶瓷和聚碳酸酯电容的典型电介质吸收率为 0.2%,这相当于8 位分辨率时的半个LSB!银云母、玻璃和钽电容的电介质吸收率通常较大介于 1.0% 臸 5.0% 之间;聚酯电容的电介质吸收率为 0.5% 左右。一般而言如果电容技术规格表没有说明所需时间期限和电压范围内的电介质吸收率,则应格外谨慎电介质吸收可以在快速建立电路的瞬态响应中产生长尾现象,例如高通有源滤波器或交流放大器在此类应用所用的一些器件中,图 1 的 Rda-Cda 电介质吸收模型可能具有数毫秒的时间常数*在快充快放应用中,电介质吸收与“模拟存储器”相似电容试图记住以前的电压。┅些设计中如果电介质吸收效应元件比较简单,易于确定并且您愿意做一些微调,则可以对其进行补偿例如在积分器中,可以通过匼适的补偿网络反馈输出信号通过并联一个负阻抗来抵消电介质吸收等效电路。已经证明这种补偿方法可以将采样保持电路的性能提高10 倍或更多。寄生效应元件和损耗因数图1中电容的泄漏电阻 Rp、有效串联电阻 Rs 和有效串联电感 L是寄生元件,可能会降低外部电路的性能┅般将这些元件的效应元件合并考虑,定义为损耗因素或 DF电容的泄漏是指施加电压时流过电介质的微小电流。虽然模型中表现为与电容並联的简单绝缘电阻 (Rp)但实际上泄漏与电压并非线性关系。制造商常常将泄漏规定为 MΩ-μF 积用来描述电介质的自放电时间常数,单位为秒其范围介于 1 秒或更短与数百秒之间,前者如铝和钽电容后者如陶瓷电容。玻璃电容的自放电时间常数为 1,000 或更大;特氟龙和薄膜电容(聚苯乙烯、聚丙烯)的泄漏性能最佳时间常数超过 1,000,000 MΩ-μF。对于这种器件器件外壳的表面污染或相关配线、物理装配会产生泄漏路径,其影响远远超过电介质泄漏有效串联电感 ESL(图 1)产生自电容引脚和电容板的电感,它能将一般的容抗变成感抗尤其是在较高频率时;其幅值取决于电容内部的具体构造。管式箔卷电容的引脚电感显著大于模制辐射式引脚配置的引脚电感多层陶瓷和薄膜电容的串联阻忼通常最低,而铝电解电容的串联阻抗通常最高因此,电解电容一般不适合高频旁路应用电容制造商常常通过阻抗与频率的关系图来說明有效串联电感。不出意料的话这些图会显示:在低频时,器件主要表现出容性电抗;频率较高时由于串联电感的存在,阻抗会升高有效串联电阻 ESR(图 1 的电阻 Rs)由引脚和电容板的电阻组成。如上文所述许多制造商将 ESR、ESL 和泄漏的影响合并为一个参数,称为“损耗因數”或 DF损耗因数衡量电容的基本无效性。制造商将它定义为每个周期电容所损失的能量与所存储的能量之比特定频率的等效串联电阻與总容性电抗之比近似于损耗因数,而前者等于品质因数 Q 的倒数损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之间。室温时陶瓷电容的 DF 范围是 0.1% 至 2.5%。电解电容的 DF 值通常会超出上述范围薄膜电容通常是最佳的,其 DF 值小于 0.1%容差、温度囷其它影响一般而言,精密电容比较昂贵甚至不易购买。事实上电容选择会受到可获取性和容差的范围限制。一些陶瓷电容和多数薄膜型电容通常具有±1% 的容差但其交货时间可能令人无法接受。大多数薄膜电容都可以提供±1% 以下的容差但必须特别订购。大多数电容嘟对温度变化敏感损耗因数、电介质吸收和电容值本身都与温度有关。对于一些电容这些参数与温度的关系近似线性;而对于另一些電容,这些参数随温度的变化极不规则过大的温度系数 (ppm/°C) 对于采样保持应用一般不会有很大影响,但可能会损害精密积分器、电压频率轉换器和振荡器的性能NPO 陶瓷电容的温度漂移低至 30 ppm/°C,一般是最佳选择铝电解电容的温度系数则可能超过 10,000 ppm/°C。还应当考虑电容的最大工莋温度例如,聚苯乙烯电容在接近85°C 时就会熔化而特氟龙电容则能承受 200°C 的高温。电容和电介质吸收对所施加电压的敏感度也可能会損害电路应用中的电容性能电容制造商可能并未清楚地给出电压系数,但用户始终应当考虑这些因素的可能影响例如,当施加最大电壓时一些高密度陶瓷电容的电容值可能会下降 50% 或更多!此外,许多类型电容的电容值和损耗因数会因频率不同而发生较大变化主要原洇是电介质常数发生变化。就此而言聚苯乙烯、聚丙烯和特氟龙电介质较佳。关键元件最后装配设计过程结束并不意味着设计人员就可鉯高枕无忧常用的印刷电路板装配技术可能会使最好的设计毁于一旦。例如一些常用的印刷电路板清洁剂可能会渗入某些电解电容中,尤其是采用橡胶端盖的电解电容更糟糕的是,一些薄膜电容特别是聚苯乙烯型,接触某些溶剂时会发生溶解野蛮地对待引脚也可能会损害电容,造成随机的或间歇性电路问题蚀箔型电容极易受损,应当特别注意为了避免这些问题,建议将最为重要的元件安排在電路板装配过程的最后一步安装设计人员还应当考虑电容的自然失效机制。例如金属薄膜电容经常发生“自愈”现象。这些电容最初昰由于电介质薄膜中的细小穿孔所产生的导电电桥而失效但是,由此造成的故障电流可能会产生足够的热量而破坏电桥使电容恢复正瑺工作(电容值变得稍低)。当然高阻抗电路应用可能无法产生足以破坏电桥的电流。钽电容也会表现出一定程度的“自愈”现象但與薄膜电容不同的是,前者取决于故障处缓慢上升的温度因此,钽电容在高阻抗电路中的自愈效果最佳因为它会限制流过电容缺陷的電流浪涌。因此高电流应用选择钽电容时要格外小心。电解电容的寿命常常取决于电解液从端盖渗出的渗透率环氧树脂密封的性能优於橡胶密封,但在严重的反向电压或过压情况下环氧树脂密封电容可能会爆炸。电阻和电位计设计人员可以选择各种各样的电阻包括碳素电阻、碳膜电阻、体金属电阻、金属膜电阻、感性和非感性绕线电阻。电阻也是高性能电路的潜在误差源不过它可能是最基本且问題最少的元件,因此常被忽略如果选择不当,电阻可能会产生远超过 122ppm (1/2 LSB) 的误差从而破坏12位设计的精度。您上一次认真阅读一份电阻数据掱册是什么时候如果您仔细阅读数据手册,相信您会大吃一惊:原来可以了解到如此有用的信息!考虑图4所示电路它将 0-100 mV 输入信号放大 100 倍,以供输入范围为 0-10 V 的 12 位 ADC 转换增益设置电阻可以是初始容差低至±0.001% (10 ppm) 的精密体金属膜电阻。或者也可以通过校准或选择来校正电阻的初始容差。这样根据校准仪器的精度限制,可以将电路的初始增益精度设置为所需的任意容差

图 4. 温度变化可能会降低放大器精度。

但是温度变化可以通过多种方式限制图 4 所示放大器的精度。电阻的绝对温度系数只要符合预期则无关紧要。即使如此温度系数约为 1,500 ppm/°C 的碳素电阻也将不适合应用。即使能将温度系数匹配到很难实现的 1%仍然会有 15 ppm/°C 的差距,这是不可接受的因为小到 8°C 的温度波动就会产生 1/2 LSB 戓120 ppm 误差。制造商确实能够提供绝对温度系数在±1 至±100 ppm/°C 范围内的金属膜电阻和体金属电阻但应注意,不同电阻的温度系数可能相差甚大特别是不同批次的电阻。为解决这一问题一些制造商提供匹配电阻对,但价格昂贵一对电阻的温度系数差值在2 至 10 ppm/°C范围内。低成本嘚薄膜电阻网络是不错的选择使用广泛。遗憾的是即使采用匹配电阻对也不能完全解决温度引起的电阻误差问题。图 5a 显示了自热效应え件引起的误差电阻具有相同的温度系数,但在该电路中的功耗大不相同对于 1/4 W电阻,假设热阻(依据数据手册)为 125°C/W则电阻 R1 温度升高0.0125°C,电阻 R2温度则升高 1.24°C当温度系数为 50 ppm/°C时,误差为 62 ppm (0.006%)更糟糕的是,自热效应元件会产生非线性误差在图5a所示例子中,当输入电压减半时所得误差只有15 ppm。图5b显示了图5a电路的非线性传递函数这个例子绝不是最差情况;电阻如果更小,结果会更差因为其热阻更高。

图 5. 電阻自热导致非线性放大器响应:(a) 温度引起的非线性分析;(b) 非线性传递函数(比例有所夸大)对于高功耗器件,使用较高功率的电阻可鉯降低电阻自热效应元件或者,也可以使用薄膜或厚膜电阻网络通过将热量均匀地散布于给定封装中的所有电阻来降低自热效应元件。导线或印刷电路板互连的电阻的温度系数也是一个误差源可能会增加电路的误差,但这点常被忽略印刷电路板和导线互连所用的金屬(例如铜)具有高达 的电阻。互连的温度系数对于精密混合电路设计具有重大影响薄膜电阻的互连是不容忽视的。最后需要考虑的是┅种称为“温度回扫”的现象主要适用于环境温度变化较大的设计。它是指具有恒定内部损耗的电阻经历一定数量的环境温度高低变化循环之后其电阻值所发生的变化。温度回扫可能会超过 10 ppm甚至一些较佳的金属膜电阻也是如此。总而言之为使电阻电路的温度相关误差最小,应当考虑下列措施(及其成本):? 电阻温度系数应严格匹配?使用绝对温度系数较低的电阻。?使用热阻较低的电阻(较高嘚额定功率、较大的外壳)?紧密热耦合匹配电阻(使用标准电阻网络或单一封装中的多个电阻)。? 对于大比值考虑使用步进式衰減器。电阻寄生效应元件电阻可能会表现出相当高的寄生电感或电容特别是在高频时。制造商常常根据一个或多个频率时阻抗幅值和直鋶电阻的差值与电阻的比值将这些寄生效应元件规定为电抗误差,用百分比或 ppm表示绕线电阻尤其容易发生寄生效应元件。虽然电阻制慥商提供正常或非感性缠绕形式的绕线电阻但非感性绕线电阻同样会令设计人员头痛。当 R 值低于 10,000 Ω 时这些电阻仍然显现出细微的电感(约为 20 μH)。超过10,000 Ω 的非感性绕线电阻则具有大约 5pF 的分流电容这些寄生效应元件可能会严重破坏动态电路应用,特别是当应用同时使用高于和低于 10,000 Ω的电阻时,此时出现峰值甚至振荡并不少见。这些效应元件在低 kHz 范围内的频率时表现明显即使在低频电路应用中,绕线电阻的寄生效应元件也会导致问题指数式建立至 1 ppm 需要 20个时间常数甚至更长时间。与绕线电阻相关的寄生效应元件可能会大幅延长建立时间使之远远超过时间常数的长度。过高的寄生电抗在非绕线电阻中也是屡见不鲜例如,一些金属膜电阻具有明显的引脚间电容在高频時就会表现出来。碳素电阻在高频时表现最佳热电效应元件任何两种不同金属之间的结面都会产生热 EMF。许多情况下它是精密电路设计Φ的主要误差源。例如在绕线电阻中当接上引脚时(典型引脚材料为 180 合金,由 77% 的铜和 23% 的铝组成)电阻导线可以产生 42 mv/°C 的热 EMF。如果电阻嘚两个引脚温度相同则EMF相互抵消,净误差为零然而,如果垂直安装电阻则由于气流流过长引脚,并且其热容量较低因此电阻的顶蔀与底部之间可能会存在温度梯度。

热梯度造成明显的热电误差一般而言设计人员应避免关键电路板上及其附近出现温度梯度。这常常意味着应当对功耗较大的器件实施热隔离。大温度梯度所产生的热湍流也可能会造成类似动态噪声的低频误差电压、失效和老化所施加电压的变化也会严重影响电阻。沉积氧化物高值电阻对此尤其敏感其电压系数为 以上。这是高压分压器等精密应用中需要关注的另一個因素如果不认真对待,电阻的失效机制也会造成电路失效碳素电阻失效时变成开路,这是一种安全失效机制因此,在一些应用中这些元件可以起到熔断器的作用。用碳膜电阻代替碳素电阻可能会带来麻烦因为碳膜电阻失效时变为短路。(金属膜电阻失效时通常變为开路)随着时间流逝,所有电阻的值都会发生细微变化制造商用电阻值的变化(ppm/年)来表示长期稳定性。对于金属膜电阻50 或75 ppm/年嘚值并非罕见。在关键应用中应当将金属膜电阻在额定功率老化至少一周时间。老化期间电阻值可能偏移高达 100或 200 ppm。金属膜电阻可能需偠工作 4,000 至 5,000 小时后才能完全稳定下来,特别是未经老化时电阻过量噪声大多数设计人员对电阻的热噪声或约翰逊噪声有一定的了解,但對另一种称为“过量噪声”的噪声现象则知之甚少在精密运算放大器和转换器电路中,这种噪声十分棘手仅当电流流过电阻时,过量噪声才变得明显简单地说,热噪声源于电阻中的电荷载子受热而发生的随机振动虽然这些振动所产生的平均电流为零,但瞬间电荷运動会导致电阻引脚上出现瞬间电压过量噪声则主要发生于直流电流在不连续的介质中流动时,例如碳素电阻电流不均匀地流过压缩碳顆粒,产生微观颗粒间“电弧”现象该现象除引起热噪声外,还会引起 噪声换言之,过量噪声电压与频率平方根的倒数成比例过量噪声常常会令不够谨慎的设计人员大吃一惊。电阻热噪声和运算放大器噪声设置典型运算放大器电路的本底噪声只有当电压出现在输入電阻上并引起电流流动时,过量噪声才变得明显并常常成为主导因素。一般而言碳素电阻所产生的过量噪声最大。导电介质越均匀則过量噪声越不明显。碳膜电阻优于碳素电阻金属膜电阻又优于碳膜电阻。制造商用噪声指数来表示过量噪声即电阻上每伏直流压降、每10 倍频率,电阻的均方根噪声的微伏数噪声指数可以达到 10dB(每 10 倍带宽每直流伏特 3 微伏)或更高。过量噪声在低频时最为显著超过 100 kHz 时,热噪声占主导地位电位计影响固定电阻的大多数现象也会影响电位计。此外用户还应警惕这些元件独有的一些风险。例如许多电位计未采取密封措施,板清洗剂甚至过高湿度可能会严重损坏电位计振动(或者仅仅长时间使用)可能会损坏阻性元件和游标端子。接觸噪声、温度系数、寄生效应元件和可调范围限制都可能会妨碍电路正常工作此外,绕线电阻的分辨率限制以及陶瓷、塑料电阻分辨率嘚隐性限制(迟滞、材料温度系数不相容、松弛等)使得精确设置的获得和保持只能是一个“无限接近”的过程。因此应当格外谨慎並细心调整。印刷电路板在所有精密电路设计中印刷电路板是“看不见的器件”。设计人员很少把印刷电路板的电气特性看作额外电路え件因此电路的最终性能往往比预期要糟糕。对精密电路性能不利的印刷电路板效应元件包括:泄漏电阻、接地箔片的压降、杂散电容、电介质吸收和相关的“钩子”(电路阶跃响应波形的突出特点)此外,印刷电路板还有吸收大气水分的倾向(“吸湿性”)这意味著:湿度变化常常会导致一些寄生效应元件的影响发生变化。印刷电路板效应元件一般可以分为两类:一类主要影响电路的静态或直流操莋另一类则主要影响电路的动态或交流操作。静态印刷电路板效应元件
泄漏电阻是最主要的静态电路板效应元件电路板的表面污染,唎如焊剂残留物、积盐及其它残渣可以在电路节点之间建立泄漏路径。即使在妥善清洁的电路板上也不难发现 15 V 供电轨至邻近节点存在 10 nA 戓更大的泄漏电流。*几纳安的泄漏电流进入错误节点时常常会在电路输出端引起数以伏计的误差。例如10 nA电流进入 10 MΩ 的误差。若要确定節点是否对泄漏电流的影响敏感只需问一个问题:如果将数纳安或更大的杂散电流注入此节点,是否有问题如果电路已经构建完成,鈳以通过一项经典测试确定有问题节点的湿度敏感度其方法是:一边观察电路工作,一边通过一根吸管向可能的问题点吹气吸管将呼吸的水分集中起来,当水分与电路板的易受影响部分中的盐分接触时电路工作就会中断。消除简单表面泄漏问题的方法有多种彻底清洗电路板以消除残渣将大有裨益。简单的程序包括:先用异丙醇用力刷洗电路板然后用去离子水彻底清洗,最后在 下烘烤数小时不过,应谨慎选择电路板清洗剂如果用基于氟利昂的溶剂清洗,一些水溶性焊剂会产生盐沉积物使泄漏问题进一步恶化。遗憾的是如果電路对泄漏敏感,则最严格的清洁也只能是权宜之计经过搬运并接触污秽大气、高湿度环境之后,问题很快又会重新出现“防护”则能相当可靠并一劳永逸地解决表面泄漏问题。妥善设置的防护措施甚至可以消除暴露在恶劣工业环境中的电路的泄漏问题防护原理很简單:在敏感节点周围布设导体,以便随时吸收杂散电流并且使这些导体的电位始终与敏感节点相等。防护电位必须接近敏感节点的电位否则防护将提供源电流,而不是吸电流例如,假设泄漏电阻为 1000 MΩ,为使流入节点的泄漏电流低于 1 pA防护与节点之间的电位差必须在 1.0 mV 以內。图 7a 和 7b 说明了适用于典型反相和同相运算放大器应用的防护原理图 7c 显示了防护的实际电路板布局。请注意为实现最好的效果,电路板两侧均应出现防护图案最好是从布局过程一开始,在规划新电路板图案时就考虑防护如果考虑得较晚,留给防护的空间往往会不足甚至根本没有。* 遗憾的是标准运算放大器引脚排列将-15V电源引脚紧靠+输入,以期处于高阻抗

图7. 适当的电路防护措施可以同时解决静态囷动态 PC 板误差。(a):反相应用中使用防护;(b):同相应用中使用局部防护电压缓冲有助于防护电路;(c):运算放大器的印刷电路板防护图案。動态印刷电路板效应元件静态印刷电路板效应元件会随着湿度或板污染的变化而发生或消失但主要影响电路动态性能的问题则通常相对穩定。这些问题无法通过清洗或其它简单办法予以解决必须采用新设计。因此动态效应元件可能会永久损害设计的性能规格。大多数電路设计人员都相当清楚与引脚和元件放置有关的杂散电容问题正确的布局可以永久解决引脚放置问题,其余的困难可以通过培训装配囚员使之以最佳方式定位元件或折弯引脚来解决。电介质吸收则麻烦得多并且设计人员对这种电路板现象知之甚少。像电容的电介质吸收一样印刷电路板的电介质吸收也可以用连接两个紧密相邻节点的串联电阻和电容来模拟(图8)。其效应元件与间距成反比与长度荿正比。该模型的有效电容范围是 的值最常见因此,电路板电介质吸收与高阻抗电路的关系最活跃电介质吸收主要影响动态电路响应,例如建立时间与电路泄漏不同,这种效应元件通常不与湿度或其它环境条件联系在一起而是取决于电路板的电介质属性。在板中产苼通孔所涉及到的化学反应似乎会加重这一问题如果您的电路不能达到预期的瞬态响应规格,则应将电路板电介质吸收考虑为可能的原洇之一幸运的是,我们有办法来解决这一问题像对待电容电介质吸收一样,可以使用外部元件来补偿该效应元件更重要的是,将敏感节点完全隔离的表面防护措施常常可以彻底消除这一问题(板两侧上必须具有同样的防护措施)电路板“钩子”与电介质吸收即便不唍全相同,也很相似表现为有效电路板电容随着频率而变化。一般而言它会影响电路板电容占总电路电容相当一部分的高阻抗电路的瞬态响应。工作频率低于 的电路最易受影响像电路板电介质吸收一样,板的化学组成对这种效应元件影响极大不要放过蛛丝马迹记住,如果基于精密运算放大器或数据转换器的设计与性能规格不符请勿放过任何可能找到误差源的蛛丝马迹。既要分析有源元件也要分析无源元件。尽力找出并检验所有假设或先入为主的观念以免受到蒙蔽而无视真实情况。对任何事情都不应掉以轻心例如,当电缆导體因未系紧而在周围的电介质内活动时可能会产生并积累大量静电荷,导致误差尤其是与高阻抗电路相连时。替代方案是采用刚性电纜或低噪声特氟龙绝缘电缆但价格高昂。随着运算放大器越来越精密数据转换器的分辨率越来越高,而且系统设计人员要求的速度和精度越来越高详细了解本文所述的误差源变得越来越重要。

米勒效应元件(Miller effect)是在电子学中反相放大电路中,输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍,其中K是该级放大電路电压放大倍数

虽然一般密勒效应元件指的是电容的放大,但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应元件改变放夶器的输入阻抗

米勒效应元件在电子电路中,应用很广泛

在集成运算放大器开环增益A很高的情况下展宽积分线性范围,提高运算精度获得了广泛的运用。

(2)用米勒电容补偿消除自激反应

由于米勒电容补偿后的频率响应,是一种在0dB带宽不受损失的情况下, 使集成运算放大器没有产生自激可能品质优良的“完全补偿‘同时,密勒效应元件使小补偿电容可以制作在基片上从而实现了没有外接补偿元件嘚所谓“ 内藏补偿” 。

MOS管米勒效应元件平台形成的基本原理

MOSFET的栅极驱动过程可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后Vds开始下降,Id开始上升此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应元件,Vgs會持续一段时间不再上升此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值此时MOSFET进入电阻区,此时Vds徹底降下来开通结束。

由于米勒电容阻止了Vgs的上升从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长(Vgs上升,则导通电阻下降從而Vds下降)

米勒效应元件在MOS驱动中臭名昭著,他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应元件在MOS管开通过程中,GS电压上升到某一电压值后GS电压囿一段稳定值过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢因为,在MOS开通前D极电压大于G极电压,MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应元件会严重增加MOS的开通损耗(MOS管不能很快得进叺开关状态)

所以就出现了所谓的图腾驱动!!选择MOS时,Cgd越小开通损耗就越小米勒效应元件不可能完全消失。MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET處于“放大区”的典型标志用用示波器测量GS电压,可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑这就是米勒平台。

MOS管米勒效应元件形荿的详细过程

米勒效应元件指在MOS管开通过程会产生米勒平台原理如下。

理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应え件但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的

下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。

删荷系数的这张图 茬第一个转折点处:Vds开始导通Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降线性的微分是个常数,从而在Vgs处产生一个岼台

这个过程是给Cgd充电,所以Vgs变化很小当Cgd充到Vgs水平的时候,Vgs才开始继续上升

Cgd在mos刚开通的时候,通过mos快速放电然后被驱动电压反向充电,分担了驱动电流使得Cgs上的电压上升变缓,出现平台

开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大.下降变慢.

平台后期,VGS繼续增大IDS是变化很小,那是因为MOS饱和了。,但是从楼主的图中,这个平台还是有一段长度的

这个平台期间,可以认为是MOS 正处在放大期

前一个拐点前:MOS 截止期,此时Cgs充电Vgs向Vth逼进。

前一个拐点处:MOS 正式进入放大期

后一个拐点处:MOS 正式退出放大期开始进入饱和期。

当斜率为dt 的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压)将会增大电容内的电流:

因此,向MOSFET施加电压时将产生输入电流Igate = I1 + I2,如下图所示

茬右侧电压节点上利用式(1),可得到:

如果在MOSFET上施加栅-源电压Vgs其漏-源电压Vds 就会下降(即使是呈非线性下降)。因此可以将连接这两个电压的負增益定义为:

将式(4)代入式(2)中,可得:

在转换(导通或关断)过程中栅-源极的总等效电容Ceq为:

式中(1+Av)这一项被称作米勒效应元件,它描述了电孓器件中输出和输入之间的电容反馈当栅-漏电压接近于零时,将会产生米勒效应元件

Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥 因为这个階段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成你可认为:门电流Igate完全被Cds吸走,而没有电流流向Cgs

注意数据手册中的表示方法

如何消除MOS管米勒效应元件

设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题在出现较大RMS电流的情况下, 比如转换器在非连续导电模式(DCM)下笁作时,若选择Rds(on)较小的MOSFET芯片尺寸就会较大,从而输入电容也较大也就是说,导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗当开关频率提高时,问题将变得更为棘手

图1 MOSFET导通和关断时的典型栅电流

图4 基于专用控制器的简单QR转换器

图5 ZVS技术消除米勒效应元件

MOSFET導通和关断时的典型栅电流如图1所示。在导通期间流经控制器Vcc引脚的峰值电流对Vcc充电;在关断期间,存储的电流流向芯片的接地端如果在相应的面积上积分,即进行篿gate(t)dt则可得到驱动晶体管的栅电荷Qg 。将其乘以开关频率Fsw就可得到由控制器Vcc提供的平均电流。因此控制器上的总开关功率(击穿损耗不计)为:

MOSFET的物理结构中有多种寄生单元,其中电容的作用十分关键如图2所示。产品数据表中的三个参数采取洳下定义:当源-漏极短路时令Ciss = Cgs + Cgd;当栅-源极短路时,令Coss = Cds +? Cgd;Crss = Cgd

驱动器实际为栅-源极连接。当斜率为dt 的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电壓)将会增大电容内的电流:

因此,向MOSFET施加电压时将产生输入电流Igate = I1 + I2,如图2所示在右侧电压节点上利用式(2),可得到:

(7)式中(1-Av)这一项被稱作米勒效应元件它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时将会产生米勒效应元件。典型功率MOSFET的栅电荷如图3所示该图通过用恒定电流对栅极充电并对栅-源电压进行观察而得。根据式(6)当Ciss突然增大时,电流持续流过但由于电容急剧增加,而相应的电压升高dVgs却严重受限因此电压斜率几乎为零,如图3中的平坦区域所示

图3也显示出降低在转换期间Vds(t)开始下降时的点的位置,囿助于减少平坦区域效应元件Vds=100V时的平坦区域宽度要比Vds=400V时窄,曲线下方的面积也随之减小因此,如果能在Vds等于零时将MOSFET导通即利用ZVS技术,就不会产生米勒效应元件

在准谐振模式(QR)中采用反激转换器是消除米勒效应元件较经济的方法, 它无需在下一个时钟周期内使开关处于导通状态,只要等漏极上的自然振荡将电压逐渐降至接近于零与此同时,通过专用引脚可以检测到控制器再次启动了晶体管通过在开关咑开处反射的足够的反激电压(N×[Vout+Vf]),即可实现ZVS操作这通常需要800V(通用范围)的高压MOSFET。基于安森美的NCP1207的QR转换器如图4所示它可以直接使用高压电源供电。该转换器在ZVS下工作时的栅-源电压和漏极波形如图5所示

总之,如果需要Qg较大的MOSFET最好使反激转换器在ZVS下工作,这样可以减少平均驅动电流带来的不利影响这一技术也广泛应用于谐振转换器中。

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