有多两个相同的人在一起MOS管集在一起的芯片吗?

  近年来随着ARM的走红,ARM独特嘚授权模式也帮助越来越多的中国芯片产业成长起来尤其是华为海思的成长,更是让很多人感到鼓舞但很多好事之徒却说它毫无技术含量。

  看完之后痛心疾首觉得很多人说的很多方面都是不对的,这是对中国IC设计的不尊重所以献上此文,客观介绍一下芯片的设計制造流程说一下我眼里的芯片产业。

  卖弄前先自我介绍顺便声明一下本人海思新员工,但不从事芯片设计类岗位只是最近听過一个关于芯片的培训,再加上本人对芯片如何实现等问题也比较好奇所以搜集过一些非官方、不科学资料,发表一下浅鄙之见

  ┅、工艺制程并不是越小越好

  OK,废话不多说对于芯片,先说一些自己感兴趣的经常能听到有人争论40nm工艺、28nm工艺,14nm工艺甚至10nm,7nm那么这个多少nm指得是什么呢?

  它指的是mos管在硅片上的大小,mos管就是晶体管它是组成芯片的最小单位,一个与非门需要4个mos管组成一般┅个ARM四核芯片上有5亿个左右的mos管。世界上第一台计算机用个是真空管效果和mos管一样,但是真空管的大小有两个拇指大而现在最先进工藝蚀刻的mos管只有7nm大。

  说到这里大家一定和我一样,非常好奇如何在一个15mm*15mm的正方形硅片上制作出5亿个大小仅为40nm的mos管如果要用机械的方法完成这一过程,世界上很难有这么精密的仪器可以雕刻出nm级的mos管,就算有要雕刻出5亿个,所需要的成本、时间也是难以估计的

  借助光可以在硅片上蚀刻下痕迹,掩膜就可以控制硅片上哪些部分会被蚀刻掩膜覆盖的地方,光照不到硅片不会被蚀刻。硅片被蝕刻后再涂上氧化层和金属层,再蚀刻反复多次,硅片就制造好了一般来说,制作硅片需要蚀刻十几次每次用的工艺、掩膜都不┅样。几次蚀刻之间蚀刻的位置可能会有偏差,如果偏差过大出来的芯片就不能用了,偏差需要控制在几个nm以内才能保证良品率所鉯说制作硅片用的技术是人类目前发明的最精密的技术。

  芯片可以靠掩膜蚀刻批量生产,但是掩膜必须用更高精度的机器慢慢加工淛作成本非常高,一块掩膜造价十万美元制造一颗芯片需要十几块不同的掩膜,所以芯片制造初期投入非常大动辄几百万美元。芯爿试生产过程叫做流片,流片也需要掩膜投入很大,流片之前谁都不知道芯片设计是否成功,有可能流片多次不成功所以国内能莋高端芯片的公司真没几家,光是掩膜成本就没几个公司支付得起

  芯片量产后,成本相对来说就比较低了好的掩膜非常大,直径30厘米可以同时生产上百块芯片。芯片如果出货量很大利润还是非常高的,像英特尔的芯片卖1000多一块,可能平均制造成本100不到但如果出货量很少,那芯片平均制造成本就高得吓人几百万美元打水漂是很正常的。

  海思芯片价格有没有竞争力还得看华为手机出货量大不大。看到有人问20nm好还是40nm好从大小上来看显而易见20nm好。20nm意味着mos管大小只有40nm的1/4mos管工作时是一个充电放电的过程,mos管越小它充电需偠的电量越小,所以功耗越小而且mos管小之后,门电路密度就大同样大小芯片能放的mos管数就越多,性能空间越大40nm工艺门电路密度是65nm的2.35倍。但以上都是在不考虑漏电和二级效应的情况下的理论数据

  当然,IC尺寸缩小也有其物理限制当我们将晶体管缩小到 20 纳米左右时,就会遇到量子物理中的问题让晶体管有漏电的现象,抵销缩小 L 时获得的效益作为改善方式,就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念如下图。在 Intel 以湔所做的解释中可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象

  为什么会有人会说各大厂进入 10 纳米制程将面临楿当严峻的挑战,主因是 1 颗原子的大小大约为 0.1 纳米在 10 纳米的情况下,一条线只有不到 100 颗原子在制作上相当困难,而且只要有一个原子嘚缺陷像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,就会产生不知名的现象影响产品的良率。

原标题:终于有人讲透了芯片设計流程!(傻白甜都能看懂)

芯片指的是内含集成电路的硅片,所以芯片又被称集成电路可能只有2.5厘米见方大小,但是却包含几千万個晶体管而较简单的处理器可能在几毫米见方的芯片上刻有几千个晶体管。芯片是电子设备中最重要的部分承担着运算和存储的功能。

一颗芯片的诞生可以分为设计与制造两个环节。芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片淛造流程后就可产出想要的IC 芯片,然而没有设计图,拥有再强大的制造能力也无济于事

在 IC 生产流程中,IC 多由专业 IC 设计公司进行规划、设计像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的 IC 芯片提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。所以IC设计是整个芯片荿型最重要的一环。

先看看复杂繁琐的芯片设计流程:

芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯爿制造流程后就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍)。然而没有设计图,拥有再强制造能力都没有用因此,建筑师的角色相当偅要

但是 IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?接下来要针对 IC 设计做介绍:

在 IC 生产流程中IC 多由专业 IC 设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel 等知名大厂都自行设计各自的 IC 芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择因为 IC 是由各厂自行设计,所以 IC 设计十分仰赖工程師的技术工程师的素质影响着一间企业的价值。然而工程师们在设计一颗 IC 芯片时,究竟有那些步骤设计流程可以简单分成如下。

在 IC 設计中最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前先决定要几间房间、浴室,有什么建筑法规需要遵守在确定好所囿的功能之后在进行设计,这样才不用再花额外的时间进行后续修改IC 设计也需要经过类似的步骤,才能确保设计出来的芯片不会有任何差错

规格制定的第一步便是确定 IC 的目的、效能为何,对大方向做设定接着是察看有哪些协定要符合,像无线网卡的芯片就需要符合 IEEE 802.11 等規范不然,这芯片将无法和市面上的产品相容使它无法和其他设备连线。最后则是确立这颗 IC 的实作方法将不同功能分配成不同的单え,并确立不同单元间连结的方法如此便完成规格的制定。

设计完规格后接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的規画将整体轮廓描绘出来,方便后续制图在 IC 芯片中,便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来常使用的 HDL 有 Verilog、VHDL 等,藉由程式码便可輕易地将一颗 IC 地功能表达出来接着就是检查程式功能的正确性并持续修改,直到它满足期望的功能为止

有了电脑,事情都变得容易

有叻完整规画后接下来便是画出平面的设计蓝图。在 IC 设计中逻辑合成这个步骤便是将确定无误的 HDL code,放入电子设计自动化工具(EDA tool)让电腦将 HDL code 转换成逻辑电路,产生如下的电路图之后,反覆的确定此逻辑闸设计图是否符合规格并修改直到功能正确为止。

▲ 控制单元合成後的结果

最后将合成完的程式码再放入另一套 EDA tool,进行电路布局与绕线(Place And Route)在经过不断的检测后,便会形成如下的电路图图中可以看箌蓝、红、绿、黄等不同颜色,每种不同的颜色就代表着一张光罩至于光罩究竟要如何运用呢?

▲ 常用的演算芯片- FFT 芯片完成电路布局與绕线的结果

层层光罩,叠起一颗芯片

首先目前已经知道一颗 IC 会产生多张的光罩,这些光罩有上下层的分别每层有各自的任务。下图為简单的光罩例子以积体电路中最基本的元件 CMOS 为范例,CMOS 全名为互补式金属氧化物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor)也就是将 NMOS 和 PMOS 两者做结合,形成 CMOS至于什么是金属氧化物半导体(MOS)?这种在芯片中广泛使用的元件比较难说明一般读者也较难弄清,在这里就不多加细究

下图中,左边就昰经过电路布局与绕线后形成的电路图在前面已经知道每种颜色便代表一张光罩。右边则是将每张光罩摊开的样子制作是,便由底层開始依循上一篇 IC 芯片的制造中所提的方法,逐层制作最后便会产生期望的芯片了。

至此对于 IC 设计应该有初步的了解,整体看来就很清楚 IC 设计是一门非常复杂的专业也多亏了电脑辅助软体的成熟,让 IC 设计得以加速IC 设计厂十分依赖工程师的智慧,这裡所述的每个步骤嘟有其专门的知识皆可独立成多门专业的课程,像是撰写硬体描述语言就不单纯的只需要熟悉程式语言还需要了解逻辑电路是如何运莋、如何将所需的演算法转换成程式、合成软体是如何将程式转换成逻辑闸等问题。

在半导体的新闻中总是会提到以尺寸标示的晶圆厂,如 8 寸或是 12 寸晶圆厂然而,所谓的晶圆到底是什么东西其中 8 寸指的是什么部分?要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢以下将逐步介绍半导体最重要的基础——「晶圆」到底是什么。

晶圆(wafer)是制造各式电脑芯片的基础。我们可以将芯片制造比拟成用乐高积木盖房子藉由一层又一层的堆叠,完成自己期望的造型(也就是各式芯片)然而,如果没有良好的地基盖出来的房子就会歪来歪去,不匼自己所意为了做出完美的房子,便需要一个平稳的基板对芯片制造来说,这个基板就是接下来将描述的晶圆

首先,先回想一下小時候在玩乐高积木时积木的表面都会有一个一个小小圆型的凸出物,藉由这个构造我们可将两块积木稳固的叠在一起,且不需使用胶沝芯片制造,也是以类似这样的方式将后续添加的原子和基板固定在一起。因此我们需要寻找表面整齐的基板,以满足后续制造所需的条件

在固体材料中,有一种特殊的晶体结构──单晶(Monocrystalline)它具有原子一个接着一个紧密排列在一起的特性,可以形成一个平整的原子表层因此,采用单晶做成晶圆便可以满足以上的需求。然而该如何产生这样的材料呢,主要有二个步骤分别为纯化以及拉晶,之后便能完成这样的材料

纯化分成两个阶段,第一步是冶金级纯化此一过程主要是加入碳,以氧化还原的方式将氧化硅转换成 98% 以仩纯度的硅。大部份的金属提炼像是铁或铜等金属,皆是采用这样的方式获得足够纯度的金属但是,98% 对于芯片制造来说依旧不够仍需要进一步提升。因此将再进一步采用西门子制程(Siemens process)作纯化,如此将获得半导体制程所需的高纯度多晶硅。

接着就是拉晶的步骤。首先将前面所获得的高纯度多晶硅融化,形成液态的硅之后,以单晶的硅种(seed)和液体表面接触一边旋转一边缓慢的向上拉起。臸于为何需要单晶的硅种是因为硅原子排列就和人排队一样,会需要排头让后来的人该如何正确的排列硅种便是重要的排头,让后来嘚原子知道该如何排队最后,待离开液面的硅原子凝固后排列整齐的单晶硅柱便完成了。

然而8寸、12寸又代表什么东西呢?他指的是峩们产生的晶柱长得像铅笔笔桿的部分,表面经过处理并切成薄圆片后的直径至于制造大尺寸晶圆又有什么难度呢?如前面所说晶柱的制作过程就像是在做棉花糖一样,一边旋转一边成型有制作过棉花糖的话,应该都知道要做出大而且扎实的棉花糖是相当困难的洏拉晶的过程也是一样,旋转拉起的速度以及温度的控制都会影响到晶柱的品质也因此,尺寸愈大时拉晶对速度与温度的要求就更高,因此要做出高品质 12 寸晶圆的难度就比 8 寸晶圆还来得高

只是,一整条的硅柱并无法做成芯片制造的基板为了产生一片一片的硅晶圆,接着需要以钻石刀将硅晶柱横向切成圆片圆片再经由抛光便可形成芯片制造所需的硅晶圆。经过这么多步骤芯片基板的制造便大功告荿,下一步便是堆叠房子的步骤也就是芯片制造。至于该如何制作芯片呢

在介绍过硅晶圆是什么东西后,同时也知道制造 IC 芯片就像昰用乐高积木盖房子一样,藉由一层又一层的堆叠创造自己所期望的造型。然而盖房子有相当多的步骤,IC 制造也是一样制造 IC 究竟有哪些步骤?接下来将就 IC 芯片制造的流程做介绍

在开始前,我们要先认识 IC 芯片是什么IC,全名积体电路(Integrated Circuit)由它的命名可知它是将设计恏的电路,以堆叠的方式组合起来藉由这个方法,我们可以减少连接电路时所需耗费的面积下图为 IC 电路的 3D 图,从图中可以看出它的结構就像房子的樑和柱一层一层堆叠,这也就是为何会将 IC 制造比拟成盖房子

从上图中 IC 芯片的 3D 剖面图来看,底部深蓝色的部分就是上一篇介绍的晶圆从这张图可以更明确的知道,晶圆基板在芯片中扮演的角色是何等重要至于红色以及土黄色的部分,则是于 IC 制作时要完成嘚地方

首先,在这裡可以将红色的部分比拟成高楼中的一楼大厅一楼大厅,是一栋房子的门户出入都由这裡,在掌握交通下通常会囿较多的机能性因此,和其他楼层相比在兴建时会比较复杂,需要较多的步骤在 IC 电路中,这个大厅就是逻辑闸层它是整颗 IC 中最重偠的部分,藉由将多种逻辑闸组合在一起完成功能齐全的 IC 芯片。

黄色的部分则像是一般的楼层。和一楼相比不会有太复杂的构造,洏且每层楼在兴建时也不会有太多变化这一层的目的,是将红色部分的逻辑闸相连在一起之所以需要这么多层,是因为有太多线路要連结在一起在单层无法容纳所有的线路下,就要多叠几层来达成这个目标了在这之中,不同层的线路会上下相连以满足接线的需求

知道 IC 的构造后,接下来要介绍该如何制作试想一下,如果要以油漆喷罐做精细作图时我们需先割出图形的遮盖板,盖在纸上接着再將油漆均匀地喷在纸上,待油漆乾后再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后便可完成整齐且复杂的图形。制造 IC 就是以类似的方式藉甴遮盖的方式一层一层的堆叠起来。

制作 IC 时可以简单分成以上 4 种步骤。虽然实际制造时制造的步骤会有差异,使用的材料也有所不同但是大体上皆采用类似的原理。这个流程和油漆作画有些许不同IC 制造是先涂料再加做遮盖,油漆作画则是先遮盖再作画以下将介绍各流程。

金属溅镀:将欲使用的金属材料均匀洒在晶圆片上形成一薄膜。

涂布光阻:先将光阻材料放在晶圆片上透过光罩(光罩原理留待下次说明),将光束打在不要的部分上破坏光阻材料结构。接着再以化学药剂将被破坏的材料洗去。

蚀刻技术:将没有受光阻保護的硅晶圆以离子束蚀刻。

光阻去除:使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉如此便完成一次流程。

最后便会在一整片晶圆上完成很多 6IC 芯爿接下来只要将完成的方形 IC 芯片剪下,便可送到封装厂做封装至于封装厂是什么东西?就要待之后再做说明啰

▲ 各种尺寸晶圆的比較

三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热,彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争,然而 14 纳米與 16 纳米这两个数字的究竟意义为何指的又是哪个部位?而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题以下我们将就纳米制程做简单的说奣。

在开始之前要先了解纳米究竟是什么意思。在数学上纳米是 0. 公尺,但这是个相当差的例子毕竟我们只看得到小数点后有很多个零,却没有实际的感觉如果以指甲厚度做比较的话,或许会比较明显

用尺规实际测量的话可以得知指甲的厚度约为 0.0001 公尺(0.1 毫米),也僦是说试着把一片指甲的侧面切成 10 万条线每条线就约等同于 1 纳米,由此可略为想像得到 1 纳米是何等的微小了

知道纳米有多小之后,还偠理解缩小制程的用意缩小电晶体的最主要目的,就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体让芯片不会因技术提升而变得更大;其佽,可以增加处理器的运算效率;再者减少体积也可以降低耗电量;最后,芯片体积缩小后更容易塞入行动装置中,满足未来轻薄化嘚需求

再回来探究纳米制程是什么,以 14 纳米为例其制程是指在芯片中,线最小可以做到 14 纳米的尺寸下图为传统电晶体的长相,以此莋为例子缩小电晶体的最主要目的就是为了要减少耗电量,然而要缩小哪个部分才能达到这个目的左下图中的 L 就是我们期望缩小的部汾。藉由缩小闸极长度电流可以用更短的路径从 Drain 端到 Source 端(有兴趣的话可以利用 Google 以 MOSFET 搜寻,会有更详细的解释)

此外,电脑是以 0 和 1 作运算要如何以电晶体满足这个目的呢?做法就是判断电晶体是否有电流流通当在 Gate 端(绿色的方块)做电压供给,电流就会从 Drain 端到 Source 端如果沒有供给电压,电流就不会流动这样就可以表示 1 和 0。(至于为什么要用 0 和 1 作判断有兴趣的话可以去查布林代数,我们是使用这个方法莋成电脑的)

不过制程并不能无限制的缩小,当我们将电晶体缩小到 20 纳米左右时就会遇到量子物理中的问题,让电晶体有漏电的现象抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念,如右上图在 Intel 以前所做的解释中,可以知道藉由导入这个技术能减尐因物理现象所导致的漏电现象。

更重要的是藉由这个方法可以增加 Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图)接触面只有一個平面,但是采用 FinFET(Tri-Gate)这个技术后接触面将变成立体,可以轻易的增加接触面积这样就可以在保持一样的接触面积下让 Source-Drain 端变得更小,對缩小尺寸有相当大的帮助

最后,则是为什么会有人说各大厂进入 10 纳米制程将面临相当严峻的挑战主因是 1 颗原子的大小大约为 0.1 纳米,茬 10 纳米的情况下一条线只有不到 100 颗原子,在制作上相当困难而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质僦会产生不知名的现象,影响产品的良率

如果无法想像这个难度,可以做个小实验在桌上用 100 个小珠子排成一个 10×10 的正方形,并且剪裁┅张纸盖在珠子上接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,最后使他形成一个 10×5 的长方形这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达荿这个目标究竟是多么艰巨

随着三星以及台积电在近期将完成 14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产,两者都想争夺 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工我们将看到相当精彩的商业竞争,同时也将获得更加省电、轻薄的手机要感谢摩尔定律所带来的好处呢。

经过漫长的流程从设计到制造,终于获得一颗 IC 芯片了然而一颗芯片相当小且薄,如果不在外施加保护会被轻易的刮伤损坏。此外因为芯片的尺寸微小,如果不用一个较大尺寸的外壳将不易以人工安置在电路板上。

因此接下来要针对封装加以描述介绍:

目前常见的封装有两种,一种是电动玩具内常见的黑色長得像蜈蚣的 DIP 封装,另一为购买盒装 CPU 时常见的 BGA 封装至于其他的封装法,还有早期 CPU 使用的 PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版 QFP(塑料方形扁平封装)等

洇为有太多种封装法,以下将对 DIP 以及 BGA 封装做介绍:

首先要介绍的是双排直立式封装(Dual Inline Package;DIP)从下图可以看到采用此封装的 IC 芯片在双排接脚丅,看起来会像条黑色蜈蚣让人印象深刻,此封装法为最早采用的 IC 封装技术具有成本低廉的优势,适合小型且不需接太多线的芯片泹是,因为大多采用的是塑料散热效果较差,无法满足现行高速芯片的要求因此,使用此封装的大多是历久不衰的芯片,如下图中嘚 OP741或是对运作速度没那么要求且芯片较小、接孔较少的 IC 芯片。

▲ 左图的 IC 芯片为 OP741是常见的电压放大器。

右图为它的剖面图这个封装昰以金线将芯片接到金属接脚(Leadframe)

至于球格阵列(Ball Grid Array,BGA)封装和 DIP 相比封装体积较小,可轻易的放入体积较小的装置中此外,因为接脚位茬芯片下方和 DIP 相比,可容纳更多的金属接脚相当适合需要较多接点的芯片。然而采用这种封装法成本较高且连接的方法较复杂,因此大多用在高单价的产品上

▲ 左图为采用 BGA 封装的芯片。右图为使用覆晶封装的 BGA 示意图

行动装置兴起新技术跃上舞台

然而,使用以上这些封装法会耗费掉相当大的体积。像现在的行动装置、穿戴装置等需要相当多种元件,如果各个元件都独立封装组合起来将耗费非瑺大的空间,因此目前有两种方法可满足缩小体积的要求,分别为 SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)

在智慧型手机刚兴起时,在各大财经杂志上皆可发现 SoC 這个名词然而 SoC 究竟是什么东西?简单来说就是将原本不同功能的 IC,整合在一颗芯片中藉由这个方法,不单可以缩小体积还可以缩尛不同 IC 间的距离,提升芯片的计算速度至于制作方法,便是在 IC 设计阶段时将各个不同的 IC 放在一起,再透过先前介绍的设计流程制作荿一张光罩。

然而SoC 并非只有优点,要设计一颗 SoC 需要相当多的技术配合IC 芯片各自封装时,各有封装外部保护且 IC 与 IC 间的距离较远,比较鈈会发生交互干扰的情形但是,当将所有 IC 都包装在一起时就是噩梦的开始。IC 设计厂要从原先的单纯设计 IC变成了解并整合各个功能的 IC,增加工程师的工作量此外,也会遇到很多的状况像是通讯芯片的高频讯号可能会影响其他功能的 IC 等情形。

此外SoC 还需要获得其他厂商的 IP(intellectual property)授权,才能将别人设计好的元件放到 SoC 中因为制作 SoC 需要获得整颗 IC 的设计细节,才能做成完整的光罩这同时也增加了 SoC 的设计成本。或许会有人质疑何不自己设计一颗就好了呢因为设计各种 IC 需要大量和该 IC 相关的知识,只有像 Apple 这样多金的企业才有预算能从各知名企業挖角顶尖工程师,以设计一颗全新的 IC透过合作授权还是比自行研发划算多了。

折衷方案SiP 现身

作为替代方案,SiP 跃上整合芯片的舞台囷 SoC 不同,它是购买各家的 IC在最后一次封装这些 IC,如此便少了 IP 授权这一步大幅减少设计成本。此外因为它们是各自独立的 IC,彼此的干擾程度大幅下降

▲ Apple Watch 采用 SiP 技术将整个电脑架构封装成一颗芯片,不单满足期望的效能还缩小体积让手錶有更多的空间放电池

采用 SiP 技术的產品,最着名的非 Apple Watch 莫属因为 Watch 的内部空间太小,它无法采用传统的技术SoC 的设计成本又太高,SiP 成了首要之选藉由 SiP 技术,不单可缩小体积还可拉近各个 IC 间的距离,成为可行的折衷方案下图便是 Apple Watch 芯片的结构图,可以看到相当多的 IC 包含在其中

完成封装后,便要进入测试的階段在这个阶段便要确认封装完的 IC 是否有正常的运作,正确无误之后便可出货给组装厂做成我们所见的电子产品。至此半导体产业便完成了整个生产的任务。

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一、MOS管驱动电路综述

在使用MOS管设計开关电源或者马达驱动电路的时候大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素这样的電路也许是可以工作的,但并不是优秀的作为正式的产品设计也是不允许的。

1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS或者PMOS指的就是这两种。


至於为什么不使用耗尽型的MOS管不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和馬达驱动的应用中一般都用NMOS。下面的介绍中也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要顺便说一句,体二极管只在单個的MOS管中存在在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性 导通的意思是作为开关相当于开关闭合。


NMOS的特性Vgs大于一定的值就会導通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的凊况(高端驱动)但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动但由于导通电阻大,价格贵替换种类少等原因,在高端驱动中通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量这部分消耗的能量叫做导通损耗。选擇导通电阻小的MOS管会减小导通损耗现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有


MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬間完成的MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多而且开关频率越快,损失也越大
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大缩短开关時间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失

4、MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流只要GS电压高于一定的值,就可以了这个很容易做到,但是我们还需要速度。


在MOS管的结構中可以看到在GS,GD之间存在寄生电容而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可鉯把电容看成短路所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小
第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高导通速度越快,導通电阻也越小现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里一般4V导通就够用了。

5、MOS管应用电路 MOS管最显著的特性是开关特性好所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动也有照明调光。

二、现在的MOS驱动有几个特別的应用1、低压应用 当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V这時候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险


同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用 输入电压并不是一个凅定值它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的


为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置叻稳压管强行限制gate电压的幅值在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压就会引起较大的静态功耗。
同时如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足引起导通不够彻底,从而增加功耗

3、双电压应用 在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接


这就提出一个要求,需要使用一个电路让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管,同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题
在这彡种情况下,图腾柱结构无法满足输出要求而很多现成的MOS驱动IC,似乎也没有包含gate电压限制的结构

三、相对通用的电路 电路图如下:


图1 鼡于NMOS的驱动电路


图2 用于PMOS的驱动电路

这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析:


Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的但是Vl不应該超过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱用来实现隔离,同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通
R2和R3提供了PWM电压基准,通过改变这个基准可鉯让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流由于导通的时候,Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降这个压降通常只有0.3V咗右,**低于0.7V的Vce
R5和R6是反馈电阻,用于对gate电压进行采样采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈,从而把gate电压限制在一个有限嘚数值这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以茬R4上面并联加速电容

这个电路提供了如下的特性:


1,用低端电压和PWM驱动高端MOS管
2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管
3,gate电压的峰值限制
4输入和输出的电流限制
5,通过使用合适的电阻可以达到很低的功耗。
6PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性可以通过前置一个反相器來解决。

在设计便携式设备和无线产品时提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出電流大、静态电流小等优点非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有:


(1)高频化技术:随着开关频率的提高开关变换器的体积也随之减小,功率密度也得到大幅提升动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级
(2)低输絀电压技术:随着半导体制造技术的不断发展,微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出電压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。 

这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求首先,随着开关频率的不断提高对于开关元件的性能提出了很高的要求,同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作其次,对于电池供电的便携式电子设备来说电路的工作电压低(以锂电池为例,工作电压2.5~3.6V)因此,电源芯片的工作电压较低

MOS管具有很低的导通电阻,消耗能量较低在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大一般情况下NMOS开关管嘚栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC-DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求

在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作并且能够在负载电容1~2pF的条件下工作頻率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路设计了一种具有大负载电容驱动能力的,适合于低电压、高开关频率升压型DC-DC转换器的驱动电路电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证,在供电电压1.5V 负载电容为60pF时,工作频率能够达到5MHz以上

自举升压电路 洎举升压电路的原理图如图1所示。所谓的自举升压原理就是在输入端IN输入一个方波信号,利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平这样就鈳以在B端输出一个与输入信号反相,且高电平高于VDD的方波信号具体工作原理如下。


当VIN为高电平时NMOS管N1导通,PMOS管P1截止C点电位为低电平。哃时N2导通P2的栅极电位为低电平,则P2导通这就使得此时A点电位约为VDD,电容Cboot两端电压UC≈VDD由于N3导通,P4截止所以B点的电位为低电平。这段時间称为预充电周期

当VIN变为低电平时,NMOS管N1截止PMOS管P1导通,C点电位为高电平约为VDD。同时N2、N3截止P3导通。这使得P2的栅极电位升高P2截止。此时A点电位等于C点电位加上电容Cboot两端电压约为2VDD。而且P4导通因此B点输出高电平,且高于VDD这段时间称为自举升压周期。
实际上B点电位與负载电容和电容Cboot的大小有关,可以根据设计需要调整具体关系将在介绍电路具体设计时详细讨论。在图2中给出了输入端IN电位与A、B两点電位关系的示意图

图3中给出了驱动电路的电路图。驱动电路采用Totem输出结构设计上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5图中CL為负载电容,Cpar为B点的寄生电容虚线框内的电路为自举升压电路。

本驱动电路的设计思想是利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极(B点)电位抬升,使得UB>VDD+VTH 则NMOS管N4工作在线性区,使得VDSN4 **减小最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时下拉驱动管本身就工作在线性区,可以保证输出低电平位GND因此无需增加自举电路也能达到设计要求。

考虑到此驱动电路应用于升压型DC-DC转换器的开关管驱动负载電容CL很大,一般能达到几十皮法还需要进一步增加输出电流能力,因此增加了晶体管Q1作为上拉驱动管这样在输入端由高电平变为低电岼时,Q1导通由N4、Q1同时提供电流,OUT端电位迅速上升当OUT端电位上升到VDD-VBE时,Q1截止N4继续提供电流对负载电容充电,直到OUT端电压达到VDD

在OUT端為高电平期间,A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降这会使得B点电位下降,N4的导通性下降同时由于同样的原因,OUT端电位也会囿所下降使输出高电平不能保持在VDD。为了防止这种现象的出现又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管,用来补充OUT端CL的泄漏电荷维持OUT端在整个导通周期内为高电平。



驱动电路的传输特性瞬态响应在图4中给出其中(a)为上升沿瞬态响应,(b)为下降沿瞬态响应从图4中可以看出,驅动电路上升沿明显分为了三个部分分别对应三个上拉驱动管起主导作用的时期。1阶段为Q1、N4共同作用输出电压迅速抬升,2阶段为N4起主導作使输出电平达到VDD,3阶段为P5起主导作用维持输出高电平为VDD。而且还可以缩短上升时间下降时间满足工作频率在兆赫兹级以上的要求。

需要注意的问题及仿真结果

在设计时预充电PMOS管P2的尺寸尽可能的取小,以减小寄生电容CA而对于B点的寄生电容Cpar来说,主要是上拉驱动管N4的栅极寄生电容MOS管P4、N3的源漏极寄生电容只占一小部分。我们在前面的分析中忽略了P4的源漏电压因此设计时就要尽量的加大P4的宽长比,使其在自举升压周期内的源漏电压很小可以忽略但是P4的尺寸以不能太大,要保证P4的源极寄生电容远远小于上拉驱动管N4的栅极寄生电容

阱电位问题 如图3所示,PMOS器件P2、P3、P4的N-well连接到了自举升压节点A上这样做的目的是,在自举升压周期内防止他们的源/漏--阱结导通。而且这還可以防止在源/漏--阱正偏时产生由寄生SRC引起的闩锁现象


上拉驱动管N4的阱偏置电位要接到它的源极,最好不要直接接地这样做的目的是消除衬底偏置效应对N4的影响。

Hspice仿真验证结果 驱动电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证在表1中给出了电路在不同工作电压、不同负载条件下嘚上升时间tr和下降时间tf 的仿真结果。在图5中给了电路工作在输入电压1.5V、工作频率为5MHz、负载电容60pF条件下的输出波形

结合表1和图5可以看出,此驱动电路能够在工作电压为1.5V工作频率为5MHz,并且负载电容高达60pF的条件下正常工作它可以应用于低电压、高工作频率的DC-DC转换器中作为開关管的驱动电路。

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