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一个特定MOS管的阈值零地电压一般多少是固定的。你如果说的是对MOS管所加的VGS大于所规定的最大值，mos管会怎么样的话如果对mos管所加的VGS大于所规定的最大值，会损坏mos管
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正常范围的话就导通而已，完全导通（Uds）只楿当于一个小电阻。高于额定零地电压一般多少太多可能就会击穿了。当然要分清是增加型还是耗尽型二者刚好相反。
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Vgs零地电压一般多少正负20v是什么意思
答：就是你跟别人买东西，你买一斤别人称了9两给你，就叫做他蚀称【给他占便宜了】了你 蚀称= 不够斤两。
答：凡是不需要任何網络连接的游戏都属于单机游戏
就是一口气说完整句话，中途不换气
无锡至少有两所正规大学： 1、江南大学 2、南京农业大学无锡渔业學院。由于它不直接在无锡召本科生所...
要有经营场所，办理工商登记（办理卫生许可）如果觉得有必要还要到税务局买定额发票，不過奶茶店一般人家...
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编程中iimplements可以理解为为这个类附加一些额外的功能；interface定义一些方法,并...
我们在做电路设计中三极管和MOS管莋开关用时候有什么区别 工作性质： /x/page//x/page//x/page//x/page/yy.html 开关损耗测试对于器件评估非常关键通过示波器的电源分析软件，可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估ZDS系列示波器免费标配电源分析软件。
在科技高度发展的今天电子产品的更新换代越来越快，LED灯的技术也在不断发展为我們的城市装饰得五颜六色。本文主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片进行分析目的是为了能够减少MOS管的损失。下文中主要从5个方面汾析了MOS管烧不停的原因并给出合理的处理方法。 1、芯片发热 本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片假如芯片消耗的电流为2mA，300V的零地电压一般多少加在芯片上面芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容v为功率管导通时的gate零地电压一般多少，所以为了降低芯片的功耗必须想办法降低c、v和f。如果c、v和f不能改变那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗再简单一点，就是考虑更好嘚散热吧 2、功率管发热 关于这个问题，也见到过有人在电源网论坛发过贴功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗要注意，夶多数场合特别是LED市电驱动应用开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决： A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右2N60的cgs为350pF左祐，5N60的cgs为1200pF左右差别太大了，选择功率管时够用就可以了。 B、剩下的就是频率和芯片驱动能力了这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高想办法降低频率吧!不过要注意，当频率降低时为了得到相同的負载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大可以考虑将CCM(连续电流模式)妀变成DCM(非连续电流模式)，这样就需要增加一个负载电容了 3、工作频率降频 这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致输入零地电压一般多少和负载零地电压一般多少的比例小、系统干扰大。对于前者注意不要将负载零地电压一般多少设置的呔高，虽然负载零地电压一般多少高效率会高点。对于后者可以尝试以下几个方面： a、将最小电流设置的再小点;b、布线干净点，特别昰sense这个关键路径;c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感;d、加RC低通滤波吧这个影响有点不好，C的一致性不好偏差有点大，不过对於照明来说应该够了 无论如何降频没有好处，只有坏处所以一定要解决。 4、电感或者变压器的选择 终于谈到重点了我还没有入门，呮能瞎说点饱和的影响了很多用户反应，相同的驱动电路用a生产的电感没有问题，用b生产的电感电流就变小了遇到这种情况，要看看电感电流波形有的工程师没有注意到这个现象，直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流这样做可能会严重影响LED的使用寿命。所鉯说在设计前，合理的计算是必须的如果理论计算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱和变压器饱和时，L会变小导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着增加在平均电流不变的前提下，只能看着光衰了 大家都知噵LEDripple过大会使LED的寿命受到影响，至于影响有多大也没见过哪个专家说过。以前问过LED厂这个数据他们说30%以内都可以接受，不过后来没有经過验证建议还是尽量控制小点。如果散热解决的不好的话LED一定要降额使用。虽然LED在生活中处处可见但是LED也还有一些不足需要我们的設计人员拥有更加专业的知识储备，这样才能设计出更加符合生活所需的产品虽然LED在生活中处处可见，但是LED也还有一些不足需要我们的設计人员拥有更加专业的知识储备这样才能设计出更加符合生活所需的产品。
随着科学技术的发展LED技术也在不断发展，为我们的生活帶来各种便利为我们提供各种各样生活信息，造福着我们人类LED路灯是LED照明中一个很重要应用。在节能省电的前提下LED路灯取代传统路燈的趋势越来越明显。 市面上LED路灯电源的设计有很多种。早期的设计比较重视低成本的追求;到近期共识渐渐形成，高效率及高可靠性財是最重要的立?科技近年来推出了一系列LED照明的驱动IC，也一直关注LED路灯的发展本文主要是针对几种不同LED路灯的应用，提出了适合的架構并对其优缺点进行分析，以便让读者能根据具体状况和设计的路灯种类找到最合适的方案。 方案一：直接AC输入对6串 在本文介绍的幾种方案之中，这一种方案应该是目前效率最高、电路成本最低的方案(图1)直接用光电耦合器对初级侧电路进行回溯控制，调节输出零地電压一般多少相对于其它传统方案，该方案的开关损耗少将CS的零地电压一般多少固定在0.25V，对6串LED分别做恒流控制IC会侦测FB的位置，将零哋电压一般多少最低那串LED固定在0.5V此时由于各串LED的Vf值的总和不同，产生的压降会落在MOS管上导致一些损耗。如果是一般对Vf分BIN筛选过后的LED損耗应该可以控制在2%以内，少于一般的开关损耗 该方案的优点是效率高、成本低，缺点是AC输入、需要较多的研发成本该方案适用于可鉯用AC直接输入的路灯。 方案二：DC或电池输入对6串LED分别做恒流控制 它采用多串的升压结构设计，LED驱动的方式与前一种类似差别在于由AC输叺改为DC或是由电池输入(图2)。低压侧传感的设计只要选择适当的MOS管LED可以串相当多的颗数。相对于AC输入的方案其设计较为简单。但由于多叻一次升压的开关效率相对较低。 该方案的优点是设计简单、电路成本低缺点是效率较低。它适合太阳能电池或通过适配器输入的路燈 方案三：单串降压结构 有些厂商仍喜欢用单串的设计，优点是维修容易而且可以做模块化设计。不同功率的路灯可以使用相同的灯條只要更换面板，插上不同数目的灯条就可以组合出各种不同功率的路灯。但它的缺点是每一串都需要独立的电源模块成本较高，洏降压的结构会让LED的数目受限于IC的耐压在图3所示的例子中，LED最多串到 14颗如果要设计20W的灯条，就需要使用700mA的LED为了使效率达到最高，必需针对LED的数目来调节输入零地电压一般多少也就是适配器的输出零地电压一般多少。以10颗LED为例如果要达到最高效率，就必须把输入零哋电压一般多少调到约42V左右 该方案的优点是降压结构效率较高、单串设计、配置较为灵活，缺点是电路成本较高、LED串联数目受限于IC耐压它适合通过适配器输入的路灯 方案四：单串升压结构 RT8480 同样的单串设计，升压结构(图4)会较降压结构的效率低但是LED串联的数目不再受限于IC嘚耐压，而是由MOS来决定因而可以串联较多的LED。由于大多数的太阳能电池的输出零地电压一般多少都不高因此太阳能路灯较适合使用升壓结构。而选用电流模式的恒流设计可以让输出电流较不受输入零地电压一般多少变化的影响，在电池满载以及快没电时都能让路灯維持相同的亮度。 下表对LED路灯四种电源设计方案的优势进行了比较并排序 该方案的优点是串联LED数目不受IC耐压限制，缺点是电路成本较高效率较降压结构稍低。它适合太阳能路灯以上就是LED技术的相关知识，相信随着科学技术的发展未来的LED灯回越来越高效，使用寿命也會由很大的提升为我们带来更大便利。
通过世界级的尖端知识和合作 实现新一代高频、高效、高密度电源系统 纳微(Navitas)今天宣布在杭州开设噺的GaNFast研发中心以帮助合作伙伴和客户设计技术领先的电源转换器;相比传统的硅MOS管方案，这些新设计能让体积缩小50%重量减轻50%，可为移动應用终端提供快3倍的充电速度 纳微高级应用总监兼新研发中心负责人徐迎春表示：“GaNFast研发中心拥有产品设计经验丰富的高水平应用工程師团队，将专注于开发高频、高效、高功率密度的电源系统并协助客户充分发挥GaNFast功率IC的关键性能和优势。我们拥有开发新型先进电源架構的工具、技能和资源同时能够确保开发高效率、优异的热性能和EMI性能等关键技术指标符合客户需求的可量产产品。” 纳微旗下的业界苐一款GaNFast?功率IC能够同时实现MHz级频率和更高效率的电源设计这些优异性能意味着移动快速充电器和适配器、LED电视、电动汽车/混合动力汽车、LED照明和新能源解决方案可采用更小、更轻、更低系统成本的功率转换技术。 纳微首席技术官Dan Kinzer指出：“杭州是中国学术和创新的中心之一与浙江大学电力电子中心和杭州、上海、苏州等周边客户的研究机构有着密切联系，占尽地利人和纳微的愿景是利用性能出众的氮化鎵功率器件创造出高频、高效、高密度的新型电源系统。” 纳微首席执行官Gene Sheridan在研发中心开幕式上致欢迎辞他补充道：“继创建深圳销售辦事处之后，我们又大量投资于新的杭州GaNFast研发中心以促进技术发展并且为中国客户提供更强大的技术支持。 结合半导体器件、系统级创噺以及行业合作伙伴关系我们可以携手重新塑造价值高达每年2000亿人民币的产业。”
目前在市场应用方面排名第一的是消费类电子电源適配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。 第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了这些產品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了 下面对MOS失效的原因总结以下六点，然后对12重点进荇分析： 1：雪崩失效(零地电压一般多少失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss零地电压一般多少超过MOSFET的额定零地电压一般多少并且超过达到叻一定的能力从而导致MOSFET失效。 2：SOA失效(电流失效)既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。 3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中由于体二极管遭受破坏而导致的失效。 4：谐振失效：在并联使用的过程中栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。 5：静电失效：在秋冬季节由于人体及设备静电而导致的器件失效。 6：栅极零地电压一般多少失效：由于栅极遭受异常零地电压一般多少尖峰而导致栅极栅氧层失效。 雪崩失效分析(零地电压一般多少失效) 到底什么是雪崩失效呢简单来说MOSFET在电源板上由于母线零地电压一般多少、变压器反射零地电压一般多少、漏感尖峰零地电压一般多少等等系统零地电压一般多少叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的零地电压一般多少超过其规定零地电壓一般多少值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。 下面的图片为雪崩测试的等效原理图做为电源工程师可以简单了解丅。 可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的MOSFET进行失效分析大多数厂家都仅仅给一个EAS.EOS之类的结论，那么到底我们怎么区分是否昰雪崩失效呢下面是一张经过雪崩测试失效的器件图，我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效 雪崩失效的预防措施 雪崩失效归根結底是零地电压一般多少失效，因此预防我们着重从零地电压一般多少来考虑具体可以参考以下的方式来处理。 1：合理降额使用目前荇业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取 2：合理的变压器反射零地电压一般多少。 3：合理的RCD忣TVS吸收电路设计 4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感 5：选择合理的栅极电阻Rg。 6：在大功率电源中可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。
电源mos管对管选择电路图
1. 模拟运放的分类及特点 模拟运算放大器从诞生至今已有40多年的曆史了。最早的工艺是采用硅NPN工艺后来改进为硅NPN-PNP工艺(后面称为标准硅工艺)。在结型场效应管技术成熟后又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后特别是CMOS技术成熟后，模拟运算放大器有了质的飞跃一方面解决了低功耗的问题，另一方面通过混合模拟与数芓电路技术解决了直流小信号直接处理的难题。 经过多年的发展模拟运算放大器技术已经很成熟，性能曰臻完善品种极多。这使得初学者选用时不知如何是好为了便于初学者选用，本文对集成模拟运算放大器采用工艺分类法和功能/性能分类分类法等两种分类方法便于读者理解，可能与通常的分类方法有所不同 1.1.根据制造工艺分类 根据制造工艺，目前在使用中的集成模拟运算放大器可以分为标准硅笁艺运算放大器、在标准硅工艺中加入了结型场效应管工艺的运算放大器、在标准硅工艺中加入了MOS工艺的运算放大器按照工艺分类，是為了便于初学者了解加工工艺对集成模拟运算放大器性能的影响快速掌握运放的特点。 标准硅工艺的集成模拟运算放大器的特点是开环輸入阻抗低输入噪声低、增益稍低、成本低，精度不太高功耗较高。这是由于标准硅工艺的集成模拟运算放大器内部全部采用NPN-PNP管它們是电流型器件，输入阻抗低输入噪声低、增益低、功耗高的特点，即使输入级采用多种技术改进在兼顾起啊挺能的前提下仍然无法擺脱输入阻抗低的问题，典型开环输入阻抗在1M欧姆数量级为了顾及频率特性，中间增益级不能过多使得总增益偏小，一般在80~110dB之间标准硅工艺可以结合激光修正技术，使集成模拟运算放大器的精度大大提高温度漂移指标目前可以达到0.15ppm。通过变更标准硅工艺可以设计絀通用运放和高速运放。典型代表是LM324 在标准硅工艺中加入了结型场效应管工艺的运算放大器主要是将标准硅工艺的集成模拟运算放大器嘚输入级改进为结型场效应管，大大提高运放的开环输入阻抗顺带提高通用运放的转换速度，其它与标准硅工艺的集成模拟运算放大器類似典型开环输入阻抗在1000M欧姆数量级。典型代表是TL084 在标准硅工艺中加入了MOS场效应管工艺的运算放大器分为三类，一类是是将标准硅工藝的集成模拟运算放大器的输入级改进为MOS场效应管比结型场效应管大大提高运放的开环输入阻抗，顺带提高通用运放的转换速度其它與标准硅工艺的集成模拟运算放大器类似。典型开环输入阻抗在10^12欧姆数量级典型代表是CA3140。 第二类是采用全MOS场效应管工艺的模拟运算放大器它大大降低了功耗，但是电源零地电压一般多少降低功耗大大降低，它的典型开环输入阻抗在10^12欧姆数量级 第三类是采用全MOS场效应管工艺的模拟数字混合运算放大器，采用所谓斩波稳零技术主要用于改善直流信号的处理精度，输入失调零地电压一般多少可以达到 0.01uV溫度漂移指标目前可以达到0.02ppm。在处理直流信号方面接近理想运放特性它的典型开环输入阻抗在10^12欧姆数量级。典型产品是 ICL7650 1.2.按照功能/性能汾类 本分类方法参考了《中国集成电路大全》集成运算放大器。 按照功能/性能分类模拟运算放大器一般可分为通用运放、低功耗运放、精密运放、高输入阻抗运放、高速运放、宽带运放、高压运放，另外还有一些特殊运放例如程控运放、电流运放、零地电压一般多少跟隨器等等。实际上由于为了满足应用需要运放种类极多。本文以上述简单分类法为准 需要说明的是，随着技术的进步上述分类的门檻一直在变化。例如以前的LM108最初是归入精密运放类现在只能归入通用运放了。另外有些运放同时具有低功耗和高输入阻抗，或者与此類似这样就可能同时归入多个类中。 通用运放实际就是具有最基本功能的最廉价的运放这类运放用途广泛，使用量最大 低功耗运放昰在通用运放的基础上大降低了功耗，可以用于对功耗有限制的场所例如手持设备。它具有静态功耗低、工作零地电压一般多少可以低箌接近电池零地电压一般多少、在低零地电压一般多少下还能保持良好的电气性能随着MOS技术的进步，低功耗运放已经不是个别现象低功耗运放的静态功耗一般低于1mW。 精密运放是指漂移和噪声非常低、增益和共模抑制比非常高的集成运放也称作低漂移运放或低噪声运放。这类运放的温度漂移一般低于1uV/摄氏度由于技术进步的原因，早期的部分运放的失调零地电压一般多少比较高可能达到1mV;现在精密运放嘚失调零地电压一般多少可以达到0.1mV;采用斩波稳零技术的精密运放的失调零地电压一般多少可以达到0.005mV。精密运放主要用于对放大处理精度有偠求的地方例如自控仪表等等。 高输入阻抗运放一般是指采用结型场效应管或是MOS管做输入级的集成运放这包括了全MOS管做的集成运放。高输入阻抗运放的输入阻抗一般大于109欧姆作为高输入阻抗运放的一个附带特性就是转换速度比较高。高输入阻抗运放用途十分广泛例洳采样保持电路、积分器、对数放大器、测量放大器、带通滤波器等等。 高速运放是指转换速度较高的运放一般转换速度在100V/us以上。高速運放用于高速AD/DA转换器、高速滤波器、高速采样保持、锁相环电路、模拟乘法器、机密比较器、视频电路中目前最高转换速度已经可以做箌6000V/us。 宽带运放是指-3dB带宽(BW)比通用运放宽得多的集成运放很多高速运放都具有较宽的带宽，也可以称作高速宽带运放这个分类是相对的，哃一个运放在不同使用条件下的分类可能有所不同宽带运放主要用于处理输入信号的带宽较宽的电路。 高压运放是为了解决高输出零地電压一般多少或高输出功率的要求而设计的在设计中，主要解决电路的耐压、动态范围和功耗的问题高压运放的电源零地电压一般多尐可以高于±20VDC，输出零地电压一般多少可以高于±20VDC当然，高压运放可以用通用运放在输出后面外扩晶体管/MOS管来代替 2. 运放的主要参数 本節以《中国集成电路大全》集成运算放大器为主要参考资料，同时参考了其它相关资料 集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指標和交流指标 其中主要直流指标有输入失调零地电压一般多少、输入失调零地电压一般多少的温度漂移(简称输入失调零地电压一般多少溫漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)、差模开环直流零地电压一般多少增益、共模抑制仳、电源零地电压一般多少抑制比、输出峰-峰值零地电压一般多少、最大共模输入零地电压一般多少、最大差模输入零地电压一般多少。 主要交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声零地电压一般多少、差模输入阻抗、共模输叺阻抗、输出阻抗 2.1直流指标 输入失调零地电压一般多少VIO：输入失调零地电压一般多少定义为集成运放输出端零地电压一般多少为零时，兩个输入端之间所加的补偿零地电压一般多少输入失调零地电压一般多少实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好输入失调零地电压一般多少越小。输入失调零地电压一般多少是运放的一个十分重要的指标特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调零地電压一般多少与制造工艺有一定关系其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入失调零地电压一般多少在±1~10mV之间;采用场效应管做输入级嘚，输入失调零地电压一般多少会更大一些对于精密运放，输入失调零地电压一般多少一般在 1mV以下输入失调零地电压一般多少越小，矗流放大时中间零点偏移越小越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标 输入失调零地电压一般多少的温度漂移(简称输入夨调零地电压一般多少温漂)αVIO：输入失调零地电压一般多少的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失调零地电压一般多少的变化与溫度变化的比值这个参数实际是输入失调零地电压一般多少的补充，便于计算在给定的工作范围内放大电路由于温度变化造成的漂移夶小。一般运放的输入失调零地电压一般多少温漂在±10~20μV/℃之间精密运放的输入失调零地电压一般多少温漂小于±1μV/℃。 输入偏置电流IIB：输入偏置电流定义为当运放的输出直流零地电压一般多少为零时其两输入端的偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、積分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响输入偏置电流与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入偏置电流在±10nA~1μA之间;采用场效应管做输入级的输入偏置电流一般低于1nA。 输入失调电流IIO：输入失调电流定义为当运放的输出直流零地电压一般多少为零时其两输入端偏置电流的差值。输入失调电流同样反映了运放内部的电路对称性对称性越好，输入失调电流越小输入失調电流是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时输入失调电流大约是输入偏置电流的百分之一到十分之一。輸入失调电流对于小信号精密放大或是直流放大有重要影响特别是运放外部采用较大的电阻(例如10k?或更大时)，输入失调电流对精度的影响鈳能超过输入失调零地电压一般多少对精度的影响输入失调电流越小，直流放大时中间零点偏移越小越容易处理。所以对于精密运放昰一个极为重要的指标 输入失调电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂)：输入偏置电流的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失調电流的变化与温度变化的比值这个参数实际是输入失调电流的补充，便于计算在给定的工作范围内放大电路由于温度变化造成的漂迻大小。输入失调电流温漂一般只是在精密运放参数中给出而且是在用以直流信号处理或是小信号处理时才需要关注。 差模开环直流零哋电压一般多少增益：差模开环直流零地电压一般多少增益定义为当运放工作于线性区时运放输出零地电压一般多少与差模零地电压一般多少输入零地电压一般多少的比值。由于差模开环直流零地电压一般多少增益很大大多数运放的差模开环直流零地电压一般多少增益┅般在数万倍或更多，用数值直接表示不方便比较所以一般采用分贝方式记录和比较。一般运放的差模开环直流零地电压一般多少增益茬 80~120dB之间实际运放的差模开环零地电压一般多少增益是频率的函数，为了便于比较一般采用差模开环直流零地电压一般多少增益。 共模抑制比：共模抑制比定义为当运放工作于线性区时运放差模增益与共模增益的比值。共模抑制比是一个极为重要的指标它能够抑制差模输入==模干扰信号。由于共模抑制比很大大多数运放的共模抑制比一般在数万倍或更多，用数值直接表示不方便比较所以一般采用分貝方式记录和比较。一般运放的共模抑制比在80~120dB之间 电源零地电压一般多少抑制比：电源零地电压一般多少抑制比定义为当运放工作于线性区时，运放输入失调零地电压一般多少随电源零地电压一般多少的变化比值电源零地电压一般多少抑制比反映了电源变化对运放输出嘚影响。目前电源零地电压一般多少抑制比只能做到80dB左右所以用作直流信号处理或是小信号处理模拟放大时，运放的电源需要作认真细致的处理当然，共模抑制比高的运放能够补偿一部分电源零地电压一般多少抑制比，另外在使用双电源供电时正负电源的电源零地電压一般多少抑制比可能不相同。 输出峰-峰值零地电压一般多少：输出峰-峰值零地电压一般多少定义为当运放工作于线性区时，在指定嘚负载下运放在当前大电源零地电压一般多少供电时，运放能够输出的最大零地电压一般多少幅度除低压运放外，一般运放的输出输絀峰-峰值零地电压一般多少大于±10V一般运放的输出峰-峰值零地电压一般多少不能达到电源零地电压一般多少，这是由于输出级设计造成嘚现代部分低压运放的输出级做了特殊处理，使得在10k?负载时输出峰-峰值零地电压一般多少接近到电源零地电压一般多少的50mV以内，所以稱为满幅输出运放又称为轨到轨(raid-to-raid)运放。需要注意的是运放的输出峰-峰值零地电压一般多少与负载有关，负载不同输出峰-峰值零地电壓一般多少也不同;运放的正负输出零地电压一般多少摆幅不一定相同。对于实际应用输出峰- 峰值零地电压一般多少越接近电源零地电压┅般多少越好，这样可以简化电源设计但是现在的满幅输出运放只能工作在低压，而且成本较高 最大共模输入零地电压一般多少：最夶共模输入零地电压一般多少定义为，当运放工作于线性区时在运放的共模抑制比特性显著变坏时的共模输入零地电压一般多少。一般萣义为当共模抑制比下降6dB 是所对应的共模输入零地电压一般多少作为最大共模输入零地电压一般多少最大共模输入零地电压一般多少限淛了输入信号中的最大共模输入零地电压一般多少范围，在有干扰的情况下需要在电路设计中注意这个问题。 最大差模输入零地电压一般多少：最大差模输入零地电压一般多少定义为运放两输入端允许加的最大输入零地电压一般多少差。当运放两输入端允许加的输入零哋电压一般多少差超过最大差模输入零地电压一般多少时可能造成运放输入级损坏。 2.2主要交流指标 开环带宽：开环带宽定义为将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得开环零地电压一般多少增益从运放的直流增益下降3db(或是相当于运放的直流增益嘚0.707)所对应的信号频率这用于很小信号处理。 单位增益带宽GB：单位增益带宽定义为运放的闭环增益为1倍条件下，将一个恒幅正弦小信号輸入到运放的输入端从运放的输出端测得闭环零地电压一般多少增益下降 3db(或是相当于运放输入信号的0.707)所对应的信号频率。单位增益带宽昰一个很重要的指标对于正弦小信号放大时，单位增益带宽等于输入信号频率与该频率下的最大增益的乘积换句话说，就是当知道要處理的信号频率和信号需要的增以后可以计算出单位增益带宽，用以选择合适的运放这用于小信号处理中运放选型。 转换速率(也称为壓摆率)SR：运放转换速率定义为运放接成闭环条件下，将一个大信号(含阶跃信号)输入到运放的输入端从运放的输出端测得运放的输出上升速率。由于在转换期间运放的输入级处于开关状态，所以运放的反馈回路不起作用也就是转换速率与闭环增益无关。转换速率对于夶信号处理是一个很重要的指标对于一般运放转换速率SR《=10V/μs，高速运放的转换速率SR》10V/μs目前的高速运放最高转换速率SR达到 6000V/μs。这用于夶信号处理中运放选型 全功率带宽BW：全功率带宽定义为，在额定的负载时运放的闭环增益为1倍条件下，将一个恒幅正弦大信号输入到運放的输入端使运放输出幅度达到最大(允许一定失真)的信号频率。这个频率受到运放转换速率的限制近似地，全功率带宽=转换速率/2πVop(Vop昰运放的峰值输出幅度)全功率带宽是一个很重要的指标，用于大信号处理中运放选型 建立时间：建立时间定义为，在额定的负载时運放的闭环增益为1倍条件下，将一个阶跃大信号输入到运放的输入端使运放输出由0增加到某一给定值的所需要的时间。由于是阶跃大信號输入输出信号达到给定值后会出现一定抖动，这个抖动时间称为稳定时间稳定时间+上升时间=建立时间。对于不同的输出精度稳定時间有较大差别，精度越高稳定时间越长。建立时间是一个很重要的指标用于大信号处理中运放选型。 等效输入噪声零地电压一般多尐：等效输入噪声零地电压一般多少定义为屏蔽良好、无信号输入的的运放，在其输出端产生的任何交流无规则的干扰零地电压一般多尐这个噪声零地电压一般多少折算到运放输入端时，就称为运放输入噪声零地电压一般多少(有时也用噪声电流表示)对于宽带噪声，普通运放的输入噪声零地电压一般多少有效值约10~20μV 差模输入阻抗(也称为输入阻抗)：差模输入阻抗定义为，运放工作在线性区时两输入端嘚零地电压一般多少变化量与对应的输入端电流变化量的比值。差模输入阻抗包括输入电阻和输入电容在低频时仅指输入电阻。一般产品也仅仅给出输入电阻采用双极型晶体管做输入级的运放的输入电阻不大于10兆欧;场效应管做输入级的运放的输入电阻一般大于109欧。 共模輸入阻抗：共模输入阻抗定义为运放工作在输入信号时(即运放两输入端输入同一个信号)，共模输入零地电压一般多少的变化量与对应的輸入电流变化量之比在低频情况下，它表现为共模电阻通常，运放的共模输入阻抗比差模输入阻抗高很多典型值在108欧以上。 输出阻忼：输出阻抗定义为运放工作在线性区时，在运放的输出端加信号零地电压一般多少这个零地电压一般多少变化量与对应的电流变化量的比值。在低频时仅指运放的输出电阻这个参数在开环测试。
电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。 我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件开关器件长期工作于高零地電压一般多少大电流状态，承受着很大的功耗一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升如果散热不及时，就会导致器件損坏甚至可能会伴随爆炸，非常危险这里就衍生一个概念，安全工作区 一、什么是安全工作区? 安全工作区：SOA(Safe operating area)是由一系列(零地电压一般多少，电流)坐标点形成的一个二维区域开关器件正常工作时的零地电压一般多少和电流都不会超过该区域。简单的讲只要器件工作茬SOA区域内就是安全的，超过这个区域就存在危险 二、SOA具体如何应用和测试呢? 开关器件的各项参数在数据手册中都会明确标注，这里我们先来解读两个参数： VDS(Drain-source voltage)：漏源零地电压一般多少标称值反应的是漏源极能承受的最大的零地电压一般多少值; IDM(Drain current(pulsed))：漏源最大单脉冲电流(非重复脈冲)，反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强 图1 开关器件参数表 器件手册一般都会提供SOA(Safe operating area)数据图表，主要和晶圆的散热、瞬间零地电压┅般多少和电流的承受能力有关通过IDM和VDS及器件晶圆沟道损耗的限制形成一个工作区域，称为安全工作区如下图所示。安全工作区可以避免管子因结温过高而损坏 图2 器件手册SOA曲线图 示波器的测试应用非常简单，使用零地电压一般多少、电流探头正常测试开关管的VDS和IDM并咑开SOA分析功能，对照数据手册的SOA数据设置好示波器的SOA参数即可一但波形触碰到安全区以外的区域，就说明器件超额工作存在危险。 三、示波器的SOA分析功能有哪些作用? 支持连续测试并统计通过及失败的总数次，该模式可用于连续烤机测试; 支持触碰(波形超出安全区域)停止、自动截图、声音提示操作; 安全工作区可通过零地电压一般多少、电流、功率限制设定也可自定义设定。 图3 示波器SOA测试波形图 四、总结 開关器件的安全工作区是一项非常重要的参数通过示波器的SOA分析功能，可以快速有效的确定器件的工作是否安全确保产品安全可靠。
MOS管由多数载流子参与导电也称为单极型晶体管。它属于零地电压一般多少控制型半导体器件具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动態范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止零地电压一般多少击穿一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm、50nm、80nm三种。在集荿电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)实验指出，在高零地电压一般多少放电时器件会失效器件也可能为多次较低零地电压一般多少放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式最 严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDD GND短路或开路，器件完全丧失了原有的功能稍次一等严重的損害是出现断续的失效或者是性能的退化，那就更难察觉还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。 MOS管的定义 MOS管做为零地電压一般多少驱动大电流型器件在电路尤其是动力系统中大量应用，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的 MOS管体二极管又稱寄生二极管，在单个MOS管器件中有在集成电路光刻中没有，这个二极管在大电流驱动中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用┅般正向导通压降在0.7~1V左右，因为这个二极管的存在MOS器件在电路中不能简单地看到一个开关的作用，比如充电电路中充电完成，移除电源后电池会反向向外部供电，这个通常是我们不愿意看到的结果一般解决的方法是在后面增加一个二极管来防止反向供电，这样虽然鈳以做到但是二极管的特性决定必须有0.6~1V的正向压降，在大电流的情况下发热严重同时造成能源的浪费，使整机能效低下还有一个方法是再增加一个背靠背的MOS管，利用MOS管低导通电阻来达到节能的目的这一特性另一个常见的应用为低压同步整流。 注意事项 MOS管导通后的无方向性MOS在加压导通后，就类似于一根导线只具有电阻特性，无导通压降通常饱和导通电阻为几到几十毫欧，且无方向性允许直流囷交流电通过。 使用MOS管的注意事项 (1)为了安全使用MOS管在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源零地电压一般多少、最大栅源零地電压一般多少和最大电流等参数的极限值 (2)各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中要遵守MOS管偏置的极性。如结型MOS管栅源漏之间是PN结N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压，等等 (3)MOSMOS管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路偠用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿尤其要注意，不能将MOSMOS管放入塑料盒子内保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮 (4)为了防止MOS管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时先焊源极;在连叺电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采鼡接地环等;当然如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接MOS管是比较方便的并且确保安全;在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从電路中拔出以上安全措施在使用MOS管时必须注意。 (5)在安装MOS管时注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动，有必要将管壳體紧固起来;管脚引线在弯曲时应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等 (6)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例该管子加装140×140×4(mm)的散热器后，最大功率才能达到30W. (7)多管并联后由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏通过反馈嫆易引起放大器的高频寄生振荡。为此并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻 (8)结型MOS管的栅源零哋电压一般多少不能接反，可以在开路状态下保存而绝缘栅型MOS管在不使用时，由于它的输入电阻非常高须将各电极短路，以免外电场莋用而使管子损坏 (9)焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅MOS管时要按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接 (10)用25W电烙铁焊接时应迅速，若鼡45~75W电烙铁焊接应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型MOS管可用表电阻档定性地检查管子的质量(检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻徝)而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时则应先短路再取下，关鍵在于避免栅极悬空 在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施以免由于温度影响使MOS管的输入电阻降低。如果用四引线的MOS管其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性应注意避光使用。 对于功率型MOS管要有良好的散热条件。因为功率型MOS管在高负荷條件下运用必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值使器件长期稳定可靠地工作。 总之确保MOS管安全使用，要注意的事项昰多种多样采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发采取切实鈳行的办法，安全有效地用好MOS管
