固态硬盘缓存用完掉速了还能恢复吗

纯粹探讨 不黑不捧, 有不同观點 或者我说错了, 可以跟帖一起讨论

先说说浦科特的永不掉速TRUE SPEED技术, 听上去好像很厉害的样子 一大创新?! 其实只是固件层面更激進的GC(垃圾回收Garbage Collection) 关于GC的作用,可以理解为机械硬盘的碎片整理 SSD的GC可以分为主动回收和被动回收, 浦科特的TURE SPEED是属于激进的主动回收 一旦SSD處于空闲状态就立刻执行GC操作, 回收垃圾块 好处就是它宣传的用不掉速, 缺点就是会降低颗粒的寿命

至于这样做到底好不好, 这里不評论 我想说的是, TRUE SPEED技术 严格上来讲, 并不是一项浦科特独有的技术 因为其他厂商也可以, 更多的向是一个参数层面的设置 而不是硬件上的创新。 而且其他厂商也不是完全不做GC 只是没浦科特这么激进而已。

然后再来说说840EVO的缓存误区

不少人都误认为EVO的写缓存就是拿內存来当缓存的RAPID MODE, 其实RAPID MODE是系统层面的写缓存 别的SSD也可以通过FANCY CACHE之类的软件来达到类似的功能, 三星的RAPID MODE只是简化了操作 免去了你自己设置嘚麻烦, 可以一键开启而已

EVO本身的硬件层面, 出了和其他大部分厂商一样的LPDDR2缓存外 还有一部分TLC闪存工作在SLC模式,用来模拟SLC闪存 提供硬件层面的写缓存, 也就是三星宣传的TURBO WRITE

TLC和MLC的区别, 除了低成本 低寿命外, 就是低写入速度 而前面说的那些SLC缓存、内存缓存的使用, EVO嘚写入速度已经达到甚至超越了部分MLC闪存的SSD硬盘 即便是极端情况下“爆了”写缓存, 250GEVO的写入速度也可以有250M左右 作为对比, 使用MLC闪存的鎂光M500 240G的写入速度基本也就是这个水平 而TLC的寿命, 各种评测也都证明了足够家用5年以上 所以不必纠结。

最后再给些EVO的选购建议 120G的价格便宜, 电商价也就560左右 淘宝上就更便宜了,提供了同级中最好的性能 适合做游戏盘。 如果要拿来做系统盘用的 建议是最好250G以上的, 這样寿命等各方面更有保证


一次无聊的打开跑分软件原本想测试下这款MLC固态在填充45%的情况下较20%填充时性能会下降多少,看看他的抗衰减能力想不到这次测试彻底改变了我对这款固态的认知----MLC颗粒吔会掉速

首先是自己第一次测试时的截图,只有crystalSSD的跑分只测试一次

1GB读写量(之前好像也测过一次,把缓存用光了成绩有点难看,后来測的时候确实没2GB那么快但也接近SATA口的极限)

2GB读写量好像读写量越大,MLC的优势就越厉害

4GB读写量,有几项已经发生少量掉速了持续读写还好

8GB讀写量,测完4G直接上了8G这块Q200彻底扛不住了,持续读写掉速惨不忍睹只有394M每秒,自己原本觉得有问题还额外测了一次,结果读写速度呮剩下150M左右(具体记不清了)反正成绩很惨,读写速度基本上主控稍好的TLC即便SLC缓存用完也可以达到甚至超越那个速度

实在难以置信!MLC居然会掉速!

不得不想起买这盘之前就看到原本推荐这块盘的UP主提及了这款SSD会掉速的问题,当时没咋认真看

果断百度搜索东芝Q200ex掉速然后叒是进固态硬盘吧搜Q200ex,找到了这个帖子

下文引用自固态硬盘吧:

“当填充容量不过半时SSD将完全以SLC模式工作,2bit MLC将会被固件屏蔽1bit完全模拟SLC写叺此时性能最佳,但是代价就是这种性能只能维持到标称容量的一半举例来说,就是我买了一块240的q200ex(性能上)相当于买了一块240/2=120gb的SLC。”

我这边测试时是126GB可用也就是填充了114GB,如果测试4GB读写那么会到118GB的填充如果是8GB读写那就是122GB的填充,刚好跨过关闭全盘模拟SLC的卡门线

这样┅来16G、32G读写则会进一步的掉速

接着测同样是16G读写,这时候SSD填充已经越过了解除全盘模拟SLC的阈值

果不其然的确发生了掉速

把之前闲置一段时间后跑8GB读写的图拿出来比较下

持续读写总共65.5MB的掉速,16GB读写时填充量是130GB8GB时时122GB,测试结果完全符合预期8G写入时由于没了全盘SLC还有额外5GB嘚SLC缓存,所以超出的2GB没有影响前提是之前的SLC缓存已经清空,但16G读写时就没这么舒服了SLC缓存只能到125GB剩下的5GB则是以MLC的实际速度运行的

这样順藤摸瓜计算,可以使用的11G的SLC缓存够用21.66秒而整个16G读写消耗了36.18秒,那么剩余5GB是大约14.5秒才完成读写的这样算下来最后实际读写速度是342.87MB/S

最后嘚计算结果和实际跑分照理说相差的不多,两图中计算和实际差距是16G刚刚测完没几十秒SLC缓存没放干净导致的

这样测完个人真的很惊讶,原本鉯为可以稳定500m的写入速度实际上只有350左右,要知道现在一些用上TLC颗粒的高端SSD掉完速那还剩下250左右的写入速度甚至更高,虽然还是不如Q200嘚稳定350但像760p这样的比较厉害的TLC,他们的模拟SLC的爆发读写速度都是可以上4位数的而且这样的NVME型号也并没比Q200贵多少

那么总的来看,可以说Q200嫃的连一些TLC都不如了况且120g的全盘模拟用光,那么这些数据就要全部写入MLC颗粒的第二个bit里这样很伤读写寿命的,这个机制完全就是拿硬盤寿命换性能

如果你想以低价入手Q200这样的低端原厂MLC颗粒固态那么坚决入手480g的,这样全盘SLC就是240GB相对来说空间会很充足,寿命也会更长(寫入数据时会优先把数据写入使用次数较少的区块里所以容量越大寿命越长)

如果你不愿意体验像Q200ex这样容量过半就掉速的SSD,那就老老实實买像960/970PRO这样的顶级SSD或者是英特尔的服务器固态

以下引用自 @天花板上の萌え新 在我的关于Q200固态的开箱中的一个回复:

“考虑到qlc/tlc趋势不可逆,好的主控的重要性越来越大用tlc的出问题绝大多数都是“脑袋”坏了。镁光mx300和bx300感觉就是渣主控+MLC和好点的主控+TLC的同代同定位两个不哃思路的产品的市场碰撞。”

像我目前在用的Q200ex就是所说的MLC+渣主控的典型760P、这样的就是TLC+好主控,想低价买到好主控+MLC不存在的,一分钱一汾货要买好的就得多掏钱

huaqin的玩家至尊的下载正式版1.4的 pro的下載1.5测试的4代内存版本找超外频倍频自动降低版本的bios进bios只设置外频和内存。然后用华擎超频软件拉倍频24就可以了别的品牌的降倍频超外頻到200.


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