mos管工作在饱和区区的mos管的ID为什么不能太大

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-07-02 02:39 标签： mos管饱和区电流公式
> 问题详情
设计图3-12所示电路，要求P沟道EMOS管工作在饱和区，且ID=0.5mA，VD=3V，已知，VGS（th)=-1V，λ=0。
悬赏：0&答案豆
提问人：匿名网友
发布时间：
设计图3-12所示电路，要求P沟道EMOS管工作在饱和区，且ID=0.5mA，VD=3V，已知，VGS(th)=-1V，λ=0。&&
为您推荐的考试题库
您可能感兴趣的试题
1在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运算放大器作放大电路的原因是其上限截止频率太低，难以产生高频振荡信号。
)2当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
)3一般情况下，电压比较器的集成运算放大器工作在开环状态，或者引入了正反馈。
我有更好的答案
请先输入下方的验证码查看最佳答案
图形验证：
验证码提交中……
每天只需0.4元
选择支付方式
支付宝付款
郑重提醒：支付后，系统自动为您完成注册
请使用微信扫码支付(元)
支付后，系统自动为您完成注册
遇到问题请联系在线客服QQ：
恭喜你被选中为
扫一扫-免费查看答案！
请您不要关闭此页面,支付完成后点击支付完成按钮
遇到问题请联系在线客服QQ：
恭喜您！升级VIP会员成功
提示：请截图保存您的账号信息，以方便日后登录使用。
常用邮箱：
用于找回密码
确认密码：mos管饱和问题_百度知道
mos管饱和问题
当Vds增大后，书上说超过一定大小，则沟道被切断，再增加Vds，则不影响电流（不考虑沟道效应），我有两个问题，1 沟道变化相当于ds两端的电阻变化，即使说沟道后来切断不变化了，相当于ds间电阻不变了，但电流应该取决于电压与电阻，ds间电压还在变，那么为什...
沟道被耗尽层切断以后，由于耗尽层的电阻远大于沟道电阻，所以Vds电压增加部分几乎全部加在了耗尽层上，导电沟道上的电压几乎不变，所以Id几乎不变。
采纳率：46%
为您推荐：
其他类似问题
您可能关注的内容
mos管的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。场效应管在预夹断后，为什么VDS在较大的范围内变化时，漏极电流ID保持基本不变？
查看: 2856|
摘要: 场效应管在预夹断后，为什么VDS在较大的范围内变化时，漏极电流ID保持基本不变？
本题所述的状态，实际上是场效应管处于恒流区的工作情况。为了能解释清楚场效应管的恒流区，本题以增强型N沟道场效应管为例。
&&&&&&&&图1所示为增强型N沟道场效应管的内部结构图，图中P型衬底上扩散了两个高浓度的N＋区，在器件表面生成一层SiO2绝缘层，并引出三个电极。
图1 增强型N沟道场效应管的内部结构和电路
&&&&&&&&学习场效应管的时候我们知道，当VGS电压大于开启电压VT后，在SiO2层下方两个高浓度N+区之间会感应生成层（由于该层载流子为电子，与衬底P的多子—空穴相反，所以也称反型层），即形成导电沟道。如果此时再加上VDD电压并逐渐增大，则靠近漏极端的VGD（=VGS－VDS）电压会逐渐减小，并趋向反向。因此，两个高浓度N+区间感应的电子层会在靠源极端厚，靠近漏极端簿的楔型形状，如图2所示。
图2 VGS-VDS=VGD&VT时的沟道（沟道尚未夹断的情况）
&&&&&&&&调节VDD，使VDS增加，当VGD=VT时，漏极端的感应电子层正好消失，这时的沟道称为预夹断。由于预夹断处沟道内电子无法停留，所以此时整个沟道的电阻几乎都集中在预夹断点上。此后，当VDS增加时，预夹断点将向源极延伸。在延伸的过程中，可以证明预夹断点延伸的长度Δ将和VDS的增加速率成正比。因此，在VDS≥VT的一个较大范围内，场效应管表现出其漏极电流基本不变的特性。
图3 VGS－VDS&VT沟道预夹断后的情况
上一篇：下一篇：
看过《场效应管在预夹断后，为什么VDS在较大的范围内变化时，漏极电流ID保持基本不变？》的人还看了以下文章:
Powered by &
这里是—这里可以学习 —这里是。
栏目导航：EETOP博文推荐：MOS管为什么会有饱和区特性的一个解释
我的图书馆
EETOP博文推荐：MOS管为什么会有饱和区特性的一个解释
MOS管为什么会有饱和区特性的一个解释作者：gaojun927MOS有饱和区特性这件事据说Tsividis用河流与大坝模型来解释。这里我想用一个半物理半形象的模型来解释一下。首先回顾一下电流是怎样形成的，这有利于我们下面的分析。半导体中载流子运动方式一种是漂移，主要是多子在电场影响下移动。另一种是扩散，主要是少子在浓度影响下移动。Mos是多子器件，因此以漂移为主。我们就忽略扩散效应。当以漂移为主时，电流就等于截面积的电荷Q乘以迁移率u再乘以电场强度E。如果是普通导体，各个截面积的电荷不同，但是电流是连续的，也就意味者各处电场强度不同。但是电场强度沿电流方向的积分就是电势。从这个就可以推导出电阻串联的公式。电压在电阻高的地方分配的多，电阻低的地方分配的少以保证电流的连续性。MOS的特性有些特殊。他的电荷与该处的电势有关系（因为在正常工作时，主要都是反型层电荷）。当VGS大于VTH，VDS等于0时，沟道电势完全相等，各处的反型层电荷也完全一样多。这是一个非常好的均匀电阻。此时可以等效算出一个等效电阻。但是如果维持VGS不变，当VDS轻微增加δV时，可以想象的到，由于源端的电势不变，因此源端的电荷基本不变；漏端的电位增加，漏端电荷开始减少。相应的，漏端等效电阻变大，电场强度也大一些。对整个沟道而言，电流也会增加，但是在源端来看，他得到的电场强度增加量比平均分配的要少一些，意味者此时的动态电阻比VDS为0时要大一些。所以I-VDS曲线不会是沿着直线变化，而是逐渐向下偏离。当VDS逐步增加时，总有一天会导致漏端的电荷为0。当这个时刻到来时，再增加δV，压降就会全部落在漏端这一点上，而源端到漏端的电荷与电场强度再也不发生变化，这就是VDSAT点。在这点动态电阻开始变为无穷大，电流不再变化，MOS管从线性区进入饱和区。如果我们假定当VDS=VGS-VTH时，载流子浓度突变为0，那么这就意味者夹断区域（载流子为0的区域）长度为无穷小，饱和区输出阻抗为无穷大。这是由于如果夹断区域不是无穷小，那么夹断区是绝缘的，一个绝缘材料串联一个导体会使得电流为0。但实际并没有这种无穷小存在。在前面的推导中，载流子浓度突变为0来自于耗尽层近似，同时忽略了少子扩散。当考虑到以上两个效应后，可以知道在这个区域载流子浓度非常小，但不是0，增加的压降仍然会落在这个区域，但是这个区域长度非常小，电势差近似为vdsat，因此场强非常大，并且会随着VDS增加而变化，输出阻抗也不见得是无穷大。这就解释了为什么MOS会有饱和区特性。同时从上面的描述可以看出，在夹断区域载流子浓度不是0，我们也无需讨论为什么夹断了，电流还能流过这个区域。另一方面，在传统的推导中，会出现当VDS大于VDSAT，电流下降的曲线。然后书中直接说在VDSAT点取极值得到分区模型。其实这是由于在推导使用的电荷公式只适合反型区域。当变为耗尽区时，公式会推导出负的载流子浓度从而导致错误。前面的讨论不是很严格，有很多隐含的假设前提。但是基本的大框架还是物理的。所以可以作为一个简化模型形象理解公式推导。如果想进一步严格的用公式推导，可以参考《用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型》这个书。该书中作者就从最基本的前提出发，列出公式，然后使用一步步简化假设求解公式，从而得到了不同的器件模型。我们也很容易从这个过程中看出，是哪个假设导致了简化模型的差异关注微信号eetop-1，回复关键词 mos，阅读相关文章MOS器件的深度解析MOS开关、互补开关、CMOS开关、传输门、马鞍曲线仿真方法浅谈MOSFET有多少种“击穿”？根据PDK仿真得到MOSEFET的手算参数（K,Vth）如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet
喜欢该文的人也喜欢

我要回帖

更多关于 mos管饱和区电流公式 的文章

 

随机推荐