Si(100)和Si(111)衬底上的同质分子束外延--《复旦学报(自然科学版)》1987年04期
Si(100)和Si(111)衬底上的同质分子束外延
【摘要】：正 由于硅材料在大规模集成和微结构器件中应用最广,工艺最成熟,以硅为基础的分子束外延材料因此而倍受关注.例如,在硅衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族半导体和在Ⅲ-Ⅴ族半导体上生长硅,有可能使微电子器件和光电子器件集成在同一芯片上;硅/绝缘体/硅和硅/硅化物/硅单晶结构的生长是实现三维集成、提高集成度的有效途径之一.根据现在已有的实验结果和文献报导,要获得一个界面缺陷少、电学和光学特性优良的异质器件,衬底表面的清洁处理和同质分子束外延生长一个缓冲层是器件制备过程中极为主要的.本文选用φ39mm、n型的Si(100)和φ34mm、p型的Si(111)单晶片为衬底,探讨了它们的清洁处理和同质生长条件.
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例句与用法Southern min tone sandhi and the allomorph selection hypothesis闽南语连读变调与词素变体选择假设&&
英文解释a variant phonological represen "the final sounds of `bets'' and `beds'' and `horses'' and `oxen'' are allomorphs of the English plural morpheme"any of several different crystalline forms of the sa "calcium carbonate occurs in the allomorphs calcite and aragonite"
百科解释In linguistics, an allomorph is a variant form of a morpheme. The concept occurs when a unit of meaning can vary in sound without changing meaning.详细百科解释
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> JACS封面：中科大俞书宏课题组胶体纳米晶合成新策略——基于前驱物诱导制备同质异相硫化物纳米异质结
JACS封面：中科大俞书宏课题组胶体纳米晶合成新策略——基于前驱物诱导制备同质异相硫化物纳米异质结
X-MOL发布于
精确调控纳米晶的结构和形貌以及探究其形成机理是目前胶体湿化学方法合成纳米晶研究的焦点。Cu2-xS是一类传统的半导体材料，随着x值的变化可以实现由半导体向金属的转变。基于传统的合成方法，人们对于单一组分和不同物相的Cu2-xS的研究已经做了大量工作。纳米异质结因为能够集成不同材料组分的优势而获得优于单一组分的协同效应而受到广泛关注。设想如果把半导体性的Cu2S和金属性的CuS复合在一起，在同质异相的界面处一定会表现出奇特的性质，但是由于合成过程中物相的不可控性以及Cu+自身的流动性使这一想法难以实现。近日，中国科学技术大学俞书宏教授（）课题组与李震宇教授（）课题组合作，设计出了一种独特的同质异相硫化物半导体纳米异质结，并在光电转换方面展现出优异性能。研究人员采用胶体湿化学“前驱物诱导”方法制备出了一种哑铃状的同质异相异质结Cu1.94S-CuS，即把一维半导体性的Cu1.94S和二维金属性的CuS复合在一起形成特殊的自耦合界面。图1、Cu1.94S-CuS异质结的结构表征(a) 扫描电镜照片；(b) 低倍率透射电镜照片；(c) 高倍率透射电镜照片和晶体结构示意图；(d) 高分辨电镜透射照片；(e) 元素面分布照片。图2、Cu1.94S和CuS的结构表征(a)Cu1.94S元素面分布照片和晶体结构示意图； (b) CuS元素面分布照片和晶体结构示意图。在合成过程中，Mn(S2CNEt2)2前驱物起到至关重要的作用，它可以诱导和控制Cu1.94S到CuS的相变过程，使形成的Cu1.94S-CuS异质结可以稳定存在并实现分离。这种独特的Cu1.94S-CuS纳米异质可有效吸收太阳光的可见和近红外区域。图3、含Mn前驱物诱导Cu1.94S、Cu1.94S-CuS和CuS的形成机理示意图图4、Cu1.94S、Cu1.94S-CuS和CuS的性质表征(a,b) Cu1.94S、Cu1.94S-CuS和CuS的光电子能谱表征；(c,d) &Cu1.94S、Cu1.94S-CuS和CuS的紫外-可见-近红外吸收和光响应性能表征。通过密度泛函理论计算表明，Cu1.94S作为窄带隙半导体，由于存在Cu缺陷位，表现出显著的莫斯-布尔斯坦效应，使其在可见光区有良好的吸收效率，而CuS则具有明显的二维金属性，在近红外波段有强的光吸收。在自耦合哑铃型异质结中，二者功函数的差异导致电子从Cu1.94S流向CuS，界面处存在电荷分离层。能带带阶结构分析表明，异质结具有类type-II的能带特征，同时其独特的哑铃型结构，大大增加了CuS高导电面和工作电极的接触几率，促进了体系中光生电子和空穴的分离和传输，显著提升了其在光电转换应用中的性能。图5、Cu1.94S-CuS界面的理论计算模型(a) &Cu1.94S(100)和CuS (100)界面处的态密度计算结果；(b) Cu1.94S (100)和CuS (100)界面处的电子空穴分布模型；(c) &Cu1.94S (100)和CuS (100)界面处的能带接触和电子转移模型。该研究成果以Front Cover形式发表在JACS上（J. Am. Chem. Soc., 2016, 138, ），并被JACS Spotlights以“Heteronanostructure Polymorphs with Enhanced Photoelectrochemical Properties”为题选为研究亮点。这种通过前驱物诱导合成硫化物纳米异质结的方法，是对现有纳米晶通用合成策略的有效补充，有助于人们精确控制纳米材料的结构和深入理解其形成机理，同时这种无贵金属参与的纳米异质结为传统半导体的光电应用提供了新的设计思路。该论文作者为：Shi-Kui Han, Chao Gu, Songtao Zhao, Sen Xu, Ming Gong, Zhenyu Li, Shu-Hong Yu原文（扫描或长按二维码，识别后直达原文页面）：Precursor Triggering Synthesis of Self-Coupled Sulfide Polymorphs with Enhanced Photoelectrochemical PropertiesJ. Am. Chem. Soc., 2016, 138, , DOI: 10.1021/jacs.6b06609导师介绍俞书宏教授李震宇教授X-MOL材料领域学术讨论QQ群（）
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