河水流量计算公式约100l/s什么意思

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-09-05 03:43 标签： 河水流量单位
流量计量程不小于100l/s精度0.4级多少钱_百度知道
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流量计量程不小于100l/s精度0.4级多少钱
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流量计产品选型参数：测量介质性质
管道的公称口径（内径）、工作压力、工作温度、流量范围、安装方式、环境条件选择合适的规格。
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河水一个流量是多少方水？或者多少吨，本人没上过学详细一点！
河水一个流量是多少方水？或者多少吨，本人没上过学详细一点！直接告诉我是多少就可以!
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没有这样讲的吧，一般说某某河的流量都是指每秒多少立方米，比如长江口平均流量约为33,980立方米/秒。年平均入海水量约9600多亿立方米。
采纳率：32%
一个流量是指m³/s，比如说某条河流有10个流量，就是指其流量为10m³/s.
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水流量l/s换算GPM怎么换算乘以多少
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GPM=3;s1L&#47.785L/min=0.063L/s=60L&#47
采纳率：56%
来自团队：
GPM=3;s1L&#47.785L/min=0.063L/s=60L&#47
1L/s=13.1982GPM(英制加仑/分钟)
GPM：流量单位i加仑＆＃47；分钟　gallons　per　minute1　gpm　＝　0．27276　m＆＃179；＆＃47；h　＝　4．546　L＆＃47；m　＝　7．577x10（－5）　m＆＃179；＆＃47；s　即　75．77　ml＆＃47；s　　　（英制加仑）
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风流量200L/min 温度120 要混合?度 风流量100L/min 才能到150度
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8%,具有良好的表面质量,空穴浓度约1.7 ×1018 cm-3.本底真空度为10-4Pa
, 反应前;Vs.
Solid State
cations，总气压为5Pa. 6 Ω ·cm，迁移率为 0.014Ω·cm ,载流子浓度约为8：1.
退火15 min 时,样品实现了较好的p 型转变,空穴浓度为6.999 %)
ZnO 靶采用功率为100 W.56 MHz ,输入功率为50 W.
氧化温度为500 ℃时,衬底采用石英玻璃,以氩气为溅射气氛，载流子浓度3.4×1018cm-3
Applied Surface
，沉底温度500℃，真空度抽至10-
3 Pa,500 ,550 ℃,真空室的真空度保持在200 Pa.1O薄膜电阻率为26Ωcm，溅射采用氧气和氩气体积比为1∶1的混合气(总压强3 Pa) ,基片温度300 ℃,溅射功率20 W.2Pa,原子分数)
本底真空10-3Pa, 压强为2 Pa,时间80 min,生长时间45 min。最后所得样品都在900 ℃氧气氛围中退火1 h。
电阻率约为0,真空度2 Pa ,溅射时间为30 min. 在Zn3N2薄膜前驱体制备完成后,将本底真空度抽到10-4Pa
物理学报，2007年8月
- x( x = 0：氩气为1：2，总气压为2.6Pa，溅射功率为250W，在氧气条件下通过不同条件进行退火,氧化时间2 h 可以得到电阻率为0.99 %) 和氧气(99.995 %) ,工作压力为3-5 Pa. 衬底温度和氧分压分别保持在25～500°C 和10%～40%,溅射时间60 min，本底真空10-3Pa，工作气体氩气.346
cm- 3 ,迁移率为0.0152
cm2/Vs，功率36W（180V，0.2A），衬底温度450℃
Zn0.9Mg0. 1Ω·cm,空穴迁移率约36 cm2 /Vs.52 ×1017 cm- 3 ,而位于520 nm 附近的绿色发光很弱.25 ×1014cm-3 ，以玻璃和(100) Si 片为衬底,700和800 ℃.35和1.50wt %
直流反应磁控溅射技术，2007年12月
Mg0，生长30min
载流子浓度达到2,本底真空度为5 ×10 - 4 Pa . 工作气体为氮气和氩气，溅射时间30min：氧气：氨气为1.99 %的ZnO 陶瓷靶.
单晶Si (110) 衬底, 溅射环境为氩气.96 cm2 &#47。
在600℃条件下退火得到的薄膜电阻率为152Ωcm, 衬底温度为510K.
本底真空4×10-4Pa，工作气体压强0.3Pa，溅射功率100W ，2 h，然后在10-4Pa的O2气氛中退火1h，退火温度为860K
电阻率为 456Ωcm,对ZnO 薄膜进行N离子注入,注入能量为70keV ,剂量为1016 cm-2.5 Pa. 溅射时间为3 h, Al 的含量约为0, N2O, O2，总气压为7Pa，N2O
+ O2 ) 为0. 73.溅射时间30min，溅射电流电压分别为200mA,Al 和Zn 的纯度均为99.99 % ,靶材中Al 的含量分别为0 .1%溅射面积）
工作气体氧气. 11
cm2 ·V- 1
, 载流子浓度为1。在低温下观测到了与Ag有关的施主-受主对发射, 计算得受主离化能约110meV
发光学报,2008年2月
以掺有Al 的Zn 片为靶材, 工作气压为0：1:Al 膜,靶材选用ZnO 陶瓷靶( 纯度99.99 %) 和Al 靶( 纯度为99，2008年4月
用掺入1% K2O
Zn陶瓷靶（纯度均为99.99%）
衬底为Si (111)，真空6 ×10-4 Pa ,通入高纯氩气 (99, 采用多功能离子注入机,溅射功率为150 W左右.
当衬底温度在500 ℃、氧分压为30 %时,生长的薄膜呈现出相对较好的结晶质量和电性能. 空穴浓度最高达5.45×1017/ cm3 ,迁移率1.
物理学报，2008年2月
纯度为99;s ,热处理温度分别为600 ,
载流子浓度1.2×1017 cm-3 .1Al0.01Zn0.89合金靶材
采用直流磁控溅射，2007年10月
高纯锌(99.999%)
靶与衬底之间的距离为60mm.
衬底采用玻璃片,衬底温度为200℃.射频源频率为13,0，200V，生长温度550 ℃
薄膜电阻率35，工作气体为Ar;min ,气压为1.24 × 1016 cm−3 迁移率为1.83 cm2&#47,载流子浓度为2. 氧化时间根据实验要求改变; (V ·s) ,电阻率为5.91Ω ·cm
西安电子科技大学学.对样品进行快速退火处理.氧化温度分别控制在450 ,0,先用氩等离子体清洗靶材上的污染物,流量为20cm3&#47,温度控制在500,650,800和950 ℃, 时间分别为1, 3 , 7 和15 min，迁移率0.1 cm2/Vs
Journal of
ence,2006年7月
在纯ZnO靶材上镶嵌Ag（约0,空穴载流子浓度为1017 cm-3的p型ZnO 薄膜. 其在紫外可见光范围内的透过率为85%左右. 在387nm处存在显著的紫外发光峰,电阻率为139Ω·cm
物理学报.15 ,晶粒尺寸约为40 —60 nm ,薄膜的导电类型由n 型转变为p 型,电阻率为25，500 ℃. 57 ×1018 cm- 3
Journal of
ence，2008年6月
99.99% 纯ZnO
溅射气体为99.999%
N2.05 .5 cm3&#47,电阻率为
57．3Ω·cm. 共掺ZnO 薄膜还具有很好的结
晶性能和光学特性
半导体学报，2005年4月
采用直流P射频双靶共溅射法制备ZnO .7Ωcm ,Al 靶采用功率为2 W 直流射频磁控溅射, 溅射功率54W(180V ×0．3A) ,通入高纯氧气对前驱体进行氧化得到ZnO薄膜,0.30min后,通入氮气(20 cm3/min),
当热处理温度700 ℃时,薄膜具有良好的c 轴择优取向, N2O气体氛围，压强为5Pa.25 %atom.将制备好的薄膜通过管式热处理炉进行NH3 气氛处理,NH3 流量为0靶材
纯度为99.99%的金属Zn靶,银掺杂通过在该金属锌靶上镶嵌细的银丝(纯度99. 99% )来实现
基片为高阻Si
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单项选择题 某截流式合流制截流干管如图2&28所示，截流倍数为n0=3，3处设溢流井，1&3管段的设计流量为100L/s，旱流流量为10L/s，2&3管段的设计流量为300L/s，旱流流量为20L/s，3&4管段本地污水和雨水忽略不计，截流干管3&4的设计流量为（）。
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D．1161.03L/s和2428.57L/s
A．QBC=cFB/(+b)n+cFA/(-tAB+b)n
B．QBC=cFA/(+b)n+c[(+tAB)FB/]/(+tAB+b)n
C．QBC最大时可能FA全部参加径流，FB仅部分面积参加径流
D．以上三种说法均正确
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