IS62WV51216BLL-55TLI | ISSI IS62WV51216BLL-55TLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 44针 TSOP封装 | ISSI
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制造商零件编号
IS62WV51216BLL-55TLI
ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源：1.8V/3.3V/5V提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP提供的配置选择：x8 和 x16ECC 功能可用于高速异步 SRAM
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存储器大小8Mbit
组织512k x 16
字组数目512k
每字组的位元数目16Bit
最长随机存取时间55ns
位址总线宽19Bit
安装类型表面贴装
封装类型TSOP
引脚数目44
尺寸18.52 x 10.29 x 1.05mm
高度1.05mm
长度18.52mm
最大工作电源电压3.6 V
宽度10.29mm
最高工作温度+85 °C
最小工作电源电压2.5 V
最低工作温度-40 °C
单价（不含税） 个
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ISSI IS62WV51216BLL-55TLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
IS62WV51216BLL-55TLI
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ISSI IS62WV51216BLL-55TLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
IS62WV51216BLL-55TLI
包装方式：
什么是行业标准包装？
随时可以直接上机的以卷盘或管状包装的产品。为您减少浪费并提高生产效率。
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本声明确认：下述产品符合当前RS媒体中发表的规范并通过RS Components 内部管理系统制定的严格的质量条件检测。此外，本声明确认：所有相关半导体设备的处理和包装条件符合ANSI/ESD S20.20 和EN静电标准的行政和技术要求。
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ISSI IS62WV51216BLL-55TLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
供应商/品牌
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IS62WV51216BLL-55TLI
上述信息与如下所示的产品销售日期或销售后的日期相关.
欧时电子元件（上海）有限公司
Aug 7, 2017
欧时电子元件(上海）有限公司, 上海市黄浦区延安东路618号东海商业中心二期23楼 200001
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STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
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我用STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll），现在遇到了只能写一次，能读出来显示，但是第二次就写不进了。如果断了电再写就可以，但还是只能写一次，代码是照战舰上写的，，，，，，求大神指点一下，急用
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ST金币1512
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
写不进去提示的是什么？
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
同楼上疑问？有什么错误提示？
先把软件更新到最新试试看
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
http://www.stmcu.org/bbs/article_244_535442.html&&参考一些这个帖子
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回复:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
你确定电路没问题？你测量一下读写脚的电平是否到了要求
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
同义楼上观点.第一次读写没问题说明基本没有问题,建议仔细检查第二次读写的代码..
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
1、第二次就无法写入， 你要确认是无法写入，还是写入了无法读出。
这是两个问题。
2、建议把你的代码贴出来看看， 是写入地址就不准确还是代码本身就有问题。
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RE:STM32的FSMC外扩SRAM（IS62wv51216Bll）
既然你的代码是照战舰写的，你的接线图是不是和他的一样呢？如果一样，你可以看看他的手册，讲解的很清楚的，实在不行，就去问问原子大哥吧
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我也是遇到了同样的问题，原理图是按照原子的，程序也是按照他的，现在也只能测试写入一次，读出来一次，再次写入的时候就会重启，楼主的问题解决了吗？求教
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ST金币2176
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看看，，，，，，，，，，，，
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Powered byIS62WV51216BLL-55TLI
器件型号：IS62WV51216BLL-55TLI
器件类别：存储器文件大小：129.24KB，共16页
厂商名称： [Integrated Silicon Solution, Inc]
厂商官网：
IS62WV51216BLL-55TLI
512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
512K × 16 标准存储器, 55 ns, PDSO44
IS62WV51216BLL-55TLI功能数量
IS62WV51216BLL-55TLI端子数量
IS62WV51216BLL-55TLI最大工作温度
IS62WV51216BLL-55TLI最小工作温度
IS62WV51216BLL-55TLI最大供电/工作电压
IS62WV51216BLL-55TLI最小供电/工作电压
IS62WV51216BLL-55TLI额定供电电压
IS62WV51216BLL-55TLI最大存取时间
IS62WV51216BLL-55TLI加工封装描述
铅 FREE, 塑料, TSOP2-44
IS62WV51216BLL-55TLI无铅
IS62WV51216BLL-55TLI欧盟RoHS规范
IS62WV51216BLL-55TLI状态
IS62WV51216BLL-55TLI工艺
IS62WV51216BLL-55TLI包装形状
IS62WV51216BLL-55TLI包装尺寸
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
IS62WV51216BLL-55TLI表面贴装
IS62WV51216BLL-55TLI端子形式
IS62WV51216BLL-55TLI端子间距
IS62WV51216BLL-55TLI端子涂层
IS62WV51216BLL-55TLI端子位置
IS62WV51216BLL-55TLI包装材料
塑料/环氧树脂
IS62WV51216BLL-55TLI温度等级
INDUSTRIAL
IS62WV51216BLL-55TLI内存宽度
IS62WV51216BLL-55TLI组织
512K × 16
IS62WV51216BLL-55TLI存储密度
8.39E6 deg
IS62WV51216BLL-55TLI操作模式
ASYNCHRONOUS
IS62WV51216BLL-55TLI位数
524288 words
IS62WV51216BLL-55TLI位数
IS62WV51216BLL-55TLI内存IC类型
标准存储器
IS62WV51216BLL-55TLI串行并行
该厂商的其它器件
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电话:(010)
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IS62WV51216
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请不吝赐教，非常感谢！
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