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省天天低价，畅选无忧低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试
日 00:57&&&出处：&& 作者:吴愧&& 编辑:吴愧
● 工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%
　　 众所周知，半导体芯片的功耗与晶体管数成正比，与工作电压的平方成正比，所以电压对其功耗与发热的影响最大。和/GPU的发展类似，DRAM在提高频率和容量的同时，电压也在不断的降低。DDR1的标准电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。
　　 理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%！
　　 但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好的印象。
● 使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降
　　 时代在发展工艺在进步，DDR3作为最新产品自然会使用最先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降33%，还不到DDR2的一半！
　　 现在众多笔记本品牌都开始标配DDR3内存，笔记本领先台式机开始普及DDR3，虽然笔记本CPU尚无法利用到DDR3内存的巨大带宽，但超低的功耗是非常诱人的，一些专为笔记本设计的内存将电压进一步降至1.35V，功耗仅为DDR2的37%，确实不可思议。
DDR3内存再次超越推出1.35V产品
　　 根据JEDEC的规范标准，通过提升硅晶圆芯片制造工艺而降低核心IO电压以提升性能的DDR3内存模组，会推出称作为DDR3L的低电压版本内存规范，新标准规定电压为1.35V，比较当前的1.5V标准还要低，这将会在绝大多数主流产品中节能20%。更低的电压意味着工艺更加成熟、功耗更低，甚至超频性能也会比普通内存要更加出色。
1.35V DDR3内存
　　 新低电压内存将会和当前现存的1.5V版本DDR3内存相互兼容，但前者并不会受到原有规范的制约，所有基于JEDEC规范的DDR3内存模组都会配备SPD（serial presence detect）芯片，该芯片EEPROM存储于SMbus之上，其中包括内存模组将提供给系统的容量以及模组特征信息，包括电压，因此系统就能够借此固件信息兼容支持最新的DDR3L内存模组。同时模内标签也做了相应变动：面向普通的常规产品是“PC3L”，面向嵌入式产品的则是“EP3L”。
　　 来自AMD公司的JC-42.3内存发展委员会主席Joe Macri表示，全新的低电压内存标准和整个业界有关于低功耗节能设计准则相吻合，为内存技术推进发展委员会还会继续就此方面进行论证和研究，未来不排除推出1.25V甚至更低电压的内存产品，而系统的研发人员也会就此考虑采用更低能耗设计标准的产品。
1.35V内存比1.5V低2-3W功耗
　　 低电压内存也更符合我们环保的概念，使用低电压内存后整机的功耗都会降低。下面是国外某网站用1.5V DDR3内存与1.3V DDR3内存做的功耗对比测试。
　　 这两组成绩，表示的是在轻负载和重负载这两种环境下，普通1.5V内存和1.35V低电压内存的对比，从数据来看，低电压内存比普通内存要低处2W-3W 左右。
金士顿低1.35V DDR3-1600内存
　　 不久前金士顿发布了最新绿色低电压版本的HYperX内存模组产品，定义为全新的LoVo（low voltage）系列，工作电压1.25V到1.35V，低于DEC标准1.5V，也低于英特尔限定的1.65V。近期泡泡网就收到这款金士顿4GB DDR3 V内存套装，下面我们一起来看看此款产品。
　　 金士顿低电压版HYperX内存外包装并没有大的变化，不过台湾发售的低电压版HYperX内存外包装以及重新设计过(）。
　　 为了配合低电压、绿色环保的特点，金士顿LoVo（low voltage）系列内存一改以往金士顿HYperX系列的蓝色散热片，改用以绿色为主的散热片，进一步贴近了绿色环保的主题。
　　 金士顿此款内存编号为KHXLK2/4GX，其规格为双通道2GB*2 DDR3 1600MHz，电压值为1.35V，同时内存时序为9-9-9-27。消费者可以登录金士顿官方网站进行真伪查询，提供终身质保等售后服务。
测试平台及软件介绍
　　 为了测试金士顿低电压版DDR3 1600MHz性能，笔者选用Intel&&750 CPU，针对其低压性能，我们将不做任何调整完全在默认值下完成。
● 测试软件
　　 EVEREST Ultimate Edition：专项测试软件，对内存性能有比较详细的测试。这里我们取的是内存的读性能测试和写性能测试。
金士顿4GB DDR3 V内存详细信息
　　 PCMark Vantage：它是可以衡量各种类型PC的综合性能。从多媒体家庭娱乐系统到笔记本，从专业工作站到高端游戏平台，无论是在专业人士手中，还是属于普通用户，都能在PCMark Vantage里了解透彻，从而发挥最大性能，它是一款最贴近应用的测试项目。
性能对比测试：比普通内存性能高
　　 在大家常见的Everest Ultimate Edition测试中，我们通过内存复制和内存潜伏的测试，非常明确的看到金士顿4GB DDR3 V内存Read达到14404MB/S、Wirte 11586MB/S、最后的Copy高达15804MB/S。这样高的性能在同类产品中非常出色，一般DDR3 1600带宽都只能在10000MB/S左右。
金士顿4GB DDR3 1600
某超频至1800MHZ DDR3性能测试（点击可以放大）
　　 在PCMark Vantage测试中，金士顿4GB DDR3 1600内存子项总分为6790。而某款DDR3内存超至1800MHZ后，性能也只到4805分。证明金士顿4GB DDR3 V内存体质非常好，在9-9-9-24的时序下能发挥出惊人的性能，让整个平台性能提升不少。
全文总结：低电压优劣分析
　　 金士顿LoVo系列DDR3 1600内存既然敢保证在低于标准电压时，内存仍能稳定工作，就代表低电压内存拥有更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质并不好，需要较高的电压才能保证稳定，这也是低电压内存的优点之一。
　　 不过低电压DDR3内存很多为了保证稳定的运行，超频能力有限，笔者也不推崇购买低电压内存去超频使用。这样就违背了低耗、低热量、环保的宗旨。
　　 其次金士顿低电压内存也更符合我们环保的概念，使用低电压内存后整机的功耗都会降低，却又不失出色的性能。虽然个人使用节能的效果有限，但使用者达到一定数量以后，积少成多也是非常可观的。现在都崇尚过低碳生活，所以笔者建议大家都买低电压版内存，为我们的地球尽一份力。■
[报价查询] &
内存描述：2×2GB套装 传输类型：DDR3 颗粒封装：FBGA 内存电压：1.35V CL设置：9 内存接口：240Pin
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DDR4内存：真正的换代升级，低电压高频率
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摘要: 虽然Haswell-E及X99主板的升级看点不少，但是新一代旗舰中升级最大的其实是DDR4内存，从首款支持DDR3内存的Intel P35芯片组算起到现在已经有7年多了，这么久了才轮到一次内存升级，这可比CPU或者主板升级换代重要多了。DDR4内存规范早在2012年9月底就发布了，这两年多来DRAM颗粒及 ...
虽然Haswell-E及X99主板的升级看点不少，但是新一代旗舰中升级最大的其实是DDR4内存，从首款支持DDR3内存的Intel P35芯片组算起到现在已经有7年多了，这么久了才轮到一次内存升级，这可比CPU或者主板升级换代重要多了。DDR4内存规范早在2012年9月底就发布了，这两年多来DRAM颗粒及内存模组厂商一直在推进，不过影响DDR4内存走向的关键问题之一在于支持平台，AMD那边就不要抱有多大期望了，Intel的主流处理器架构也没打算很快支持DDR4，Haswell没有，Broadwell也没有，下下代的Skylake上才会有DDR4内存，只有Haswell-E因为沾了服务器平台的光才开始支持DDR4。新一代DDR4内存能带给用户什么样的优势？这是JEDEC官方组织制定DDR4标准的目的，也是用户最关心的地方。在Haswell-E及DDR4内存正式来临之前，我们有必要先了解一下DDR4内存的优点。DDR4内存规格简介DDR3与DDR4规格对比从DDR1到DDR3，每一代DDR技术的内存预取位数都会翻倍，前三者分别是2bit、4bit及8bit，以此达到内存带宽翻倍的目标，不过DDR4在预取位宽上保持了DDR3的8bit设计，因为继续翻倍为16bit预取的难度太大，DDR4转而提升Bank数量，它使用的是Bank Group（BG）设计，4个Bank作为一个BG组，可自由使用2-4组BG，每个BG都可以独立操作。使用2组BG的话，每次操作的数据就是16bit，4组BG则能达到32bit操作，这其实变相提高了预取位宽。以上只是DDR4规范中的最主要变化之一，实际上DDR4在工作电压、功效、可靠性等方面还有很多改变，限于篇幅这里就不一一介绍了。DDR4实物对比网友曝美光DDR4内存（下）样品从曝光的DDR4内存实物来看，两种内存的防呆缺口位置不一样，DDR4更靠近中间一些，而且DDR4内存的针脚从DDR3的240个提高到了284个（SODIMM规格则是从204提高到了256个），触点间距则从1毫米捡到少了0.85毫米，SODIMM规格的则从0.6毫米减少到了0.5毫米。除此之外，DDR4内存的长度保持不变，不过宽度和厚度略有增加，因为PCB层数增多了。DDR4内存优点之一：频率飙升，带宽更高DDR3内存的主流频率在MHz（起步是800MHz），目前常见的是DDR3-1600和DDR3-1866，主流平台大都支持双通道配置，总位宽128bit，总带宽分别是25.6GB/s、29.9GB/s，LGA2011平台是四通道配置，所以带宽还要翻倍。DDR4内存相比DDR3内存频率更高，带宽也更高DDR4保持了DDR3一样的8位数据预取设计，所以同频率下带宽不变，但是DDR4内存频率更高，起步就是1600MHz，不过厂商大都是从DDR4-2133MHz起，目前开卖的消费级DDR4普遍达到了2400MHz、2667MHz及2800MHz，DDR4-3000以及DDR4-3200规格的也开发成功了，不过上市还要等等。当然，这还不是极限，规划的最高频率则能达到DDR4-4266MHz，双通道带宽可达68GB/s。就以DDR4-2133MHz内存为例，128bit双通道带宽已经达到了34GB/s，DDR4-00MHz的带宽则是38.4GB/s、42.7GB/s及51.2GB/s，所以在总带宽上DDR4相比DDR3依然有很多优势。当然，目前的DDR3内存还没到衰落的地步，很多厂商也开发了DDR3-2133MHz以上的高频内存，甚至还有一些DDR3-3000及更高频率的内存，不过代价也相当高，售价也自然高不可攀，DDR4内存优点之二：电压更低，功效更高频率和带宽提升并不是DDR4唯一的重点，对服务器应用来说内存功耗也是要考虑在内的，DDR4内存的工作电压从DDR3的1.5V降低到了1.2V，这有助于提升DDR4内存的效率，降低电力消耗，同时对散热也大有裨益。DDR4内存电压降低了，功耗也低了DDR那一代的工作电压高达2.5V，随后DDR2降低到了1.8V，DDR3又降低到了1.5V，DDR3L低电压版则是1.35V，而DDR4的工作电压只要1.2V，低电压版尚未完全确定，不过可以低至1.0-1.05V，相比DDR3L进一步降低功耗。DDR4的节能措施具体来说，DDR3需要的VDD、VDDQ电压都是1.5V，不需要VPP电压，DDR4的VDD、VDDQ电压降低到了1.2V，不过需要2.5V的VPP电压。如果常看有关美光DDR4内存的新闻，那么有读者可能会记得美光的宣传中提到了DDR4内存相比DDR3可节能40%，其中电压下降带来的功耗降低大约是20%，剩下月15%的节能则是靠DDR4内存的POD Bus、DLL-Off模式、数据总线倒转等技术实现的。DDR4内存优点之三：更高的密度，更大的容量DDR3内存中常见的内存容量是2-4GB，再有就是单条8GB了，单条16GB的非常少，而且需要特殊手段才能实现，而见诸报道的DDR4内存经常可以见到16GB单条的，SK Hynix甚至展示过128GB容量的DDR4内存，这都说明一点——DDR4内存的存储密度更高，内存容量更大。DDR4内存支持DDR3内存主流的die容量是512Mb-4Gb，而DDR4内存的die容量提高到了4Gb-16Gb，存储密度提升了一倍，同样的颗粒数量下DDR4内存的容量也高出一倍，可以轻易实现16GB单条内存，而X99主板通常都会配备8条DDR4插槽，土豪们可以安装整整128GB的内存，相比普通台机至多8GB的内存来说，这酸爽真的是停不下来。DDR4的局限：每通道内存数下降DDR4内存的有点还可以说很多很多，不过上面的三点已经有足够的吸引力，对发烧玩家来说只要DDR4性能更高甚至就值得入手了，功耗、发热降低那都是附属价值了，我们这里再来说一下DDR4内存的不足之处，虽然它对普通用户来说影响并不大。DDR4内存改用点对点设计（下）之后限制了每通道的内存数DDR3内存使用的是双向传输机制，内存和内存控制器之间通过多点分支总线连接，每条通道通常都可以支持2条DIMM内存，而DDR4内存则改用了P2P点对点总线，每通道只能支持一根内存，这样做的好处是效率更高，提升频率更容易，缺点则是内存容量扩展不容易，不过DDR4内存单条容量受益于存储密度的提升，使用单条8GB或者16GB的DDR4即可避免这个限制。这个问题对用户实际使用影响也不大，目前X99主板的标准配置依然是4通道8插槽，虽然DDR4的规范是每通道只支持1条DIMM内存了，不过它还可以支持动态切换来扩展每条内存通道的内存数量。
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