再一次引领世界 第5代酷睿架构性能实测
来源：中关村在线
&　　14nm 第五代酷睿架构威力
　　如今的IT领域，"PC已死"一类的观点颇为流行。许多人简单地从一些表面现象出发，给这个生命力顽强的行业贴上了日薄西山的标签。不过，成熟的产业自有其发展的韧性和内在支持，对于PC行业来说，Intel的支撑就是其中最重要的一环。2015年1月，美国CES2015展会上，Intel总部发布了第五代酷睿架构处理器中的U系列移动产品，PC行业再次由此获得了前行的助力。
　　Broadwell架构（右）与前代处理器封装面积对比
　　自2006年以来，Intel在桌面处理器领域始终坚持“Tick-Tock"战略。“Tick-Tock”的名称源于时钟秒针行走时所发出的声响。Intel表示，每一次“Tick”代表着一代微架构的处理器芯片制程的更新，意在处理器性能几近相同的情况下，缩小芯片面积、减小能耗和发热量；而每一次“Tock”代表着在上一次“Tick”的芯片制程的基础上，更新微处理器架构，提升性能。一般一次“Tick-Tock”的周期为两年，“Tick”占一年，“Tock”占一年。当然，“Tick”年份的处理器更新也会对架构进行微调，性能同样会有一定幅度的提升，近年来伴随核芯显卡的发展，“Tick”年份的看点也在增多。Broadwell架构恰恰属于“Tick”年份，更换了14nm制程，极大的缩减了功耗，伴随一定幅度CPU性能提升的同时对核芯显卡的规模进行了扩充。
　　“以史为鉴，可以知兴替”，在历史上以“Willamette”开端的“NetBurst"系列处理器，也就是我们过去熟悉的奔腾4家族，并不是现在处理器发展树状图的直系正朔。其最主要的原因之一就是当年的频率大战，拉长了处理器流水线的同时却无法保持较高的能耗比。十年前，奔腾4处理器冲击4GHZ的步伐止步于3.8GHZ，为山九仞功亏一篑，而同P6家族、图拉丁奔腾有着亲缘关系的移动奔腾M架构处理器，由于强调能耗比，此时却广受好评。最终后者衍生出了庞大的酷睿家族，开枝散叶延续至今。从Intel的架构发展过程中我们可以看到，优秀的架构和良好的功耗控制是通用处理器获得成功的关键因素。
　　14纳米与摩尔定律
　　从左至右: Broadwell-Y (Core M), Broadwell ULT/ULX 和 Haswell ULT/ULX
　　按照More定律的神奇指导，“Broadwell”架构拥有Intel最先进的14纳米晶元工艺，极大的提升了单位性能的能耗比，为其成功奠定了坚实的基础。14纳米工艺，一方面让第五代酷睿架构处理器单位性能的功耗大为缩减―Core M代表的Broadwell-Y系列典型TDP降到了惊人的4.5W；另一方面，在同TDP下，Broadwell-U系列低电压双核处理器，相比Haswell-U处理器，封装面积更小，性能也更强。后一方面的表现，也就是本文的主题。
　　i7 U性能对比
　　最近发布的第五代酷睿处理器Broadwell-U家族，均为TDP15W的产品，他们是Haswell-U的i5/i3 4000U系列处理器的替代者，从下文的英特尔发展路线图就可以清楚的看到这种继承关系。所以我们选取宏TMP645这款搭载i7 4500U处理器的产品，与联想新款Y40搭载的i7 5500U简单进行对比，以检验Broadwell-U第五代酷睿架构的威力。
　　Intel移动低电压处理器发展线路图（15W TDP级）
　　TMP645搭载i7 4500U处理器
　　联想新款Y40搭载i7 5500U处理器
　　i7 5500U参数规格
　　酷睿i7 5500U为第五代酷睿架构移动低电压i7处理器，双核心四线程，拥有4MB三级缓存，最大睿频为3GHZ。下面，我们就将用著名的整数理论测试软件国际象棋、基于Cinema 4D引擎的著名渲染测试软件Cinebench R11.5和Wprime多线程浮点运算软件对i7 5500U的性能进行测试。
i7 5500U（左侧）与i7 4500U（右侧）
　　在国际象棋测试中，i7 5500U获得了5797分的成绩，比上一代最大睿频同为3GHZ的i7 4500U相比增长了接近300分，幅度大约领先i7 4500U的百分之七。
　　Cinebench R11.5 i7 5500U成绩
　　Cinebench R11.5 4500U成绩
　　在Cinebench R11.5中，i7 5500U的多核心成绩为2.87pts，单核心成绩为1.37pts,分别比i7 4500U提高了百分之6.7和百分之13.2，幅度还是比较明显的。
　　i7 5500U Wprime成绩
　　i7 4500U Wprime 成绩
　　需要说明的是，i7 5500U 的睿频规则与i7 4500U不同，在双核满载测试之中能够维持更高的频率，对比的i7 4500U搭载对象机也是超薄类型，但是其wprime双核满载频率明显低于标称值，所以i7 5500U获得如此之大的领先幅度是一种概略性的参考。由于对比机型的bios均十分简陋，无法调整倍频，Broadwell 严格意义上的同频测试，只能等待桌面的Broadwell-k系列处理器同i7 4790k的对比了。
(责任编辑：严灿)
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很多人都说，Intel这些年也懒了，一直在&挤牙膏&，但那只是在桌面领域而已，需求疲软、竞争乏力，换谁也跑不动，而在高性能的服务器市场上，Intel可一直是在狂奔。
现在，14nm新工艺的Broadwell-EP Xeon E5-2600 v4系列处理器全新发布了，最大亮点就是核心数量猛增至22个(44线程)，而且下一代Skylake-EP还会进一步增加到28个(56线程)。
，我们再来瞻仰一下顶级22核心E5-2699 v4的狂暴表现吧，同时还有18核心的Xeon E5-2697 v4。
神一般的Xeon E5-2699 v4
上边是E5 v4，下边是E5 v3：不太一样，但都是LGA2011-3封装
E5 v4型号、价格表
本次测试主要采用两台2U架机，分别是Intel S2600WT、SuperMicro 6027R-73DARF，具体配置如下：
注：Xeon E5-2600四代产品分别基于32nm Sandy Bridge-EP、22nm Ivy Bridge-EP、22nm Haswell-EP、14nm Broadwell-EP。
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&&& 2012年美国CES既将开幕，照惯例英特尔将发布全新产品，并为下一代产品吹风，关于英特尔2014年可能推出的产品开始频频曝光。英特尔北欧及比利时、荷兰、卢森堡经济联盟地区总经理PatBliemer在接受北欧硬件网站独家采访时披露据，英特尔14纳米加工技术制造的电路已经试验成功，英特尔计划将于2014年将该工艺应用到代号为“Broadwell”产品中去。
&&&&PatBliemer表示，英特尔已经能够在实验室条件下制造14纳米芯片。这意味着英特尔在生产技术方面与竞争对手相比拥有巨大的优势。目前英特尔的竞争对手仍然很难应用20纳米以下的技术。
&&&&考虑到英特尔是第一个大批量生产32纳米芯片的公司，这个消息并不让人感到意外。而且，作为另一个行业第一，英特尔最近宣布它已开始使用22纳米技术批量生产代号为IvyBridge的处理器。这种处理器使用3D(三闸)。
&&&&PatBliemer还证实称，英特尔的Tick-Tock(工艺年-构架年)战略正在按计划进行。这意味着第一款采用14纳米技术的处理器将在2014年推出。这个处理器的代号为Broadwell。
&&&&Broadwell处理器是作为英特尔路线图中“工艺年”推出的。它实际上是2013年推出的Haswell架构缩小的14纳米芯片。然而，与Haswell不同，这种14纳米芯片将具有更加集成的设计特点，将是英特尔第一个真正的系统芯片（SoC化），因为这个芯片上将包含以太网、Thunderbolt或者USB3.0等功能。
&&&&Broadwell芯片的其它技术规格目前还不清楚。但是，这种芯片肯定将支持英特尔计划在Haswell内核中包含的架构改进，如支持AVX2和DirectX11.1。
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英特尔公布全新14nm芯片技术：Broadwell，低功耗成亮点
来源：天极网
作者：佚名日 21:12
[导读] 英特尔正式发布了全新14nm芯片技术，并将其命名为Broadwell。
　　2006年进入酷睿时代之后，Intel就坚持（几乎）每年交替升级CPU架构和制造工艺，也就是广为熟知的Tick-Tock。Broadwell属于其中的Tick，也就是工艺升级、架构基本不变，明年的Skylake则是另一次Tock，工艺不变，架构革新。
　　英特尔正式发布了全新14nm芯片技术，并将其命名为Broadwell。由于Broadwell代表的是生产工艺的提升，而非新的芯片设计，能耗的减少将成为其一大卖点。新的工艺技术让英特尔得以在保持能耗的同时提升了芯片性能，或是在保存性能的前提下降低能耗。
　　Broadwell是基于14纳米制程的首款英特尔处理器，14纳米制程使用第二代FinFET（三栅级）技术，其晶体管以3D格式堆叠。不过，英特尔量产时遇到了困难，导致Broadwell推迟发布。
　　英特尔表示，相比Haswell芯片，Broadwell在IPC（Instruction Per Clock，即CPU每一时钟周期内所执行的指令多少）上的提升只有5%。而在图形性能方面，Broadwell将会得到大幅提升，计算性能和采样相比Haswell分别提升了20%和50%，而视频质量引擎的提升更是达到了后者的两倍。
　　相比使用22nm技术的Haswell，英特尔的14nm工艺将能耗降低了25%。而后者在每瓦性能上却比Haswell高出了两倍还多。英特尔还加入了第二代的FIVR集成稳压设计，以优化低压下的效率。在芯片包装的X和Y轴上，英特尔实现了超过50%的瘦身，从而将尺寸压缩到了30x16.5x1.04mm，而芯片重量也得到了30%的额外缩减。
　　睿频技术（短时超频以加快任务处理速度，然后进入低功耗模式）同样也得到了升级。Haswell的PL2模式可在系统高功耗下运行数秒时间，而新的PL3模式进一步提升了峰值性能&&但持续时间仅为几微秒。此外，英特尔还大幅提升了重新设计的I/O功能。
　　Broadwell本身还对系统部件（处理器、显卡、系统风扇、Wi-Fi芯片、内存、电源适配器等）的信息通讯进行了优化，以实现跨越整个系统的电源管理优化，从而将续航最大化。
　　Ivy Bridge、Haswell上的GPU分别是第七代、七代半，Broadwell是在它们基础上的继续改进，但还不足以称之为第八代，因为底层架构几乎完全相同的，只是在规模、性能、功能、技术上深入增强。API支持方面已经和NVIDIA、AMD处于同一档次，完全支持DX11.2（以及OpenGL 4.3），甚至还领先于NVIDIA的开普勒、麦克斯韦架构。
　　计算方面，Broadwell确认支持尚未公布的OpenCL 2.0，包括共享虚拟内存，大大提升计算性能。英特尔虽然没有类似AMD HSA那样的可编程异构架构，但至少可以在Broadwell CPU与GPU之间直接共享复杂数据了，而不用来回拷贝。
　　虽然这次英特尔只是披露了Core M系列的相关信息，而没有公布针对服务器市场的Broadwell产品。但是我们相信在Core M成功部署在平板电脑和笔记本以及台式机上，服务器版的Broadwell产品也将会被及时推出。
　　根据此前媒体的报道，采用SoC封装的全新至强Broadwell DE系列系统芯片已经被英特尔列入产品的路线图。作为英特尔公司第一款采用系统级设计的服务器芯片，Broadwell DE高性能服务器芯片将以SoC形式整合在服务器主板上，而不是传统的插槽式安装。Broadwell DE芯片将于2014年下半年或2015年年初正式上市。
　　通过整合至强处理器和兼容的FPGA到一个单独的封装里，其将与标准至强E5处理器实现插座（Socket）上的兼容。有了FPGA的可重编程能力，就能够在工作负载和计算需求发生波动的时候帮助改变算法。根据行业的基准测试，基于FPGA的加速器可以实现超过10倍的性能提升。
　　对于诸如Broadwell DE这样的系统级服务器芯片，虽然有助于消除潜在的系统在成本和功耗方面的瓶颈，但是插槽式服务器芯片能够访问更多的内存和计算资源。Broadwell DE芯片可配备各种的IO控制器，并可根据实际需求针对存储类应用系统和网络类应用系统进行相应的调整。与英特尔公司其他提供低功耗、基于Atom的服务器芯片相比，Broadwell DE芯片是一款运行速度更快的产品。Broadwell DE芯片将采用14纳米工艺制造。
　　Broadwell DE芯片的系统级设计将有助于减少一些总线接口并提升系统性能，但是在可靠性和功能方面的表现则略差，这就需要用户在实际应用中自行权衡利弊。
　　通过缩小芯片的尺寸，英特尔和其它芯片公司竞相推出更先进的处理器。通过发布14纳米制程处理器，由22纳米制程的Haswell提升到14纳米芯片，PC厂商将打造更轻更薄，更节电，而且无需风扇的电脑。首款Core M设备将在年底上市，大批新设备会在2015年上半年上市。
　　在电脑和服务器领域，英特尔处理器占据了大部分市场份额，但基于ARM的芯片则在移动设备市场处于优势。为了更好与ARM竞争，英特尔不断推出更节电的芯片。英特尔利用自己先进的工艺和技术，在低功耗移动市场争取有所作为，打造无风扇的轻薄笔记本、二合一设备、平板机，甚至是微服务器，反击ARM。
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英特尔发布14nmFinFET工艺Xeon处理器和使用3D NAND的SSD
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时间：日 04:55
英特尔于日发布了服务器用微处理器Xeon的新产品以及企业级SSD的新产品。两种类的新产品都容易实现SDI（软件定义基础架构），能轻松构建合适的云环境等。此次发布的MPU是面向中端服务器的“Intel Xeon Processor E5-2600 v4系列”（开发代码：Broadwell-EP），利用14nm FinFET工艺制造。与利用22nm FinFET制造的上一代产品“Intel Xeon Processor E5-2600 v3系列”（开发代码：Haswell-EP）相比，强化了性能等。具体来说，每个插槽的CPU内核数/线程数量由最多18/36增至22/44；末级缓存容量由45MB增至55MB；支持的的DDR4内存速度也更高，上一代产品最高为DDR4-2133，而新产品达到DDR4-2400。SSD新产品有两个系列，分别是“Intel SSD DC P3320／P3520系列”和“Intel SSD DC D3700／D3600系列”。前者在英特尔SSD中首次采用了3D NAND，其中，P3320的性能是SATA连接的现有产品的最高5倍。D3700／D3600是英特尔SSD中首款支持双端口的产品。是PCI Express连接的SSD，符合NVMe（Non-Volatile Memory Express）标准。以D3700为基础构建的系统性能最高可达到现在市场上的双端口SAS的6倍。（记者：小岛 郁太郎）
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